发明名称 参考电压产生器之省电起始电路
摘要 一种参考电压产生器之省电起始电路,其主要系包括有一降低杂讯装置及一控制装置,所述降低杂讯装置及所述控制装置系由一第一型电晶体及至少一第二型电晶体所组成,所述降低杂讯装置用以降低所述省电起始电路之杂讯效应,以在杂讯产生时,稳定所述参考电压产生器之输出参考电压,而于所述参考电压到达所要准位时,所述控制装置电晶体关闭,阻断电流环路,所述省电起始电路不动作,无静态电流流经所述省电起始电路,本发明之参考电压产生器之省电起始电路可较省电,而且不需要额外的控制电路控制。
申请公布号 TW472383 申请公布日期 2002.01.11
申请号 TW088110700 申请日期 1999.06.25
申请人 台湾积体电路制造股份有限公司 发明人 周永发
分类号 H01L27/10 主分类号 H01L27/10
代理机构 代理人 郑煜腾 台北巿松德路一七一号二楼
主权项 1.一种参考电压产生器之省电起始电路,其连接于一参考电压产生器,所述省电起始电路系包括有一降低杂讯装置及一控制装置,所述降低杂讯装置系一第一型电晶体,所述控制装置系由至少一第二型电晶体所组成,所述降低杂讯装置用以降低所述省电起始电路之杂讯效应,以在杂讯产生时,稳定所述参考电压产生器之输出参考电压,而于所述参考电压到达所要准位时,所述控制装置电晶体关闭,阻断电流环路,所述省电起始电路不动作,无静态电流流经所述省电起始电路。2.如申请专利范围第1项所述之参考电压产生器之省电起始电路,其中所述第一型电晶体系为P通道电晶体。3.如申请专利范围第2项所述之参考电压产生器之省电起始电路,其中所述第二型电晶体系为N通道电晶体。4.如申请专利范围第1项所述之参考电压产生器之省电起始电路,其中所述第一型电晶体系为N通道电晶体。5.如申请专利范围第4项所述之参考电压产生器之省电起始电路,其中所述第二型电晶体系为P通道电晶体。6.如申请专利范围第1项所述之参考电压产生器之省电起始电路,其中所述控制装置系一N通道电晶体。7.如申请专利范围第1项所述之参考电压产生器之省电起始电路,其中所述控制装置系一P通道电晶体。8.一种参考电压产生器之省电起始电路,其连接于一参考电压产生器,所述省电起始电路系包括有一降低杂讯装置及一控制装置,所述降低杂讯装置及所述控制装置系由一第一型及至少一第二型电晶体所组成,所述降低杂讯装置用以降低所述省电起始电路之杂讯效应,以在杂讯产生时,稳定所述参考电压产生器之输出参考电压,而于所述参考电压到达所要准位时,所述控制装置电晶体关闭,阻断电流环路,所述省电起始电路不动作,无静态电流流经所述省电起始电路。9.如申请专利范围第8项所述之参考电压产生器之省电起始电路,其中所述降低杂讯装置系为一第一型电晶体。10.如申请专利范围第9项所述之参考电压产生器之省电起始电路,其中所述控制装置系由复数第二型电晶体所组成。11.如申请专利范围第9项所述之参考电压产生器之省电起始电路,其中所述第一型电晶体系为N通道电晶体。12.如申请专利范围第10项所述之参考电压产生器之省电起始电路,其中所述第二型电晶体系为P通道电晶体。13.如申请专利范围第11项所述之参考电压产生器之省电起始电路,其中所述第一型电晶体系为P通道电晶体,所述第二型电晶体系为N通道电晶体。图式简单说明:第一图系绘示习见参考电压产生器的电路图。第二图系绘示习用的偏压起始电路的电路图。第三图系绘示另一习用的偏压起始电路的电路图。第四图系绘示第五图以及第六图之起始电路的控制电路的电路图。第五图系绘示又一习知的偏压起始电路的电路图。第六图系绘示再一习知的偏压起始电路的电路图。第七图系绘示本发明第一较佳实施例之参考电压产生器省电起始电路的电路图。第八图系绘示本发明第二较佳实施例之参考电压产生器省电起始电路的电路图。第九图系本发明第一较佳实施例之简化省电起始电路的电路图。第十图系本发明第二较佳实施例之简化省电起始电路的电路图。第十一图系绘示利用本发明第一较佳实施例之参考电压产生器之省电起始电路产生的波形示意图。第十二图系绘示利用本发明第二较佳实施例之参考电压产生器之省电起始电路产生的波形示意图。
地址 新竹科学工业园区园区三路一二一号