| 主权项 |
1.一种半导体装置,其特征为包括:至少一层配置于半导体基板(101)上之内嵌绝缘膜(106);配置于该内嵌绝缘膜(106)上之金属材质制之第一电极(111);配置于该第一电极(111)上之绝缘氧化金属制电容绝缘膜(112);配置于该电容绝缘膜(112)上之氮化钨制第二电极(113);以及配置于该第二电极(113)上,用以抑制第二电极中之氮向外扩散的保护膜(113a)。2.如申请专利范围第1项之装置,其中该保护膜(113a)系由金属矽化物制得。3.如申请专利范围第2项之装置,其中该保护膜(113a)系由矽化钨制得。4.如申请专利范围第1项之装置,其中该保护膜(113a)系由氮化矽制得。5.如申请专利范围第1项之装置,其中配置于该半导体基板(101)上之电晶体,位于该内嵌绝缘膜之下。6.一种半导体装置之制造方法,其特征为包括下列步骤:形成至少一层配置于半导体基板(101)上之内嵌绝缘膜(106);形成内嵌绝缘膜(106)上之金属材质制之第一电极(111);形成配置于第一电极(111)上之绝缘氧化金属制电容绝缘膜(112);以热化学蒸镀沉积法,形成电容绝缘膜上之氮化钨制第二电极(113);以及形成第二电极(113)上,用以抑制第二电极(113)中之氮向外扩散的保护膜(113a)。7.如申请专利范围第6项之方法,其中保护膜(113a)系由金属矽化物制得。8.如申请专利范围第7项之方法,其中保护膜(113a)系由矽化钨制得。9.如申请专利范围第6项之方法,其中保护膜(113a)系由氮化矽制得。10.如申请专利范围第6项之方法,其中保护膜(113a)系由至少矽来源气体,以热化学蒸镀沉积法形成。11.如申请专利范围第6项之方法,其中氮化钨膜及含矽薄膜接续形成于半导体基板上之电容绝缘膜形成处,以及氮化钨膜及含矽薄膜经处理后形成第二电极与保护膜。图式简单说明:图1所示为依本发明之半导体装置之概略配置剖面图;图2A至2L所示为图1中所示半导体装置制造方法之步骤剖面图;及图3所示为习知半导体装置之概略配置剖面图。 |
