传送资料至非依电性储存媒体之技术

摘要

为了改进转变为零电压暂停状态，系统主文由依电性随机存取记忆体被储存至非依电性记忆体(例如为硬碟)，所使用的为压缩法则，其藉由辨识真有单一值之位元组的资料来加速至非依电性记忆体之资料传送。在RAM之扩充记忆体内的系统主文含有数个系统主文记忆体块，而在这些记忆体块间为记忆体孔，含有不需储存之资讯。起先，在RAM之缓冲器区的资料整体直接被储存于磁碟。然后，由每一系统主文记忆体块来之连续页被传送至缓冲器，此处该页之大小对应于记忆体管理单元页之大小。在测试中定出异质性整体之区域的位置时，则一异质性资料旗标、该异质性区之长度与该异质性资料区被传送至该缓冲器。当测试决定一页含有单一值之位元组时，则代表此值之压缩旗标就此页被取代。当一记忆体孔被到达时，一记忆体孔旗标与该记忆体孔之大小被传送至该记忆体。对于每一资料位元组之传送至该缓冲器，其被决定该缓冲器是否为满的，且在其为满的时，则一写至磁碟被执行。为了由该零电压暂时状态转变回到作业状态，则在每当目前于该缓冲器内之所有位元组已被传送至扩充记忆体时，位元组由该硬碟被传送至该缓冲器。当缓冲器整体之测试定出一异质性资料旗标之位置时，紧随于该旗标后之值被决定，且具有以此值 长度之资料区被传送至扩充记忆体。当一压缩旗标被找到时，对应于位元组值之一个4千位元组的页被传送至扩充记忆体。当一记忆体孔旗标被找到时，一个具有紧随于该记忆体孔旗标后之值为长度的记忆体孔在扩充记忆体内被创立。

主权项

1.一种资料传送方法,用于传送位于,具有在第一电脑记忆体内之记忆体块开始位址之一记忆体块之内含的资料,至一非依电性储存器,包含之步骤为:检查记忆体块之第一页;若该记忆体块之第一页独一地含有一第一位元组値时,设定一旗标为一第一同质性页値;若该记忆体块之第一页含有多重値之位元组时,设定该旗标为一异质性页値;若该旗标具有该第一同质性页値时,传送该旗标至该第一电脑记忆体内之缓冲器区中的一缓冲器位址,并执行该缓冲器位址之增量;若该旗标具有该异质性页値时,传送该第一页之至少内含至该缓冲器区之缓冲器位址,并在传送之际执行该缓冲器位址之一序列增量;以及在该缓冲器位址之每一次增量后评估该缓冲器位址,且若该缓冲器位址大于或等于一缓冲器结束位址时,传送该缓冲器之内含至该非依电性储存器,并设定该缓冲器位址等于一起始缓冲器位址。2.如申请专利范围第1项所述之方法,进一步包括之步骤为:若该记忆体块之第一页独一地含有一第二位元组値时,将该旗标设定为一第二同质性页値;以及,若该旗标具有该第二同质性页値时,传送该旗标至该第一电脑记忆体内之该缓冲器区中的缓冲器位址,并执行该缓冲器位址之增量。3.如申请专利范围第2项所述之方法,其中该第一位元组値为0且该第二位元组为0xFF。4.如申请专利范围第2项所述之方法,进一步包括之步骤为:若该记忆体块之该第一页独一地含有一第三位元组値时,将该旗标设定为一第三同质性页値;以及若该旗标具有该第三同质性页値时,传送该旗标至该第一电脑记忆体内之该缓冲器区中的缓冲器位址,并执行该缓冲器位址之增量。5.如申请专利范围第4项所述之方法,其中该第三同质性页値等于一常数与该第三位元组値之连结。6.如申请专利范围第1项所述之方法,进一步包括之步骤为:若该旗标具有异质性页値时传送该旗标至该缓冲器。7.如申请专利范围第1项所述之方法,进一步包括之步骤为:若该旗标具有异质性页値时,决定含有多重値之位元组的页数目;以及若该旗标具有异质性页値时,传送该数目至该第一电脑记忆体内之该缓冲器区中的缓冲器位址,并执行该缓冲器位址之增量。8.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该第一电脑记忆体内之记忆体块随后有一记忆体孔具有一记忆体孔长度,进一步包括之步骤为:传送一记忆体孔旗标至该第一电脑记忆体内之该缓冲器区中的缓冲器位址,并执行该缓冲器位址之增量;以及传送该记忆体孔长度至该第一电脑记忆体内之该缓冲器区中的缓冲器位址,并执行该缓冲器位址之增量。9.如申请专利范围第1项所述之方法,其中若该旗标具有异质性页値时,含有多重値位元组的每一页之内含被压缩并被传送至在该缓冲器区中之缓冲器位址。10.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该第一记忆体为一依电性记忆体,该资料为系统主文资料,且该资料之传送被进行,以转变至一零电压暂停状态。11.如申请专利范围第1项所述之方法,进一步包括之步骤为:在该缓冲器区储存任何资料之前清除该第一电脑记忆体内之缓冲器区。12.如申请专利范围第1项所述之方法,其中清除缓冲器区之该步骤包括在该非依电性储存器中储存该缓冲器区之内含。13.如申请专利范围第1项所之方法,其中该整数等于1或2。14.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该第一页具有之长度等于一记忆体管理页之大小乘以大于等于1之整数。15.如申请专利范围第14项所述之方法,其中该资料页具有4千位元组之长度。16.一种公用器件,用于传送位于一第一电脑记忆体之记忆体块的资料至一非依电性储存器,该记忆体块具有一起始位址与一第一页,该公用器件包含:一装置,用于在若该记忆体块之第一页独一地含有一第一位元组値时,设定一旗标为一第一同质性页値,或在若该记忆体块之第一页含有多重値之位元组时,设定该旗标为一异质性页値;一装置,用于在若该旗标具有该第一同质性页値时,传送该旗标至该第一电脑记忆体内之缓冲器区中的一缓冲器位址,并执行该缓冲器位址之增量,或在若该旗标具有该异质性页値时,传送该第一页之至少内含至该缓冲器区之缓冲器位址,并在传送之际执行该缓冲器位址之一序列增量;以及一装置,用于在该缓冲器位址之每一次增量后评估该缓冲器位址,且若该缓冲器位址大于或等于一缓冲器结束位址时,传送该缓冲器之内含至该非依电性储存器,并设定该缓冲器位址等于一起始缓冲器位址。17.如申请专利范围第16项所述之公用器件,其中该设定装置包括若该记忆体块之第一页独一地含有一第二位元组値时,将该旗标设定为一第二同质性页値;以及该传送设定包括若该旗标具有该第二同质性页値时,传送该旗标至该第一电脑记忆体内之该缓冲器区中的缓冲器位址,并执行该缓冲器位址的增量。18.如申请专利范围第17项所述之公用器件,其中该设定装置进一步包括若该记忆体块之该第一页独一地含有一第三位元组値时,将该旗标设定为一第三同质性页値;以及该传送设定包括若该旗标具有该第三同质性页値时,传送该旗标至该第一电脑记忆体内之该缓冲器区中的缓冲器位址,并执行该缓冲器位址之增量。19.如申请专利范围第16项所述之公用器件,其中该传送装置包括若该旗标具有该异质性页値时传送该旗标至该旗标。20.如申请专利范围第16项所述之公用器件,其中该公用器件包括装置用于在若旗标具有异质性页値时,决定含有多重値之位元组的页数目;以及该传送装置包括若该旗标具有异质性页値时,传送该数目至该第一电脑记忆体内之该缓冲器区中的缓冲器位址,并执行该缓冲器位址之增量。21.如申请专利范围第16项所述之公用器件,其中该记忆体块随后有一记忆体具有一记忆体孔长度;该设定装置包括设定该旗标为一记忆体孔値;以及该传送装置包括传送该记忆体孔长度至该第一电脑记忆体内之该缓冲器区中的缓冲器位址,并执行该缓冲器位址之增量。22.如申请专利范围第16项所述之公用器件,其中若该旗标具有异质性页値时,该传送装置包括压缩并传送含有多重値元位组之每一页的内含至在该缓冲器区中之缓冲器位址。23.如申请专利范围第16项所述之公用器件,其中该第一记忆体为一依电性记忆体,该资料为系统主文资料,且该资料之传送被进行,以转变至一零电压暂停状态。24.如申请专利范围第16项所述之公用器件,其中该记忆体块中之缓冲器区藉由储存在该非依电性储存器中之缓冲器区的内含而在缓冲器区储存任何资料之前被清除。25.如申请专利范围第16项所述之公用器件,其中该整数等于1或2。26.如申请专利范围第16项所述之公用器件,其中该第一页具有之长度等于一记忆体管理页之大小乘以大于等于1之整数。27.一种电脑系统,具有一作业系统与(或)BIOS,该作业系统具有预先定义的装置,包括具有一起始位址之一记忆体块与在一第一记忆体内之一第一页以及一非依电性储存器,该系统包含一装置,用于传送位于该记忆体块之资料至一非依电性储存器,该装置被构建来:在用于在若该记忆体块之第一页独一地含有一第一位元组値时,设定一旗标为一第一同质性页値,或在若该记忆体块之第一页含有多重値之位元组时,设定该旗标为一异质性页値;在若该旗标具有该第一同质性页値时,传送该旗标至该第一电脑记忆体内之缓冲器区中的一缓冲器位址,并执行该缓冲器位址之增量,或在若该旗标具有该异质性页値时,传送该第一页之至少内含至该缓冲器区之缓冲器位址,并在传送之际执行该缓冲器位址之一序列增量;以及在该缓冲器位址之每一次增量后评估该缓冲器位址,且若该缓冲器位址大于或等于一缓冲器结束位址时,传送该缓冲器之内含至该非依电性储存器,并设定该缓冲器位址等于一起始缓冲器位址。28.如申请专利范围第27项所述之系统,其中该装置进一步被构建来在若该记忆体块之该第一页独一地含有一第二位元组値时,将该旗标设定为一第二同质性页値,或在若该记忆体块之该第一页独一地含有第三位元组値时,将该旗标设定为一第三同质性页値,并在若该旗标具有该第二同质性页値或该第三同质性页値时,传送该旗标至该第一电脑记忆体内之该缓冲器区中的缓冲器位址,并执行该缓冲器位址之增量。29.如申请专利范围第27项所述之系统,其中该装置被构建来若该旗标具有异质性页値时,决定含有多重値之位元组的页数目;以及若该旗标具有异质性页値时,传送该数目至该第一电脑记忆体内之该缓冲器区中的缓冲器位址,并执行该缓冲器位址之增量。30.如申请专利范围第27项所述之系统,其中该记忆体块随后有一记忆体孔具有上记忆体孔长度,且该装置进一步被构建来设定该旗标为一记忆体孔値,以及传送该记忆体孔长度至该第一电脑记忆体内之该缓冲器区中的缓冲器位址,并执行该缓冲器位址之增量。31.如申请专利范围第27项所述之系统,其中该装置被构建来在若该旗标具有异质性页値时,压缩并传送含有多重値位元组之每一页的内含至在该缓冲器区中之缓冲器位址。32.一种电脑可读取之储存装置,具有一公用器件,用于传送位于一第一电脑记忆体之记忆体块的资料至一非依电性储存器,该记忆体块具有一起始位址与一第一页,该公用器件包含:一装置,用于在若该记忆体块之第一页独一地含有一第一位元组値时,设定一旗标为一第一同质性页値,或在若该记忆体块之第一页含有多重値之位元组时,设定该旗标为一异质性页値;一装置,用于在若该旗标具有该第一同质性页値时,传送该旗标至该第一电脑记忆体内之缓冲器区中的一缓冲器位址,并执行该缓冲器位址之增量,或在若该旗标具有该异质性页値时,传送该第一页之至少内含至该缓冲器区之缓冲器位址,并在传送之际执行该缓冲器位址之一序列增量;以及一装置,用于在该缓冲器位址之每一次增量后评估该缓冲器位址,且若该缓冲器位址大于或等于一缓冲器结束位址时,传送该缓冲器之内含至该非依电性储存器,并设定该缓冲器位址等于一起始缓冲器位址。33.如申请专利范围第32项所述之储存装置,其中该设定装置包括在若该记忆体块之该第一页独一地含有一第二位元组値时,将该旗标设定为一第二同质性页値,或在若该记忆体块之该第一页独一地含有第三位元组値时,将该旗标设定为一第三同质性页値;以及该传送装置包括在若该旗标具有该第二同质性页値或该第三同质性页値时,传送该旗标至该第一电脑记忆体内之该缓冲器区中的缓冲器位址,并执行该缓冲器位址之增量。34.如申请专利范围第32项所述之储存装置,其中该公用程式进一步包括装置用于在若该旗标具有异质性页値时,决定含有多重値之位元组的页数目;以及该传送装置包括若该旗标具有异质性页値时,传送该数目至该第一电脑记忆体内之该缓冲器区中的缓冲器位址,并执行该缓冲器位址之增量。35.如申请专利范围第32项所述之储存装置,其中:该记忆体块随后有一记忆体孔具有一记忆体孔长度;该设定装置包括设定该旗标为一记忆体孔値;以及该传送装置包括传送该记忆体孔长度至该第一电脑记忆体内之该缓冲器区中的缓冲器位址,并执行该缓冲器位址之增量。36.如申请专利范围第32项所述之储存装置,其中若该旗标具有异质性页値时,该传送装置包括压缩并传送含有多重値元位组之每一页的内含至在该缓冲器区中之缓冲器位址。37.如申请专利范围第32项所述之储存装置,其中该电脑可读取之储存媒体为一记忆体装置,一个具有整合记忆体之微处理器,一固定或硬式磁碟、一光碟或一磁碟片。图式简单说明:第1A图为RAM记忆体各段之示意图;第1B图揭示扩充记忆体之段的释例;第2图显示就零电压暂停状态储存RAM中之资料至一磁碟的过程流程图;第3图显示pmS2DSaveBlock函数之流程图,其测试各页以决定其为单一値或异质性的系统主文资料,且在连续的单一値之页或连续异质性页被定出时,其经由pmS2Dcompress被传送至缓冲器;第4图显示WriteToDestination8之流程图,此函数为写出8个位元至缓冲器,且在若该缓冲器为满时将该缓冲器之内含经由WriteToDisk函数传送至磁碟;第5图显示WriteToDestination32之流程图,此函数为写出32个位元至缓冲器;第6图显示WriteToDisk之流程图,此函数由缓冲器传送资料至硬碟;第7图显示pmS2DCompress之流程图,此函数在一旦资料形式被定出后传送被压缩后之资料至缓冲器;第8图显示pmS2DCheck4KB之流程图,此函数为决定一页是否具有一値之位元组;第9图显示恢复资料至RAM之过程流程图,其在零电压暂停过程之际被储至硬碟;第10图显示pmS2DRestoreBlock之流程图,此函数为将在零电压暂停过程被压缩之页解压缩并将之写至扩充记忆体;第11图显示ReadFromDestination8之流程图,此函数为将一位元组之资料由硬碟传送至缓冲器;第12图显示ReadFromDestination32之流程图,此函数为将四位元组之资料由硬碟传送至缓冲器;以及第13图显示FillBuffer之流程图,此函数为以储存在硬碟之资料将该缓冲器填入。