| 主权项 |
1.一种金属电容器之制造方法,包括下列步骤:提供一基底;形成一第一金属层于该基底上;形成复数层介电层于该第一金属层上,其中每一该些介电层中皆形成有复数个针孔;形成一第二金属层于该些介电层上;以及依序图案化该第二金属层与该些介电层,以使该第一金属层、图案化之该些介电层与图案化之该第二金属层形成一电容器。2.如申请专利范围第1项所述之一种金属电容器之制造方法,其中该第一金属层与该第二金属层之材质包括铝。3.如申请专利范围第1项所述之一种金属电容器之制造方法,其中形成该第一金属层、该第二金属层之方法包括溅镀法。4.如申请专利范围第1项所述之一种金属电容器之制造方法,其中该些介电层之材质包括二氧化矽。5.如申请专利范围第1项所述之一种金属电容器之制造方法,其中该些介电层之材质包括氮化矽。6.如申请专利范围第1项所述之一种金属电容器之制造方法,其中该些介电层之材质包括氧化矽-氮化矽-氧化矽结构。7.如申请专利范围第1项所述之一种金属电容器之制造方法,其中该些介电层之厚度约为200-350。8.如申请专利范围第1项所述之一种金属电容器之制造方法,其中形成该些介电层之方法包括电浆加强式化学气相沈积法。9.如申请专利范围第1项所述之一种金属电容器之制造方法,其中形成该些介电层之温度约为0℃至500℃。10.如申请专利范围第8项所述之一种金属电容器之制造方法,其中化学气相沈积该些介电层之步骤包括下列步骤:a.移入该基底于一反应装置中,且该反应装置具有一气源与一电浆电源;b.开启该反应装置之该气源与该电浆电源;c.沉积一介电层于该基底上;d.关掉该反应装置之该气源与该电浆电源,并停留一预定时间;以及重复b,c,d步骤,直到沉积该些介电层至一预定厚度以及一预定介电常数。11.如申请专利范围第10项所述之一种金属电容器之制造方法,其中该介电层之材质包括二氧化矽。12.如申请专利范围第10项所述之一种金属电容器之制造方法,其中该介电层之材质包括氮化矽。13.如申请专利范围第10项所述之一种金属电容器之制造方法,其中停留该预定时间约为1秒。14.如申请专利范围第10项所述之一种金属电容器之制造方法,其中沉积该些介电层之该预定厚度约为200-350。15.一种金属电容器之结构,包括:一基底;一下电极,位于该基底上;复数层介电层,位于该下电极上,其中每一该些介电层中皆具有任意排列的复数个针孔;以及一上电极,位于该些介电层上。16.如申请专利范围第15项所述之一种金属电容器之结构,其中该些介电层之材质系选自由二氧化矽、氮化矽与氧化矽-氮化矽-氧化矽结构所组成之族群。17.如申请专利范围第15项所述之一种金属电容器之结构,其中该些介电层二厚度约为200-350。图式简单说明:第1A图与第1B图所绘示为依照本发明之较佳实施例金属电容器与内连线之制造流程剖面图。 |
