| 主权项 |
1.一种光罩的制作方法,其特征为,在被对准层用光罩上形成:掩膜端第一所需图案,其系用于形成基板端第一所需图案;及掩膜端对准符号,其系具有与形成在对准层上之基板端第二所需图案相同尺寸。2.如申请专利范围第1项之光罩的制作方法,其中上述掩膜端对准符号具有形成在对准层上之基板端第二所需图案的最小尺寸。3.如申请专利范围第1或2项之光罩的制作方法,其中在上述被对准层用光罩上还形成另一个掩膜端对准符号,其具有与上述掩膜端第一所需图案相同尺寸。4.一种光罩的制作方法,其特征为,在被对准层用光罩上形成掩膜端第一对准精度测量用符号,其具有与掩膜端第一所需图案相同尺寸;及在上述对准层用光罩上形成掩膜端第二对准精度测量用符号,其具有与上述掩膜端第二所需图案相同尺寸。5.如申请专利范围第4项之光罩的制作方法,其中上述掩膜端第二对准精度测量用符号具有上述基板端第二所需图案的最小尺寸。6.一种对准方法,其特征为包含:被对准层用光罩准备步骤(a),该光罩系设有:掩膜端第一所需图案,其系用于在被对准层上形成基板端第一所需图案;及掩膜端对准符号,其具有与准备形成在对准层上之基板端第二所需图案相同尺寸;对准层用光罩准备步骤(b),该光罩至少具有掩膜端第二所需图案,其系用于在对准层上形成上述基板端第二所需图案;形成步骤(c),其系使用上述被对准层用光罩,在基板上形成上述基板端第一所需图案,及复制上述掩膜端对准符号而成的基板端对准符号;及对准步骤(d),其系依据上述被对准层之上述基板端对准符号的位置,对准上述对准层用光罩之位置。7.如申请专利范围第6项之对准方法,其中上述步骤(a)中,在上述被对准层用光罩上形成另一个具有与上述掩膜端第一所需图案相同尺寸的掩膜端对准符号,上述步骤(c)中,在基板上形成另一个复制上述另一个掩膜端对准符号而成的基板端对准符号,在上述步骤(d)中,依据上述基板端对准符号与上述另一个基板端对准符号的位置关系,修正对准层用光罩的位置。8.一种对准方法,其特征为包含:被对准层用光罩准备步骤(a),该光罩系设有:掩膜端第一对准精度测量用符号,其在被对准层上具有与掩膜端第一所需图案相同尺寸;及掩膜端对准符号,其具有与准备形成在对准层上之基板端第二所需图案相同尺寸;对准层用光罩准备步骤(b),该光罩至少具有掩膜端第二所需图案,其系用于在对准层上形成上述基板端第二所需图案;形成步骤(c),其系使用上述被对准层用光罩,在基板上形成上述基板端第一所需图案,及被复制成上述掩膜端对准精度测量用符号的基板端对准精度测量用符号;及对准步骤(d),其系依据上述被对准层之上述基板端对准精度测量用符号的位置,对准上述对准层用光罩之位置。图式简单说明:图1(a)-(d)依序概略显示第一种实施形态之被对准层用光罩上的图案中,单位晶片用的整个图案、掩膜端所需图案区域及掩膜端第一、第二对准区域的平面形状。图2概略显示使用第一种实施形态之被对准用光罩,藉由KrF准分子雷射步进机进行曝光时的状态。图3(a)-(c)依序为使用第一种实施形态之被对准层用光罩形成有被对准层图案之晶圆上的单位晶片区域平面图、基板端所需图案区域剖面图,及基板端对准区域剖面图。图4(a)-(d)依序概略显示第一种实施形态之对准层用光罩上之图案中,单位晶片用的整个图案、掩膜端所需图案区域、掩膜端第一、第二对准区域的平面形状。图5(a)-(d)依序为使用第一种实施形态之对准层用光罩,形成有对准层图案之晶圆的单位晶片区域平面图、基板端所需个案区域剖面图、被对准区域剖面图、及基板端对准区域剖面图。图6(a),(b)分别显示形成在第二种实施形态之被对准层用光罩及对准层用光罩上之掩膜端对准精度测量用符号形状的平面图。图7(a),(b)显示使用第二种实施形态之光罩所形成之对准层、被对准层形状的剖面图。图8(a)-(d)依序概略显示先前之被对准层用光罩上的图案中,单位晶片用的整个图案、掩膜端所需图案区域、掩膜端对准精度测量用区域、掩膜端对准区域的平面形状。图9(a)-(d)依序为使用先前之被对准层用光罩,形成有被对准层图案之晶圆的单位晶片区域平面图、基板端所需图案区域的剖面图、基板端对准精度测量用区域的剖面图及基板端对准区域的剖面图。图10(a)-(d)依序概略显示先前之对准层用光罩上之图案中,单位晶片用的整个图案、掩膜端所需图案区域、掩膜端对准精度测量用区域及掩膜端对准区域的平面形状。图11(a)-(d)依序显示使用先前之对准层用之光罩,形成有对准层图案之晶圆的单位晶片区域平面图、基板端所需图案区域的剖面图、基板端对准精度测量用区域的剖面图及基板端对准区域的剖面图。图12显示先前曝光步骤中之曝光机、光罩及晶圆的形状剖面图。图13为用于说明先前对准方法中,像差与图案关系造成闸极形成位置的偏差。 |
