| 主权项 |
1.一种用以在锗层上形成二氧化矽层的方法,其特征在于其步骤包含:使矽层沉积在锗层;和使矽层暴于温度足以实质上仅藉热能诱发矽层之氧化反应的乾燥氧气下。2.如申请专利范围第1项之方法,其中,矽层暴于乾燥氧气下的实施温度超过约500℃。3.如申请专利范围第2项之方法,其中,矽层暴于乾燥氧气下的实施温度超过约600℃。4.如申请专利范围第3项之方法,其中,矽层暴于乾燥氧气下的实施温度超过约700℃。5.如申请专利范围第4项之方法,其中,矽层暴于乾燥氧气下的实施温度超过约800℃。6.如申请专利范围第1项之方法,其中,矽层暴于乾燥氧气下系于室压不低于常压的氧化室中实施。7.如申请专利范围第6项之方法,其中,矽层暴于乾燥氧气下系于室压高于约2大气压时实施。8.如申请专利范围第1项之方法,其中,选择矽层暴于乾燥氧气下的时间长短以实质上氧化整个矽层。9.如申请专利范围第8项之方法,其中,矽层厚度介于约5埃和约500奈米之间。10.如申请专利范围第1项之方法,其中,选择矽层暴于乾燥氧气下的时间长短以使矽层部分氧化。11.如申请专利范围第10项之方法,其中,矽层之未氧化的部分是至少约一个矽单层厚度。12.如申请专利范围第1项之方法,其中,另包含对经氧化的矽层进行热处理的最终步骤。13.如申请专利范围第1项之方法,其中,另包含使锗层在矽底质上生长的第一个步骤。14.如申请专利范围第13项之方法,其中,于原处沉积矽层,之后锗生长。15.如申请专利范围第13项之方法,其中,另包含在矽层沉积之前使锗层上的原有氧化物脱附的步骤。16.如申请专利范围第13项之方法,其中,锗层和矽层分别藉化学蒸镀法在超高真空室中沉积。17.如申请专利范围第1项之方法,其中,另包含在经氧化的矽层上生长导电性元素的方法。18.如申请专利范围第17项之方法,其中,形成导电性元素的步骤包含沉积金属层。19.一种用以在锗层上形成二氧化矽层的方法,其特征在于其步骤包含:在锗层上沉积矽层;及使矽层暴于温度足以实质上仅藉热能诱发矽层之氧化反应的水蒸气下。20.如申请专利范围第19项之方法,其中,矽层暴于水蒸气下系于室压不低于常压的氧化室中实施。图式简单说明:附图1A-1C所示者是根据本发明形成之二氧化矽膜之材料的截面图;附图2是根据本发明地沉积在锗层上的矽层之截面穿透电子显微照片;附图3是根据本发明之位于锗层上之经部分氧化的矽层之截面穿透电子显微照片;附图4A-4B是根据本发明制造之在p+矽底质上之金属-二氧化矽-矽-锗MOS构造之测得的界面密度与电压及电容与电压之间的关系图;而附图5A-5B是根据本发明制造之在n+矽底质上之金属-二氧化矽-矽-锗MOS构造之测得的界面密度与电压及电容与电压之间的关系图。 |
