| 主权项 |
1.一种主动型矩阵基板之制造方法,系属于具有:由基板上之复数条的扫描线和该复数条的扫描线交错而成之复数条的资料线;及分别对应于藉由该资料线和上述扫描线所被区画成之复数个画素领域而形成之画素电极与画素用薄膜电晶体而构成的主动型矩阵基板之制造方法,其特征为:上述画素用薄膜电晶体系将排列于约同一线上的方向设定为X方向,与此X方向交叉的方向设定为Y方向时,上述基板的表面上形成供以构成上述画素用薄膜电晶体之后,对于该半导体膜进行溶融结晶化之退火工程,该退火工程系在于进行雷射退火处理,亦即对于上述半导体膜照射:X方向之雷射光的照射领域长,且Y方向之雷射光强度范围的半値宽度要比Y方向之画素间隔来得狭窄之线光束者。2.如申请专利范围第1项所述之主动型矩阵基板之制造方法,其中上述雷射退火处理,系使上述基板与上述线光束相对的朝Y方向移动,藉此来连续地进行上述半导体膜之溶融结晶化,同时在该半导体膜的Y方向上,对于相当于上述画素用薄膜电晶体的形成预定领域之领域予以选择性地照射线光束。3.如申请专利范围第2项所述之主动型矩阵基板之制造方法,其中上述雷射退火处理,系于上述半导体膜的Y方向上,对于上述画素用薄膜电晶体的形成预定领域之领域予以选择性地且重覆地照射线光束。4.如申请专利范围第1.2或3项所述之主动型矩阵基板之制造方法,其中:上述雷射退火处理系于将上述半导体膜形成图案之图案形成工程之前进行。5.如申请专利范围第1.2或3项所述之主动型矩阵基板之制造方法,其中使用于上述雷射退火处理的退火图案及上述图案形成工程之光罩的对准作业,系利用上述雷射退火处理后的半导体膜的色调系随着线光束的照射程度而有所差异的状况来进行。6.如申请专利范围第4项所述之主动型基板的制造方法,其中使用于对上述半导体膜进行雷射退火处理之退火图案及上述图案形成工程之光罩图案的对准作业,系利用附着于形成在上述半导体膜的下层侧之基材保护膜的对准标记来进行。7.如申请专利范围第1.2或3项所述之主动型矩阵基板之制造方法,其中上述雷射退火处理系于将上述半导体膜形成图案之上述图案形成工程之后进行。8.如申请专利范围第1项所述之主动型矩阵之制造方法,其中先行上述雷射退火处理,然后事先在上述基板的所定位置涂上光硬化性树脂,并且在上述雷射退火处理中也对于光硬化性树脂照射雷射光,使该光硬化性树脂硬化,藉此来形成使光罩与基板的位置一致之对准图案。9.如申请专利范围第1项所述之主动型矩阵基板的制造方法,其中上述画素用薄膜电晶体,系其通道的长度方向形成于X方向。10.如申请专利范围第1项所述之主动型矩阵基板之制造方法,其中在上述基板上,形成有;上述画素领域的主动型矩阵部的Y方向侧所构成之具有驱动电路用薄膜电晶体的驱动电路,并且在上述雷射退火处理中,系对于该驱动电路形成预定领域全体进行退火处理。11.如申请专利范围第10项所述之主动型矩阵基板之制造方法,其中在上述雷射退火处理中,藉由改变上述基板与上述线光束相对地朝Y方向移动时之移动速度,而来选择性的对于上述半导体膜的所定领域进行退火处理。12.如申请专利范围第11项所述之主动型矩阵基板之制造方法,其中在上述雷射退火处理中,对上述驱动电路形成预定领域照射线光束时使上述基板与上述线光束相对地朝Y方向移动时之速度要比对于上述画素用薄膜电晶体的形成预定领域照射线光束时使上述基板与上述线光束相对地朝Y方向移动时之速度来得低。13.如申请专利范围第1项所述之主动型矩阵基板之制造方法,其中在上述雷射光的照射路径的途中位置,亦即对于上述半导体膜照射线光束的X方向上配置有:对于上述画素用薄膜电晶体的形成预定领域作选择性地照射点状光束之光学系,而于此状态下来进行上述雷射退火处理。14.如申请专利范围第1项所述之主动型矩阵基板之制造方法,其中在上述退火工程中,对上述半导体膜进行雷射退火处理之后,再对于该半导体膜进行急速加热处理。15.如申请专利范围第1项所述之主动型矩阵基板之制造方法,其中在上述退火工程中,对上述半导体膜进行急速加热之后,再对于该半导体膜进行急速退火处理。16.如申请专利范围第1项所述之主动型矩阵基板之制造方法,其中在上述退火工程中,在上述基板上照射供以进行雷射退火处理之雷射光时,同时也照射供以进行急速加热处理之光束。17.如申请专利范围第1项所述之主动型矩阵基板之制造方法,其中在上述退火工程中,对于包含照射供以进行上述雷射退火处理的雷射光之领域的领域,也同时照射供以进行急速加热处理之光束。18.一种主动型矩阵基板之制造方法,系属于具有由基板上之复数条的扫描线和该复数条的扫描线交错而成之复数条的资料线;及分别对应于藉由该资料线和上述扫描线所被区画成之复数个画素领域而形成之画素电极与画素用薄膜电晶体而构成的主动型矩阵基板之制造方法,其特征为:在上述基板的表面形成供以形成上述画素用薄膜电晶体的半导体膜之后,在供以使该半导体膜结晶化之退火工程中,进行雷射退火处理,亦即对于上述半导体膜照射:雷射光之照射领域在第一方向(上述画素用薄膜电晶体排列于约同一线上的第一方向)上较长,且交叉于该第一方向的第二方向之雷射光强度范围的半値宽要比该第二方向的画素间隔来得窄之线光束者。19.一种主动型矩阵基板,其特征系藉由规定于申请专利范围第1-18项之任一项制造方法而制成者。20.一种液晶显示装置,其特征系具备有规定于申请专利范围第19项之主动型矩阵基板。21.一种电子机器,其特征系包含具备有记载于申请专利范围第19项的主动型矩阵基板之显示装置。图式简单说明:第1(A)图系表示本发明之实施例的液晶显示装置的主动型矩阵基板的说明图。第1(B)图系表示使用其驱动电路之CMOS电路的说明图。第2图系表示扩大主动型矩阵基板上的画素领域的平面图。第3(A)图系表示图2之I-I′线的剖面图。第3(B)图系表示图2之II-II′线的剖面图。第4(A)-(E)图系表示在本发明之实施例1中对应于图2的I-I′线的剖面的TFT的工程剖面图。第5(A)-(F)图系表示在本发明之实施例1中的对应于图2的II-II′线的剖面之TFT的工程剖面图。第6图系表示在本发明之实施例1的矽膜中有必要施以雷射退火的部分之说明图。第7(A)图系表示在本发明之实施例1的退火过程中照射雷射光之状态说明图。第7(B)系表示其雷射光在Y方向上的强度范围。第7(C)系表示另一雷射光在Y方向上的强度范围。第8(A)系表示本发明之实施例1的退火过程中选择性的照射雷射光的情形之说明图。第8(B)系表示此刻之基板的移动速度的说明图。第9图系表示本发明之实施例1在退火过程之后形成图案之说明图。第10(A)-(E)图系表示本发明之实施例2中对应于图2的I-I′线的剖面之TFT之过程剖面图。第11(A)-(F)图系表示本发明之实施例2中对应于图2的II-II′线的剖面之TFT的工程剖面图。第12图系表示本发明之实施例2的退火过程中照射雷射光之状态说明图。第13(A)图系表示本发明之实施2的退火过程中选择性的照射雷射光之状态说明图。第13(B)图系表示此刻之基板的移动速度之说明图。第14图系表示本发明之实施例3的退火过程中选择性的照射雷射光之状态说明图。第15图系表示本发明之实施例4的退火过程中利用雷射光的照射来形成对准图案之说明图。第16图系表示本发明之实施例5中形成于基础保护膜上的对准标记之说明图。第17(A)-(C)系表示供以说明本发明之实施例6中,雷射光的照射领域与来自急速加热处理用的电弧灯泡的照射领域之间的位置关系的说明图。第18图系表示使用实施例之主动型矩阵基板之显示装置的剖面构造图。第19图系表示使用实施例之液晶显示装置之电子机器的构成图。第20图系表示使用上述液晶显示装置之液晶放映机的构成图。第21图系表示使用上述液晶显示装置之个人电脑的构成图。第22图系表示使用上述液晶显示装置之分页显示器的构成图。第23图系表示使用上述液晶显示装置而连接TCP之电子机器。 |
