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1.一种快闪记忆体(flash memory device)之制程,其步骤系包含:(a)在一已形成有装置隔离层(device separation film)之半导体基板上形成一氧化层,然后,图案化所述氧化层以暴露出所述半导体基板上欲制作浮置闸极(floating gate)之部分;(b)形成一穿隧氧化层(tunnel oxide film)及一第一复晶矽层(polysilicon layer)于所述结构之整个表面,然后,对所述第一复晶矽层进行平坦化制程(flatteningprocess)至裸露出所述穿隧氧化层,形成浮置闸极;(c)蚀刻所述穿隧氧化层及所述氧化层暴露出来的部分到一预定厚度,并于该结构之整个表面上形成一介电层(dielectric film);(d)于所述介电层上依序形成一第二复晶矽层、一矽化钨金属层及一硬式护罩(hard mask),并图案化以形成一控制闸极(control gate);以及(e)在所述半岛体基板上暴露出来的浮置闸极两端植入不纯物离子(impurity ions)以形成一接合区(junction region)。2.如申请专利范围第1项所述一种快闪记忆体之制程,其中所述氧化层系利用高温氧化法(high temperature oxidization;HTO)及高密度电浆(high-density plasma;HDP)氧化法其中之一所形成。3.如申请专利范围第1项所述一种快闪记忆体之制程,其中所述氧化层厚度系介于500埃至2000埃之间。4.如申请专利范围第1项所述一种快闪记忆体之制程,其中所述氧化层系利用在-30℃至0℃之间由氟(fluorine)及氧(O2)所混合之气体进行乾式蚀刻。5.如申请专利范围第1项所述一种快闪记忆体之制程,其中所述平坦化制程系为化学机械研磨法(ChemicalMechanical Polishing;CMP)及旋转式湿式蚀刻法(spin wetetching process)其中之一。6.如申请专利范围第1项所述一种快闪记忆体之制程,其中在所述平坦化制程后,系接着进行一回蚀刻步骤(etching back process)。7.如申请专利范围第1项所述一种快闪记忆体之制程,其中所述穿隧氧化层及所述氧化层暴露出来的部分系较所述浮置闸极多移除了约20%之厚度。图式简单说明:图一系为习知技艺中制作快闪记忆体装置方法之剖面示意图。图二A系为本发明中于所述半导体基板上形成一感光层的剖面示意图。图二B系为本发明中蚀刻移除所述暴露出来之氧化层的剖面示意图。图二C系为本发明中在整个基板表面形成一穿隧氧化层的剖面示意图。图二D系为本发明中在所述穿隧氧化层上形成一第一复晶矽层的剖面示意图。图二E系为本发明中对所述第一复晶矽层进行平坦化制程的剖面示意图。图二F系为本发明所述穿隧氧化层及所述氧化层上形成一介电层的剖面示意图。图二G系为本发明中在所述介电层上依序形成一第二复晶矽层、一矽化钨金属层及一硬式护罩的剖面示意图。 |
