| 主权项 |
1.一种电子源之制造装置,其特征为具备:支撑导电体所形成之基板的支撑体,及具有气体之导入口及气体之排气口,且覆盖上述基板面之一部分领域的容器,及在连接于上述气体之导入口的上述容器内导入气体的气体导入手段,及将连接于上述气体之排气口之上述容器内加以排气的排气手段,及在上述导电体附加电压的电压施加手段。2.如申请专利范围第1项所述的电子源之制造装置,其中,上述支撑体系具备将上述基板固定于该支撑体上的手段。3.如申请专利范围第1项所述的电子源之制造装置,其中,上述支撑体系具备真空吸附上述基板与该支撑体上的手段。4.如申请专利范围第1项所述的电子源之制造装置,其中,上述支撑体系具备静电吸附上述基板与该支撑体的手段。5.如申请专利范围第1项至第4项任何一项所述的电子源之制造装置,其中,上述支撑体系具备导热构件。6.如申请专利范围第1项至第4项中任何一项所述的电子源之制造装置,其中,上述支撑体系具备上述基板之调节温度机构。7.如申请专利范围第1项至第4项中任何一项所述的电子源之制造装置,其中,上述支撑体系具备发热手段。8.如申请专利范围第1项至第4项中任何一项所述的电子源之制造装置,其中,上述支撑体系具备冷却手段。9.如申请专利范围第1项至第4项中任何一项所述的电子源之制造装置,其中,上述容器系具备扩散被导入于该容器内之气体的手段。10.如申请专利范围第1项至第4项中任何一项所述的电子源之制造装置,其中,又具备加热上述所导入之气体的手段。11.如申请专利范围第1项至第4项中任何一项所述的电子源之制造装置,其中,又具备除去上述所导入之气体中之水分的手段。12.一种电子源之制造方法,其特征为具有:将导电体与连接于该导电体之配线所形成之基板配置于支撑体上的制程,及除了上述配线之一部分以外,以容器覆盖上述基板上之导电体的制程,及将上述容器内成为所期望之环境的制程,及经上述一部分之配线将电压施加于上述导电体的制程。13.如申请专利范围第12项所述的电子源之制造方法,其中,将上述容器内成为所期望之环境的制程系包含排气该容器内的制程。14.如申请专利范围第12项或第13项所述的电子源之制造方法,其中,将上述容器内成为所期望之环境的制程系包含在该容器内导入气体的制程。15.如申请专利范围第12项或第13项所述的电子源之制造方法,其中,又具有将上述基板固定于上述支撑体上的制程。16.如申请专利范围第15项所述的电子源之制造方法,其中,将上述基板固定于上述支撑体上的制程,系包含真空吸附该基板与该支撑体的制程。17.如申请专利范围第15项所述的电子源之制造方法,其中,将上述基板固定于上述支撑体上的制程,系包含静电吸附该基板与该支撑体的制程。18.如申请专利范围第12项或第13项所述的电子源之制造方法,其中,将上述基板配置于上述支撑体上的制程,系将导热构件配置于该基板与该支撑体之间所进行。19.如申请专利范围第12项或第13项所述的电子源之制造方法,其中,将电压施加于上述导电体的制程,系包含进行调节上述基板之温度的制程。20.如申请专利范围第12项或第13项所述的电子源之制造方法,其中,将电压施加于上述导电体的制程,系包含加热上述基板的制程。21.如申请专利范围第12项或第13项所述的电子源之制造方法,其中,将电压施加于上述导电体的制程,系包含冷却上述基板的制程。22.一种电子源之制造方法,其特征为具有:具备一对电极与配置于该一对电极间之导电性膜的复数元件,及将形成有连接复数元件之配线的基板配置于支撑体上的制程,及除了上述配线之一部分以外,以容器覆盖上述基板上之复数元件的制程,及将上述容器内成为所期望之环境的制程,及经上述一部分之配线将电压施加于上述复数元性的制程。23.一种电子源之制造方法,其特征为具有:具备一对电极与配置于该一对电极间之导电性膜的复数元件,及将形成有矩阵配线该复数元件之复数X方向配线及复数Y方向配线的基板配置于支撑体上的制程,及除了上述复数X方向配线及上述复数Y方向配线之一部分以外,以容器覆盖上述基板上之复数元件的制程,及将上述容器成为所期望之环境的制程,及经上述一部分之X方向配线及Y方向配线将电压施加于上述复数元件的制程。24.如申请专利范围第22项或第23项所述的电子源之制造方法,其中,将上述容器内成为所期望之环境的制程系包含排气该容器内的制程。25.如申请专利范围第22项或第23项所述的电子源之制造方法,其中,将上述容器内成为所期望之环境的制程系包含在该容器内导入气体的制程。26.如申请专利范围第22项或第23项所述的电子源之制造方法,其中,又具有将上述基板固定于上述支撑体上的制程。27.如申请专利范围第26项所述的电子源之制造方法,其中,将上述基板固定于上述支撑体上的制程,系包含真空吸附该基板与该支撑体的制程。28.如申请专利范围第26项所述的电子源之制造方法,其中,将上述基板固定于上述支撑体上的制程,系包含静电吸附该基板与该支撑体的制程。29.如申请专利范围第22项或第23项所述的电子源之制造方法,其中,将上述基板配置于上述支撑体上的制程,系将导热构件配置于该基板与该支撑体之间所进行。30.如申请专利范围第22项或第23项所述的电子源之制造方法,其中,将电压施加于上述元件的制程,系包含进行调节上述基板之温度的制程。31.如申请专利范围第22项或第23项所述的电子源之制造方法,其中,将电压施加于上述元件的制程,系包含加热上述基板的制程。32.如申请专利范围第22项或第23项所述的电子源之制造方法,其中,将电压施加于上述元件的制程,系包含冷却上述基板的制程。33.一种电子源之制造方法,其特征为具有:具备一对电极与配置于该一对电极间之导电性膜的复数元件,及将形成有连接该复数元件之配线的基板配置于支撑体上的制程,及除了上述配置之一部分以外,以容器覆盖上述基板上之复数元件的制程,及将上述容器内成为第一环境的制程,及经上述一部分之配线在上述第一环境下将电压施加于上述复数元件的制程,及将上述容器内成为第二环境的制程,及经上述一部分之配线在上述第二环境下将电压施加于上述复数元件的制程。34.一种电子源之制造方法,其特征为具有:具备一对电极与配置于该一对电极间之导电性膜的复数元件,及将形成有矩阵配线该复数元件之复数X方向配线及复数Y方向配线的基板配置于支撑体上的制程,及除了上述复数X方向配线及上述复数Y方向配线之一部分以外,以容器覆盖上述基板上之复数元件的制程,及将上述容器成为第一环境的制程,及经上述一部分之X方向配线及Y方向配线在上述第一环境下将电压施加于上述复数元件的制程,及将上述容器成为第二环境的制程,及经上述一部分之X方向配线及Y方向配线在上述第二环境下将电压施加于上述复数元件的制程。35.如申请专利范围第33项或第34项所述的电子源之制造方法,其中,将上述容器内成为第一环境的制程系包含排气该容器内的制程。36.如申请专利范围第33项或第34项所述的电子源之制造方法,其中,将上述容器内成为第二环境的制程系包含将包含碳化合物之气体导入在该容器内的制程。37.如申请专利范围第33项或第34项所述的电子源之制造方法,其中,又具有将上述基板固定于上述支撑体上的制程。38.如申请专利范围第37项所述的电子源之制造方法,其中,将上述基板固定于上述支撑体上的制程,系包含静电吸附该基板与该支撑体的制程。39.如申请专利范围第37项所述的电子源之制造方法,其中,将上述基板固定于上述支撑体上的制程,系包含真空吸附该基板与该支撑体的制程。40.如申请专利范围第33项或第34项所述的电子源之制造方法,其中,将上述基板配置于上述支撑体上的制程,系将导热构件配置于该基板与该支撑体之间所进行。41.如申请专利范围第33项或第34项所述的电子源之制造方法,其中,将电压施加于上述元件的制程,系包含进行调节上述基板之温度的制程。42.如申请专利范围第33项或第34项所述的电子源之制造方法,其中,将电压施加于上述元件的制程,系包含加热上述基板的制程。43.如申请专利范围第33项或第34项所述的电子源之制造方法,其中,将电压施加于上述元件的制程,系包含冷却上述基板的制程。图式简单说明:第1图系表示本发明的电子源之制造装置之构成的剖面图。第2图系表示局部切剖第1图及第3图之电子源基板之周边部分的斜视图。第3图系表示本发明的电子源之制造装置之构成之其他形态的剖面图。第4图系表示具有本发明的电子源之制造装置之副真空容器之构成的剖面图。第5图系表示具有本发明的电子源之制造装置之副真容器之构成之其他形态的剖面图。第6图系表示具有本发明的电子源之制造装置之副真空容器之构成之另一形态的剖面图。第7图系表示本发明的电子源之制造装置之构成之其地形态的剖面图。第8图系表示第7图之电子源基板之周边部分的斜视图。第9图系表示本发明的电子源之制造装置之其他例的剖面图。第10A图及第10B图系表示第9图之第一容器与扩散板之形状的模式图。第11图系表示用以实行使用本发明的电子源基板之成形与活性化制程之真空排气装置的模式图。第12图系表示本发明之本发明之制造装置之其他例子的剖面图。第13图系表示本发明之本发明之制造装置之其他例子的斜视图。第14图系表示本发明之本发明之制造装置之其他例子的剖面图。第15图系表示本发明的电子源之制造装置所使用之导热构件之形状的斜视图。第16图系表示本发明的电子源之制造装置所使用之导热构件之形状其他形态的斜视图。第17图系表示使用本发明的电子源之制造装置所使用之橡胶材料之球状物质之导热构件之形态的剖面图。第18图系表示使用本发明的电子源之制造装置所使用之橡胶材料之球状物质之导热构件之另一形态的剖面图。第19图系表示本发明的电子源之制造装置所使用之扩散板之形状的剖面图。第20图系表示本发明的电子源之制造装置所使用之扩散板之形状的平面图。第21图系表示局部切割画像形成装置之构成的斜视图。第22图系表示本发明之电子放出元件之构成的平面图。第23图系表示本发明之电子放出元件之构成的第22图之第B-B′剖面图。第24图系表示本发明之电子源的平面图。第25图系表示用以说明本发明的电子源之制作方法的平面图。 |
