| 主权项 |
1.一种电致显示装置,具有位于基底上的像素部位,该像素部位包括:开关TFT,具有未与闸极重叠的LDD区,且在LDD区与闸极间内置有闸极绝缘薄膜;及电流控制TFT,具有与闸极重叠的LDD区,且在LDD区与闸极间内置有闸极绝缘薄膜。2.一种电致显示装置,具有位于基底上的像素部位,源极驱动电路及闸极驱动电路,该像素部位包括:开关TFT,具有未与闸极重叠的LDD区,且在LDD区与闸极间内置有闸极绝缘薄膜;及电流控制TFT,具有与闸极重叠的LDD区,且在LDD区与闸极间内置有闸极绝缘薄膜。3.一种电致显示装置,具有位于基底上的像素部位,该像素部位包括:开关TFT,具有未与闸极重叠的LDD区,且在LDD区与闸极间内置有闸极绝缘薄膜;及电流控制TFT,具有与闸极重叠的LDD区,且在LDD区与闸极间内置有闸极绝缘薄膜,其中该开关TFT包括p通道TFT或n通道TFT的其中之一,其中该电流控制TFT包括p通道TFT,且其中该电流控制TFT的汲极区与电致元件的阳极电子地连接。4.一种电致显示装置,具有位于基底上的像素部位,源极驱动电路及闸极驱动电路,该像素部位包括:开关TFT,具有未与闸极重叠的LDD区,且在LDD区与闸极间内置有闸极绝缘薄膜;及电流控制TFT,具有与闸极重叠的LDD区,且在LDD区与闸极间内置有闸极绝缘薄膜,其中该开关TFT包括p通道TFT或n通道TFT的其中之一,其中该电流控制TFT包括p通道TFT,且其中该电流控制TFT的汲极区与电致元件的阳极电子地连接。5.一种电致显示装置,具有位于基底上的像素部位,该像素部位包括:开关TFT,具有未与闸极重叠的LDD区,且在LDD区与闸极间内置有闸极绝缘薄膜;及电流控制TFT,具有与闸极重叠的LDD区,且在LDD区与闸极间内置有闸极绝缘薄膜,其中该开关TFT包括p通道TFT或n通道TFT的其中之一,其中该电流控制TFT包括p通道TFT,且其中该电流控制TFT的汲极区与电致元件的阴极电子地连接。6.一种电致显示装置,具有位于基底上的像素部位,源极驱动电路及闸极驱动电路,该像素部位包括:开关TFT,具有未与闸极重叠的LDD区,且在LDD区与闸极间内置有闸极绝缘薄膜;及电流控制TFT,具有与闸极重叠的LDD区,且在LDD区与闸极间内置有闸极绝缘薄膜,其中该开关TFT包括p通道TFT或n通道TFT的其中之一,其中该电流控制TFT包括p通道TFT,且其中该电流控制TFT的汲极区与电致元件的阴极电子地连接。7.如申请专利范围第1至第6项任一项之电致显示装置,其中该电致显示装置于以下的电子装置中:摄影机,数位相机,凸眼式显示装置,导航系统,音频拨放装置,笔记型个人电脑,游戏装置,可携式资讯中端及影像拨放装置。8.如申请专利范围第1至第6项任一项之电致显示装置,其中该电致显示装置利用分时阶层法来操作。图式简单说明:图1A及1B显示电致显示装置的结构。图2显示电致显示装置的剖面结构。图3显示习知电致显示装置之像素部位的结构。图4A及4B说明利用类比阶层法之TFT的特征。图5A至5F说明分时阶层法之操作模式。图6显示电致显示装置的源极驱动电路。图7显示电致显示装置之像素部位的像素结构。图8说明分时阶层法的操作模式。图9为电致显示装置面板的上视图。图10为FPC输入部位的保护电路。图11为电致显示装置之闸极驱动电路。图12为电致显示装置之源极驱动电路。图13为电致显示装置之源极驱动电路的输出讯号时序图。图14为电致显示装置之源极驱动电路的输出讯号时序图。图15为电致显示装置之闸极驱动电路的输出讯号时序图。图16为电致显示装置之闸极驱动电路的输出讯号时序图。图17A至17E显示电致显示装置的制造程序。图18A至18D显示电致显示装置的制造程序。图19A至19D显示电致显示装置的制造程序。图20A至20C显示电致显示装置的制造程序。图21显示电致模组的外部。图22A及22B显示电致模组的外部。图23A至23C显示接触结构的制造程序。图24A至24B显示电致显示装置之像素部位的上部结构。图25显示电致显示装置的剖面图。图26显示电致显示装置之源极驱动电路。图27A及27B显示本发明之电致显示装置的照片。图28A及28B显示电致元件的结构。图29显示电致元件的特性。图30A至30F显示电子装置的特定例。图31A至31C显示电子装置的特定例。图32显示电致元件的特性。图33显示电致元件的特性。图34显示电致元件的特性。图35显示电致元件的特性。 |
