发明名称 半导体处理用工作台装置及电浆处理装置
摘要 本发明之电浆蚀刻处理装置,包含一气密式处理室内所配设之载置台。载置台具有用以载置晶圆之主载置面,以及用以载置聚焦圈之副载置面。载置台里面配设有冷却机构可对主载置面及副载置面赋予冷热度。副载置面与聚焦圈之间介装有由导电性矽橡胶所形成之热传导媒体。聚焦圈藉由按压机构往副载置面按压。热传导媒体,比未设热传导媒体之情况,更提高副载置面与聚焦圈之间的热传导性。
申请公布号 TW489359 申请公布日期 2002.06.01
申请号 TW090109818 申请日期 2001.04.24
申请人 东京威力科创股份有限公司 发明人 永岩利文;关泽秀荣;今福光佑;大薮 淳
分类号 H01L21/00 主分类号 H01L21/00
代理机构 代理人 恽轶群 台北巿南京东路三段二四八号七楼;陈文郎 台北巿南京东路三段二四八号七楼
主权项 1.一种半导体处理用载置台装置,其包含:载置台,其系具有支撑被处理基板用之主载置面,及配设于前述主载置面周围之副载置面;冷却机构,其系配设于前述载置台里面,用以对前述主载置面及副载置面赋予冷热度;聚焦圈,其系载置于前述副载置面上,使其包围前述主载置面上的前述被处理基板;及热传导媒体,其系介于前述副载置面与前述聚焦圈之间,且系配设成使前述副载置面与前述聚焦圈之间的热传导性比没有热传导媒体时更高者。2.根据申请专利范围第1项之装置,其中前述热传导媒体,实质上系由金属、陶瓷、碳衍生材料、耐热性弹性构件所构成之群中所选出之固体材料形成。3.根据申请专利范围第2项之装置,其中前述热传导媒体,实质上系由前述耐热性弹性构件形成,而前述耐热性弹性构件系由导电性矽橡胶、导电性氟橡胶所构成之群中所选出者。4.根据申请专利范围第2项之装置,其中前述热传导媒体系利用热传导性接着剂接着于前述副载置面。5.根据申请专利范围第1项之装置,其中前述热传导媒体系由热传导媒体气体所形成,且前述装置更具备形成于前述载置台内之气体通路,用以供应前述热媒气体于前述副载置面与前述聚焦圈之间。6.根据申请专利范围第5项之装置,其中前述热传导媒体,实质上系由惰性气体,或由包含供应于前述载置台周围之处理气体组成成分之一部份的气体形成。7.根据申请专利范围第1项之装置,其中前述聚焦圈实质上系由导电性材料所形成,而前述热传导媒体实质上系由导电性材料所形成。8.根据申请专利范围第1项之装置,更具有对前述副载置面按压前述聚焦圈之按压机构。9.根据申请专利范围第8项之装置,其中前述按压机构具备一夹架,该夹架具有从上方接触前述聚焦圈之接触部位,以及由前述接触部位沿前述载置台侧部往下延伸之延设部位。10.根据申请专利范围第9项之装置,其中前述夹架系利用固定构件固定于前述载置台。11.根据申请专利范围第9项之装置,其中前述夹架实质上系由氧化铝陶瓷、无铝陶瓷、工程塑料所构成之群中所选出之材料形成。12.根据申请专利范围第9项之装置,更具有被覆前述夹架,且实质上由耐热性合成树脂形成之外侧盖。13.根据申请专利范围第1项之装置,更具有一静电夹具,配设于前述主载置面上,系用以固定前述被处理基板者;一气体通路,形成于前述载置台内,系用以将热媒气体供应于前述静电夹具与前述被处理基板之间者。14.一种半导体处理用电浆处理装置,其包含:一气密处理室;一供给系统,用以供应处理气体于前述处理室;一排气系统,用以将前述处理室真空排气;一激励机构,用以激励前述处理气体使之电浆化;一载置台,配设于前述处理室之内,且具有支撑被处理基板用之主载置面,及配设于前述主载置面周围之副载置面;一冷却机构,配设于前述载置台里面,用以对前述主载置面及副载置面赋予冷热度;一聚焦圈,载置于前述副载置面上,使其包围前述主载置面上的前述被处理基板;一热传导媒体,其系介于前述副载置面与前述聚焦圈之间,且系配设成使前述副载置面与前述聚焦圈之间的热传导性比没有热传导媒体时更高者。15.根据申请专利范围第14项之装置,其中前述热传导媒体,实质上系由金属、陶瓷、碳衍生材料、耐热性弹性构件所构成之群中所选出之固体材料形成。16.根据申请专利范围第15项之装置,其中前述聚焦圈系由导电性材料所形成,而前述热传导媒体系由导电性材料所形成。17.根据申请专利范围第14项之装置,其中前述热传导媒体系由热传导媒体气体所形成,且前述装置更具备形成于前述载置台内之气体通路,用以供应前述热媒气体于前述副载置面与前述聚焦圈之间。18.根据申请专利范围第14项之装置,其更具有对前述副载置面按压前述聚焦圈之按压机构。19.根据申请专利范围第18项之装置,其中前述按压机构具备一夹架,该夹架具有从上方接触前述聚焦圈之接触部位,以及由前述接触部位沿前述载置台侧部往下延伸之延设部位。20.根据申请专利范围第14项之装置,其更具有一静电夹具,配设于前述主载置面上,系用以固定前述被处理基板者;一气体通路,形成于前述载置台内,系用以将热媒气体供应于前述静电夹具与前述被处理基板之间者。图式简单说明:第1图系构成图,表示与本发明实施形态有关的电浆蚀刻处理装置,该装置系一种电浆处理装置。第2图系扩大截面图,概略地表示第1图图示装置上包含载置台等在内的载置台构造的一部分。第3图系扩大截面图,表示第2图图示载置台构造中聚焦圈的周围部分。第4图系图形,表示实验所得蚀刻时聚焦圈的表面温度。第5A图、B、C系概略图,表示实验所得晶圆上面孔的截面。第6图系扩大截面图,表示聚焦圈的周围部分,该聚焦圈示出可用于第1图图示电浆蚀刻处理装置的,关于本发明其他实施形态的载置台构造。第7图系扩大截面图,表示聚焦圈的周围部分,该聚焦圈示出可用于第1图图示电浆蚀刻处理装置的,关于本发明另一其他实施形态的载置台构造。第8图系扩大截面图,表示聚焦圈的周围部分,该聚焦圈示出可用于第1图图示电浆蚀刻处理装置的,关于本发明再另一其他实施形态的载置台构造。第9图系扩大截面图,概略地表示习知载置台构造的一部分。
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