| 主权项 |
1.一种异接合双极性电晶体,其在AlGaAs发射层与发射极间具有镇流电阻层,其特征为:前述镇流电阻层由n-AlxGa1-xAs(0<x<1)而成,前述发射层与前述镇流电阻层之间具有GaAs选择蚀刻层。2.如申请专利范围第1项之异接合双极性电晶体,其中在发射极正下方,更包括InGaAs接触层。3.如申请专利范围第1项之异接合双极性电晶体,其中n-AlxGa1-xAs(0<x<1)镇流电阻层具有0<x≦0.4之Al组成比x。4.如申请专利范围第1项之异接合双极性电晶体,其中n-AlxGa1-xAs(0<x<1)镇流电阻层具有0.15≦x≦0.35之Al组成比x。5.如申请专利范围第1项之异接合双极性电晶体,其中GaAs选择蚀刻层,比镇流电阻层为低之电阻。6.如申请专利范围第1项之异接合双极性电晶体,其中GaAs选择蚀刻层,具有100-300nm膜厚。7.如申请专利范围第1项之异接合双极性电晶体,其中GaAs选择蚀刻层,具有50以上与AlGaAs发射层之选择比。8.一种异接合双极性电晶体之制造方法,其特征为包括:a)叠积GaAs选择蚀刻层及n-AlxGa1-xAs(0<x<1)镇流电阻层之步骤,在AlGaAs发射层上依序叠积;b)蚀刻n-AlxGa1-xAs镇流电阻层或n-AlxGa1-xAs镇流电阻层与GaAs选择蚀刻层之步骤,蚀刻成一定图形至GaAs选择蚀刻层止;c)选择蚀刻残留之GaAs选择蚀刻层之步骤,选择蚀刻成一定图形;及d)形成发射极之步骤,在镇流电阻层上形成。9.如申请专利范围第8项之异接合双极性电晶体之制造方法,其中蚀刻n-AlxGa1-xAs镇流电阻层或n-AlxGa1-xAs镇流电阻层与GaAs选择蚀刻层之步骤,以湿蚀刻蚀刻成一定图形。10.如申请专利范围第8项之异接合双极性电晶体之制造方法,其中选择蚀刻残留GaAs选择蚀刻层之步骤,以湿蚀刻蚀刻成一定图形。图式简单说明:图1系依照本发明之异接合双极性电晶体之构造断面图。图2系本发明之异接合双极性电晶体之制程构造断面图。图3系本发明之异接合双极性电晶体之制程构造断面图。图4系本发明之异接合双极性电晶体之制程构造断面图。图5系本发明之异接合双极性电晶体之制程构造断面图。图6系本发明之异接合双极性电晶体之制程构造断面图。图7系本发明之异接合双极性电晶体之制程构造断面图。图8系本发明之异接合双极性电晶体之制程构造断面图。图9系本发明之异接合双极性电晶体之制程构造断面图。图10系本发明之异接合双极性电晶体之制程构造断面图。图11系本发明之异接合双极性电晶体与先前之异接合双极性电晶体之发射极电阻(Re)之温度依赖性图。图12系制作成本发明之异接合双极性电晶体之比较对象之异接合双极性电晶体构造断面图。图13系制作成本发明之异接合双极性电晶体之比较对象之异接合双极性电晶体室温附近之发射极电阻(Re)与AlGaAs镇流电阻层之Al组成比关系图。图14系制作成本发明之异接合双极性电晶体之比较对象之异接合双极性电晶体温度依赖性与AlGaAs镇流电阻层之Al组成比关系图。图15系具有日本特开平6-349847号公报所示镇流电阻层,在基极下具有AlGaAs发射层,且在最表面具有InGaA接触层之异接合双极性电晶体构造断面图。图16系异接合双极性电晶体构造断面图。 |
