| 主权项 |
1.一种累积式电容器,具有一个第一累积式电容器端及一个第二电容器端,并包括:一第一个电容器具有一个n型多晶矽端,并耦合至第一累积式电容器端,并且有一主动区端耦合至第二累积式电容器端;一第二个电容器具有一个n型多晶矽端,并耦合至第二累积式电容器端,并且有一主动区端耦合至第一累积式电容器端;一第三个电容器具有一个p型多晶矽端,并耦合至第一累积式电容器端,并且有一主动区端耦合至第二累积式电容器端;以及一第四个电容器具有一个p型多晶矽端,并耦合至第二累积式电容器端,并且有一主动区端耦合至第一累积式电容器端。2.如申请专利范围第1项之累积式电容器,尚包括具有第一、第二、第三及第四个电容器各别之主动区端的第一、第二、第三及第四井。3.如申请专利范围第1项之累积式电容器,尚包括具有第一及第三个电容器主动区端之第一井。4.如申请专利范围第3项之累积式电容器,其中第一及第三个电容器之主动区端经由N+区耦合至第二个累积式电容器。5.一种累积式电容器,并包括:一第一个电容器具有一个掺杂成n型之第一多晶矽端、一个第一累积/耗尽区及一个存在于第一多晶矽端及第一累积/耗尽区间之第一介质区;一第二个电容器具有一个掺杂成n型之第二多晶矽端并耦合至第一累积/耗尽区、一个第二累积/耗尽区并耦合至第一多晶矽端,及一个存在于第二多晶矽端及第二累积/耗尽区间之第二介质区;一第三个电容器具有一个掺杂成p型之第三多晶矽端、一个第三累积/耗尽区并耦合至第一累积/耗尽区,及一个存在于第三多晶矽端及第三累积/耗尽区间之第三介质区;以及一第四个电容器具有一个掺杂成p型之第四多晶矽端并耦合至第一累积/耗尽区、一个第四累积/耗尽区并耦合至第一多晶矽端,及一个存在于第四多晶矽端及第四累积/耗尽区间之第四介质区。6.如申请专利范围第5项之累积式电容器,其中第一个、第二个、第三个及第四个电容器分别由第一、第二、第三及第四n型井所形成。7.如申请专利范围第6项之累积式电容器,尚包括分别存在于第一、第二、第三及第四井中之第一、第二、第三及第四N+区。8.如申请专利范围第7项之累积式电容器,其中第一多晶矽端经由第二N+区耦合至第二累积/耗尽区。9.如申请专利范围第8项之累积式电容器,其中第一多晶矽端经由第四N+区耦合至第四累积/耗尽区。10.如申请专利范围第9项之累积式电容器,其中第一、第二、第三及第四多晶矽端分别具有第一、第二、第三及第四区域。11.如申请专利范围第10项之累积式电容器,其中第一区域与第二区域相异。12.如申请专利范围第11项之累积式电容器,其中第三区域与第四区域相异。13.如申请专利范围第10项之累积式电容器,其中第一区域与第二区域相同。14.如申请专利范围第13项之累积式电容器,其中第三区域与第四区域相同。15.一种累积式电容器,包括:一第一个电容器具有一个掺杂成n型之第一多晶矽端、一个第一累积/耗尽区,及一个存在于第一多晶矽端及第一累积/耗尽区间之第一介质区;以及一第二个电容器具有一个掺杂成p型之第二多晶矽端,并耦合至第一多晶矽端、一个第二累积/耗尽区并耦合至第一累积/耗尽区,及一个存在于第二多晶矽端及第二累积/耗尽区间之第二介质区。图式简单说明:图1是n型多晶矽与p型多晶矽电容器偏压对应对电容量之函数图形。图2是一个依据本发明之一个实施例的n型多晶矽电容器之部分横切面图。图3是如图2之电容器之俯视图。图4是依据本发明之一个实施例的p型多晶矽电容器其中n型井之部分横切面图。图5是如图4电容器之俯视图。图6是依据本发明一个实施例之累积式电容器的电路图。 |
