| 发明名称 | 碳化硅半导体结构上的层叠电介质 | ||
| 摘要 | 公开了一种用于碳化硅基半导体器件的电介质结构。在栅极器件中,该结构包括碳化硅层,位于碳化硅层上的二氧化硅层,位于二氧化硅层上的另一绝缘材料层,该绝缘材料具有的介电常数大于二氧化硅的介电常数,和与绝缘材料接触的栅极接触。在另一器件中,电介质结构形成增强的钝化层或者场绝缘体。 | ||
| 申请公布号 | CN1336010A | 申请公布日期 | 2002.02.13 |
| 申请号 | CN99811468.5 | 申请日期 | 1999.08.27 |
| 申请人 | 克里公司 | 发明人 | 劳里·A·里浦金;约翰·W·帕尔莫 |
| 分类号 | H01L29/51;H01L21/28;H01L29/24 | 主分类号 | H01L29/51 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王永刚 |
| 主权项 | 1.一种用于碳化硅半导体器件的电介质结构，所述电介质结构包括：碳化硅层；位于所述碳化硅层上的二氧化硅层；和位于所述二氧化硅层上的另一绝缘材料层，所述绝缘材料具有的介电常数大于二氧化硅的介电常数。 | ||
| 地址 | 美国北卡罗莱纳 | ||