发明名称 MEMORY DEVICE HAVED PARALLEL TEST CIRCUIT
摘要 <p>본 발명은 병렬 테스트회로를 갖는 메모리장치에 관한 것으로서, 메모리장치가 고용량화되어 감에 따라 용량에 비례하여 테스트시간이 길어지는 문제점을 해결하기 위해 테스트시 직렬로 쓰기/읽기를 수행하던 방식을 메모리장치내부에 병렬쓰기회로(30), 병렬데이터 비교회로(40), 테스트모드 제어부(20)를 내장하여 병렬테스트 선택신호(TMS)에 따라 병렬로 쓰기/읽기를 수행하여 병렬로 테스트함으로써 테스트시간을 줄일 수 있는 이점이 있다.</p>
申请公布号 KR100331284(B1) 申请公布日期 2002.04.06
申请号 KR19990065204 申请日期 1999.12.29
申请人 null, null 发明人 홍정일;박근우;이일훈
分类号 G06F11/267 主分类号 G06F11/267
代理机构 代理人
主权项
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