| 主权项 |
1.一种在双镶嵌(dual damascene)制程中移除复数个含氟蚀刻残留物的方法,该方法至少包括:提供一双镶嵌结构,该双镶嵌结构具有一铜导体结构于其中,一覆盖层(cap layer)于该铜导体结构及该双镶嵌结构上,及一具有至少一位于该铜导体结构上方之一开口的低介电常数介电层于该覆盖层上;以含有氟成分的电浆蚀刻该覆盖层以暴露出该铜导体结构;以一溶剂清洗该双镶嵌结构;及将该双镶嵌结构置入一炉管中以移除该等含氟蚀刻残留物。2.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之移除该蚀刻残留物步骤系在一充满氮气的环境中进行。3.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之炉管的一操作温度约介于350℃至400℃之间。4.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之覆盖层至少包括一氮化矽层。5.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之低介电常数介电层系以旋涂(spinon)高分子的方式形成。6.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之低介电常数介电层系以化学气相沉积方式形成。7.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之铜导体结构系以物理气相沉积与电镀沉积方式形成。8.一种在双镶嵌(dual damascene)制程中移除复数个含氟蚀刻残留物的方法,该方法至少包括:提供一双镶嵌结构,该双镶嵌结构具有一铜导体结构于其中,一覆盖层(cap layer)于该铜导体结构及该双镶嵌结构上,及一具有至少一位于该铜导体结构上方之一开口的低介电常数介电层于该覆盖层上;以含有氟成分的电浆蚀刻该覆盖层以暴露出该铜导体结构;以一溶剂清洗该双镶嵌结构;及以电浆(plasma)溅镀方式移除该等含氟蚀刻残留物。9.如申请专利范围第8项之方法,其中上述之溅镀处理以氩(Ar)电浆进行。10.如申请专利范围第8项之方法,其中上述之溅镀处理以氢电浆进行。11.如申请专利范围第8项之方法,其中上述之覆盖层至少包括一氮化矽层。12.如申请专利范围第8项之方法,其中上述之低介电常数介电层系以旋涂(spin on)高分子的方式形成。13.如申请专利范围第8项之方法,其中上述之低介电常数介电层系以化学气相沉积方式形成。14.如申请专利范围第8项之方法,其中上述之铜导体结构系以物理气相沉积与电镀沉积方式形成。15.一种在双镶嵌(dual damascene)制程中移除复数个含氟蚀刻残留物的方法,该方法至少包括:提供一双镶嵌结构,该双镶嵌结构具有一铜导体结构于其中,一覆盖层(cap layer)于该铜导体结构及该双镶嵌结构上,及一具有至少一位于该铜导体结构上方之一开口的低介电常数介电层于该覆盖层上;以含有氟成分的电浆蚀刻该覆盖层以暴露出该铜导体结构;以一溶剂清洗该双镶嵌结构;将该双镶嵌结构置入一炉管中烘烤;及电浆溅镀处理该双镶嵌结构以移除该等含氟蚀刻残留物。16.如申请专利范围第15项之方法,其中上述之溅镀处理以Ar气电浆进行。17.如申请专利范围第15项之方法,其中上述之溅镀处理以氢气电浆进行。18.如申请专利范围第15项之方法,其中上述之烘烤步骤在一充满氮气的环境中进行。图式简单说明:第一图为以传统方法中的双镶嵌结构的剖面示意图;第二图为以本发明方法中的双镶嵌结构的剖面示意图;第三图A为以传统蚀刻后清洗方法清洗双镶嵌旋涂铜、低介电常数介质结构后的XPS光谱示意图;及第三图B为以本发明方法蚀刻后清洗方法清洗双镶嵌旋涂铜、低介电常数介质结构后的XPS光谱示意图。 |
