| 主权项 |
1.一种场发射显示装置包含:一第一电绝缘板;一阴极形成于该绝缘板上,该阴极包含金属材料;一电阻材料层形成于该阴极上;一奈米管发电极层形成于该高电阻层上,该毫微管发电极层选自碳、钻石及类钻石所构成族群之材料,该阴极、该电阻层及该毫微管发射极层形成一发射极堆叠,由一绝缘阻隔部份与相邻之发射极堆叠绝缘;一介电质材料层垂直位在多数发射极堆叠上;一闸电极位在该介电质材料层之顶端上,及;一阳极形成于一第二电绝缘板上并位在该闸门电极上。2.根据申请专利范围第1项之场发射显示装置,其中该第一电绝缘板系一玻璃板,且该第二电绝缘板系一萤光布层玻璃板。3.根据申请专利范围第1项之场发射显示装置,其中该阴极系由一层银(Ag)胶所形成。4.根据申请专利范围第1项之场发射显示装置,其中该电阻材料包含二氧化钌(RuO2)。5.根据申请专利范围第1项之场发射显示装置,其中该奈米管发射极层系由一碳胶所形成,包含重量百分比20%与80%间之碳,及其余为一含溶剂黏合剂。6.根据申请专利范围第1项之场发射显示装置,其中该奈米管发射极层系由一碳胶所形成,包含重量百分比50%之碳与重量百分比50之合溶剂黏合剂。7.根据申请专利范围第1项之场发射显示装置,其中该奈米管发射极层系由一碳胶所形成,包含重量百分比50%之碳纤维,具有在30毫微米与50毫微米间之直径,与重量百分比50%之含溶剂黏合剂。8.根据申请专利范围第1项之场发射显示装置,其中该发射堆具有10m与100m间之厚度。9.根据申请专利范围第1项之场发射显示装置,其中该发射堆具有较佳20m与40m间之一厚度。10.根据申请专利范围第1项之场发射显示装置,其中该绝缘阻隔部份之厚度与该发射极堆叠之厚度大致相似。11.根据申请专利范围第1项之场发射显示装置,其中该绝缘阻隔部份系由一介电质材料所形成。12.根据申请专利范围第1项之场发射显示装置,其中该介电质材料位在该多数发射极堆叠上,包含一玻璃粉及一溶剂。13.根据申请专利范围第1项之场发射显示装置,其中该闸电极系由银(Ag)胶所形成。14.根据申请专利范围第1项之场发射显示装置,其中该介电质材料垂直位在具有150m之宽度之多数发射极堆叠上,该闸门电极位在该介电质材料层之顶端上,具有110m之宽度,且该毫微管发射极层不由该介电质材料层覆盖,具有120m之宽度及110m之长度。15.一种利用厚膜印刷技术制造场发射显示装置之方法,包含下列步骤:提供一第一电绝缘板;网版印刷一导电板在该第一电绝缘板上,形成一阴极;网版印刷一高电阻材料层在该第一电绝缘板之顶端;网版印刷一毫微管材料在该高电阻材料层上,形成多数以定距离相隔之发射极堆叠,在其间具有间隙;网版印刷一绝缘材料层于该间隙中,形成绝缘阻隔部份;网版印刷一绝缘材料层于延伸条中,覆盖且垂直相交该多数以定距离相隔之发射极堆叠;网版印刷一导电材料层在该延伸条中,在该层之介电质材料之顶端上形成闸门电极;及固定一形成在一第二电绝缘板上之阳极,其位于该导电材料层上。16.根据申请专利范围第15项之利用厚膜印刷技术制造场发射显示装置之方法,其中该第一电绝缘板系一实质透明之玻璃板。17.根据申请专利范围第15项之利用厚膜印刷技术制造场发射显示装置之方法,另包含一步骤利用一银(Ag)胶网版印刷该导电板于一玻璃板上形成该阴极。18.根据申请专利范围第15项之利用厚膜印刷技术制造场发射显示装置之方法,另包含一步骤以网目印刷一层二氧化钌(RuO2)于该第一电绝缘板之顶端上,当做该电阻层。19.根据申请专利范围第15项之利用厚膜印刷技术制造场发射显示装置之方法,其中该奈米管发射极层包含重量百分比20与80间之碳及其余为一含溶剂黏合剂。20.根据申请专利范围第15项之利用厚膜印刷技术制造场发射显示装置之方法,其中该奈米管发射极层包含重量百分比50之碳纤维及具有30毫微米与50毫微米间之直径及重量百分比50之含溶剂黏合剂。21.根据申请专利范围第15项之利用厚膜印刷技术制造场发射显示装置之方法,其中该发射极堆叠之全部厚度为20m与40m间。22.根据申请专利范围第15项之利用厚膜印刷技术制造场发射显示装置之方法,其中该绝缘阻隔部份之厚度实质与该发射极堆叠之厚度相似。23.根据申请专利范围第15项之利用厚膜印刷技术制造场发射显示装置之方法,其中延伸条包含一玻璃粉及一溶剂材料。24.根据申请专利范围第15项之利用厚膜印刷技术制造场发射显示装置之方法,另包含一以银(Ag)胶形成该闸电极之步骤。25.根据申请专利范围第15项之利用厚膜印刷技术制造场发射显示装置之方法,另包含在一萤光体板上形成该阳极之步骤。图式简单说明:第一图A系一传统用利用微尖端之场发射显示装置之放大剖面图。第一图B系第一图A所示之传统用场发射显示装置之放大剖面图,另包含一阳极及侧壁板形成一真空封装环境。第一图C系第一图B所示之传统用场发射显示装置之局部放大剖面图,其显示微尖端之结构。第二图系本发明之场发射显示装置之立体视图,显示阴极层、电阻层、奈米管发射极层、介电质材料层及闸电极。第三图系第二图所示之本发明之场发射显示装置之立体视图,其顶端有一萤光体层板阳极。第四图系第二图所示之本发明之场发射显示装置之平面视图,显示一像素(pixel)。 |
