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<p>본 발명은 낸드형 플래쉬 메모리소자 및 그 구동 방법을 개시한다. 이 낸드형 플래쉬 메모리소자는 m개의 비트라인들을 공유하는 복수개의 셀 블록들로 구성된 셀 어레이 영역과, 셀 어레이 영역을 구동시키는 로우 디코더를 포함한다. 각 셀 블록은 m개의 비트라인들을 가로지르는 스트링 선택라인, n개의 워드라인들 및 접지 선택라인을 구비한다. 로우 디코더는 복수개의 셀 블록들과 각각 접속된 복수개의 블록 구동부들을 포함하고, 각 블록 구동부는 홀수번째의 워드라인들과 각각 접속된 제1 그룹의 워드 구동 트랜지스터들 및 짝수번째의 워드라인들과 각각 접속된 제2 그룹의 워드 구동 트랜지스터들을 구비한다. 제1 그룹의 워드 구동 트랜지스터들의 게이트 전극들은 제1 구동 제어라인과 접속되고, 제2 그룹의 워드 구동 트랜지스터들의 게이트 전극들은 제2 구동 제어라인과 접속된다. 셀 어레이 영역의 임의의 셀 트랜지스터를 선택적으로 프로그램시키는 방법은 제1 및 제2 구동 제어라인들중 선택된 셀 트랜지스터와 접속된 워드 구동 트랜지스터를 제어하는 하나의 구동 제어라인에 프로그램 전압보다 높은 제1 전압을 인가하고, 다른 하나의 구동 제어라인에 패스전압보다 높고 프로그램 전압보다 낮은 제2 전압을 인가한다.</p> |
