| 主权项 |
1.一种准备半导体之方法,其包含:在光阻剂光罩之上部份及侧壁上形成聚合物层,在形成接触型单筒储存(OCS)孔(其形成半导体装置之接触孔)时,藉由使用包含CH2F2气体之蚀刻剂之电浆蚀刻制程蚀刻氧化物层;及蚀刻该氧化物层,同时停止CH2F2气体之供应。2.根据申请专利范围第1项之方法,其中CH2F2气体之流量为10至100sccm。3.根据申请专利范围第1项之方法,其中在形成制程中蚀刻抗反射层(ARL)时,下部份层之蚀刻深度为2000至6000。4.根据申请专利范围第1项之方法,其中氧化物之蚀刻深度为6000至10000。5.根据申请专利范围第1项之方法,其中氧化物之蚀刻时间为40至80秒。图式简单说明:图1a与1b为依照习知技艺之半导体装置之位线之横切面图;图2为依照本发明较佳具体实施例之半导体装置蚀刻制程后,具有接触孔之半导体装置之横切面图;图3为在依照本发明较佳具体实施例之第一蚀刻制程之前,成层半导体装置结构之横切面图;图4为在依照本发明较佳具体实施例之第一蚀刻制程之后,成层半导体装置结构之横切面图;图5a与5b为表现在依照习知技艺蚀刻之半导体装置发生条纹之形成之外形;图6a与6b为表现在显影后检视(ADI)状态中,在光阻剂光罩上部份及侧壁形成之聚合物层之外形,及图6c为表现本发明之较佳具体实施例中依照成层聚合物时间之定量聚合物之图表;图7为表现依照成层聚合物时间之氧化物蚀刻深度之图表;图8为表现依照本发明较佳具体实施例聚合物各化学物之电浆容忍度之图表;及图9a为表现半导体装置中条纹发生之外形,图9b为表现依照本发明较佳具体实施例蚀刻之半导体装置之外形。 |
