发明名称 | 注入式非相干发射体 | ||
摘要 | 本发明涉及注入式非相干发射体,它能减小定向的自发和出射辐射的输出的发散角,同时增加外部效率以及增加能量和照明功率,该发射体包括,在整个异质结构(2)内多层具有位于预定范围内的组分和厚度的层和子层,还包括多层供辐射输出区(7)用的层,本发明还涉及不同异质结构和输出区的改进,他们允许在不同的控制方向内输出辐射,包括垂直于所述的发射体的有源层的方向的输出,本发明还涉及多光束的非相干发射体,包含具有自动控制光束的辐射平面和矩阵控制器。 | ||
申请公布号 | CN1336012A | 申请公布日期 | 2002.02.13 |
申请号 | CN99815912.3 | 申请日期 | 1999.07.27 |
申请人 | 瓦西里·伊万诺维奇·什韦金 | 发明人 | 瓦西里·伊万诺维奇·什韦金 |
分类号 | H01L33/00 | 主分类号 | H01L33/00 |
代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 姜丽楼 |
主权项 | 1.注入式非相干发射体,其所含的异质结构包含有源层,包层,欧姆接触,以及至少在有源层的一侧相邻于包层的并透过辐射的辐射输出区;其特征在于,至少形成一个具有合适结构的辐射输出区,所述的输出区至少其中一层的折射率为nRORq,辐射的光学损耗因子为αRORq(cm-1),厚度为dRORq(μm),其中q=1,2,…,p为整数,表示标记输出区层数的序数,从它的具有异质结构的边界起数;具有相邻辐射输出区的异质结构由有效的折射率neff表征,其中将有效折射率neff和折射率nROR1选择成满足下述关系式:arccos(neff/nROR1)≤arccos(neff-min/nROR1),以及neff-min>nmin,式中,neff-min是对于许多具有实际值的辐射输出区的异质结构其所有可能的有效折射率neff中的neff的最小值,而nmin是在异质结构的包层内折射率的最小值。 | ||
地址 | 俄罗斯莫斯科 |