| 主权项 |
1.一种转印遮罩用基板,其特征在于:具备有由单晶所形成之第1矽层、形成于此第1矽层上之具有0.2-0.8m厚度的矽氧化层、及形成于此矽氧化层上的第2矽层。2.如申请专利范围第1项所记载转印遮罩用基板,其中该第2矽层系具有0.1-50m厚度。3.如申请专利范围第1项所记载转印遮罩用基板,其中该第2矽层系由单晶所构成。4.一种转印遮罩,其特征在于:具备有由单晶所形成之第1矽层、形成于此第1矽层上之具有0.2-0.8m厚度的矽氧化层、及形成于此矽氧化层上并形成转印图案的第2矽层;在该第1矽层上形成开口部,并将对应此开口部的该矽氧化层部分予以去除。5.如申请专利范围第4项所记载转印遮罩,其中该第2矽层系具有0.1-50m厚度。6.如申请专利范围第4项所记载转印遮罩,其中该第2矽层系由单晶所构成。7.一种转印遮罩之制造方法,其特征在于;包含有:提供具备有由单晶所形成之第1矽层、形成于此第1矽层上之具有0.2-0.8m厚度的矽氧化层、及形成于此矽氧化层上的第2矽层的转印遮罩用基板的程序;在该第2矽层上形成转印图案的程序;在形成该转印图案的程序之前或之后,在该第1矽层上形成开口部的程序;及对应该开口部的该矽氧化层之部分予以去除的程序。8.如申请专利范围第7项所记载转印遮罩之制造方法,其中该第2矽层系具有0.1-50m厚度。9.如申请专利范围第7项所记载转印遮罩之制造方法,其中该第2矽层系由单晶所构成。10.一种转印遮罩之制造方法,其特征在于;包含有:提供具备有由单晶所形成之第1矽层、形成于此第1矽层上之具有0.2-0.8m厚度的矽氧化层、及形成于此矽氧化层上的第2矽层的转印遮罩用基板的程序;在该第1矽层上形成开口部的程序;将对应该开口部的该矽氧化层之部分予以去除的程序;及在该第2矽层上形成转印图案的程序。11.如申请专利范围第10项所记载转印遮罩之制造方法,其中该第2矽层系具有0.1-50m厚度。12.如申请专利范围第10项所记载转印遮罩之制造方法,其中该第2矽层系由单晶所构成。13.一种荷电粒子束之曝光方法,其特征在于;包含有:将荷电粒子束照射于申请专利范围第4项所记载转印遮罩上,而将荷电粒子束整形为转印图案形状的程序,以及将该经整形过后之荷电粒子束的图案,通过透镜而成像于试料上的程序。图式简单说明:第1图系本发明一实施例之转印遮罩基板(SOI基板)的剖面示意图。第2图系采用本发明一实施例之转印遮罩基板(SOI基板),而制造转印遮罩之一例的剖面示意图。第3A-3I图系采用本发明之转印遮罩用基板,制造转印遮罩之程序一例的程序顺序的剖面示意图。第4A-4I图系采用本发明之转印遮罩用基板,制造转印遮罩之程序另一例的程序顺序的剖面示意图。第5A-5F图系采用本发明之转印遮罩用基板,制造转印遮罩之程序再另一例的程序顺序的剖面示意图。 |
