| 主权项 |
1.一种形成一双镶嵌结构的方法,包括:提供一底材;形成具一低介电系数的一介电层于该底材上,该介电层系包含暴露出该底材的一介层洞开口;使用一间隙填充物填满该介层洞开口,该间隙填充物和该介电层的蚀刻选择比系至少大于1;以一微影程序形成对准于该介层洞开口的一导电线开口在该介电层内;以及移除在该介层洞开口内的该间隙填充物。2.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之介电层的该介电系数系低于2.7。3.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之介电层系以化学气相沉积法形成。4.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之介电层系以旋转涂布法形成。5.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之介层洞开口系以一微影程序形成。6.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之间隙填充物系为一聚合物。7.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之间隙填充物系以旋转涂布法形成填满该介层洞开口。8.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之导电线开口系位于该介层洞开口上方。9.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之移除在该介层洞开口内的该间隙填充物的步骤系以一溶剂清除。10.如申请专利范围第9项之方法,其中上述之溶剂系包含一含氟基溶剂。11.一种形成一双镶嵌结构的方法,包括:提供一底材;形成具一低介电系数的一介电层于该底材上,该介电系数系低于2.7且该介电层系包含暴露出该底材的一介层洞开口;使用一间隙填充聚合物填满该介层洞开口,该间隙填充聚合物和该介电层的蚀刻选择比系至少大于1;以一微影程序形成对准于该介层洞开口的一导电线开口在该介电层内,该导电线开口系位于该介层洞开口上方;以及使用一溶剂移除在该介层洞开口内的该间隙填充聚合物。12.如申请专利范围第11项之方法,其中上述之介电层系以化学气相沉积法形成。13.如申请专利范围第11项之方法,其中上述之介电层系以旋转涂布法形成。14.如申请专利范围第11项之方法,其中上述之介层洞开口系以一微影程序形成。15.如申请专利范围第11项之方法,其中上述之间隙填充物系以旋转涂布法形成填满该介层洞开口。16.如申请专利范围第11项之方法,其中上述之溶剂系包含一含氟基溶剂。图式简单说明:第一A图系依据习知技术所揭露之方法在底材上形成第一介电层,停止层,第二介电层,第一硬遮罩层,以及第二硬遮罩层的剖面示意图。第一B图系为在第一A图之结构上形成一停止在停止层的开口的剖面示意图。第一C图系为在第一B图之结构上形成双镶嵌结构的剖面示意图。第二A图系依据本发明所揭露之方法在底材上形成具一介层洞开口的介电层的剖面示意图。第二B图系为在第二A图之结构上填满介层洞开口的剖面示意图。第二C图系为在第二B图之结构上形成双镶嵌结构的剖面示意图。第二D图系为在第二C图之结构上移除间隙填充物的剖面示意图。 |
