半导体雷射装置

摘要

光导引层系各别地被形成于主动层的二面，该光导引层具有较主动层为宽的能带间隙，一n型覆盖层与一p型覆盖层系各别地被形成以将主动层与光导引层夹置于其中，该覆盖层具有较光导引层为宽能带闲隙，而载体阻隔层系各别地形成于主动层与光导引层之间，该载体阻隔层具有较主动层与光导引层为宽的能带间隙。p型覆盖层的折射系数条较n型覆盖层为低。内损耗将藉由该结构而被限制于低水平，因为自由载体吸收将被减少，且半导体雷射装置的电阻与热阻值将被减少，其结果是该雷射装置的效率与输出功率将被增加。

主权项

1.一种半导体雷射装置,其具有复数依序形成层,其包括:一第一层覆盖层,一第一层光导引层,一第一层载体阻隔层,一主动层,一第二层载体阻隔层,一第二层光导引层,一第二层覆盖层,第一与第二光导引层之能带间隙系较主动层为宽,第一与第二覆盖层之能带间隙系较第一与第二光导引层为宽,第一与第二载体阻隔层之能带间隙系较第一与第二光导引层为宽,第一与第二覆盖层之一为p型,而另一个为n型,其中p型覆盖层的折射系数系较n型覆盖层为低。2.如申请专利范围第1项之半导体雷射装置,其中p型覆盖层的厚度系小于n型覆盖层。图式简单说明:第一图系为图示本发明之实施例的图;第二图系为图示本实施例与参考范例之波导引模式的图;第三图系为图示本实施例与参考范例之电阻値的图;第四图系为图示本实施例与参考范例之热阻値的图;