发明名称 不断电线上拔插装置
摘要 本创作系有关于一种不断电线上拔插装置,藉由可侦测模组拔插状态的开关送出控制讯号,使得模组在做拔取或是插上动作时,其操作电流可以受到不断电线上拔插装置之影响。此不断电线上拔插装置包含:一个开关设置,可以侦测模组之插入及拔出状态,并送出相对应的控制讯号;一个控制电路,可以依据前述控制讯号,调整模组在插入及拔出时之电路所需之动作;一个第一电路部份,可以在插入模组之时,受到控制电路之控制,延迟输入电压之上升时间;一个第二电路部份,可以在拔出模组时,受到控制电路之控制,提供急速放电之路径,藉此达到保护模组及电源供应器之效果。
申请公布号 TW490046 申请公布日期 2002.06.01
申请号 TW088200269 申请日期 1999.01.08
申请人 优冠电脑股份有限公司 发明人 李心贤
分类号 G06F1/28 主分类号 G06F1/28
代理机构 代理人 樊贞松 台北巿仁爱路四段三七六号十三楼之一;王云平 台北巿仁爱路四段三七六号十三楼之一
主权项 1.一种不断电线上拔插装置,可保护电子模组在线上拔插时之安全,包含:一个侦测设置,可以侦测所述模组之插入及拔出状态,并送出相对应的控制讯号;一个控制电路,可以依据前述控制讯号,调整所述模组在插入及拔出时之电路所需之动作;一个第一电路部份,可以在插入所述模组之时,受到所述控制电路之控制,延迟输入电压之上升时间;一个第二电路部份,可以在拔出所述模组时,受到所述控制电路之控制,提供急速放电之路径。2.如申请专利范围第1项之不断电线上拔插装置,其中尚可包含一振荡器及一倍压电路,以提供所需之时脉讯号及电压。3.如申请专利范围第1项之不断电线上拔插装置,其中所述侦测装置为接在所述模组最长及最短端子上之开关电路,藉由端子与对应端子之适路及断路状态,送出所述控制讯号。4.如申请专利范围第1项之不断电线上拔插装置,其中所述第一电路部份包含一个由积分器及比较器构成之延迟电路,及由另一个积分器与功率金氧半电晶体所构成的上升斜坡电路。5.如申请专利范围第1或4项之不断电线上拔插装置,其中所述第二电路部份包含一闸极放电电路及一源极放电电路,可以在模组拔出时,对所述功率金氧半电晶体接面电容提供放电途径。6.如申请专利范围第5项之不断电线上拔插装置,其中所述闸极放电电路为连接在所述功率金氧半电晶体闸极及所述控制电路之间的二极体。7.如申请专利范围第5项之不断电线上拔插装置,其中所述源极放电电路为连接在所述功率金氧半电晶体源极及所述控制电路之间的矽控闸流体。8.一种不断电线上拔插装置,包含:一个开关设置,可以侦测模组之插入及拔出状态,并送出相对应的控制讯号;一个控制电路,可以依据前述控制讯号,调整模组在插入及拔出时之电路所需之动作,此控制电路包含两个串接的PNP,NPN电晶体,所述开关控制讯号接于NPN电晶体基极,NPN电晶体集极接于PNP电晶体基极,NPN电晶体射极接地,PNP电晶体射极接于电源;一个第一电路部份,可以在插入模组之时,受到控制电路之控制,延迟输入电压之上升时间;此第一电路包含一个延迟电路,及一个上升斜坡电路,延迟电路由一第一积分器及一比较器组成,且第一积分器之负电压输入端接于所述PNP电晶体集极,第一积分器输出接于比较器之正电压输入端;上升斜坡电路由一第二积分器及功率金氧半电晶体组成,且所述比较器输出经由一反相器接于第二积分器之负电压输入端,第二积分器之输出接到功率金氧半电晶体之闸极;一个第二电路部份,可以在拔出模组时,受到控制电路之控制,提供急速放电之路径;包含一个闸极放电电路及一源极放电电路。9.如申请专利范围第8项之不断电线上拔插装置,其中所述闸极放电电路为接于所述功率金氧半电晶体闸极及所述NPN电晶体集极之二极体。10.如申请专利范围第8项之不断电线上拔插装置,其中所述源极放电电路为接于所述功率金氧半电晶体源极及所述NPN电晶体集极之二极体。11.如申请专利范围第8项之不断电线上拔插装置,其中所述源极放电电路为接于所述功率金氧半电晶体源极及所述NPN电晶体集极之矽控闸流体。12.如申请专利范围第8项之不断电线上拔插装置,其中所述源极放电电路为接于所述功率金氧半电晶体源极及所述NPN电晶体集极之一个PNP电晶体,其射极接于功率金氧半电晶体源极,基极接于NPN电晶体集极。13.如申请专利范围第8项之不断电线上拔插装置,其中所述源极放电电路为接于所述功率金氧半电晶体源极及所述NPN电晶体集极之一个P通道金氧半电晶体,且其闸极接于功率金氧半电晶体源极,源极接于NPN电晶体集极。14.如申请专利范围第8项之不断电线上拔插装置,其中所述源极放电电路为接于所述功率金氧半电晶体源极及所述NPN电晶体集极之第一及第二NPN电晶体,第一NPN电晶体之基极接于所述NPN电晶体集极,第二NPN电晶体之集极接于功率金氧半电晶体源极,第一NPN电晶体之集极接于第二NPN电晶体之基极。15.如申请专利范围第14项之不断电线上拔插装置,其中所述第二电晶体可以用一个P通道金氧半电晶体取代。16.如申请专利范围第8项之不断电线上拔插装置,其中所述源极放电电路为接于所述功率金氧半电晶体源极及所述控制电路NPN电晶体集极之一串接PNP电晶体及NPN电晶体,且所述控制电路NPN电晶体集极接于PNP电晶体基极,PNP电晶体集极接于NPN电晶体基极,NPN电晶体集极接于所述功率金氧半电晶体源极。图式简单说明:第一图所为模拟一个模组插入时的量测图;第二图为模拟一个模组拔出时的量测图;第三图为模组插入时,接脚实际上接触所需之时间;第四图模组拔出时,接脚实际上分离所需之时间;第五图为本创作不断电线上拔插装置一个具体实例之方块图;第六图为实现第五图方块之详细电路图;第七图所示为本创作之第一具体实例中,一积分器及一比较器之输出电压波形;第八图为本创作另一具体实例之源极放电电路图;第九图为本创作又另一具体实例之源极放电电路图;第十图为本创作又另一具体实例之源极放电电路图;第十一图为本创作又另一具体实例之源极放电电路图;第十二图为本创作之第二具体实例中,模组拔出之量测图。
地址 台北县汐止镇新台五路一段七十九号八楼之一