| 主权项 |
1.一种交替式相位遮罩,用来在微影术过程中对光敏层进行曝光,此种相位遮罩包括:一种T-图样结构,由相位互相偏移之透明之平面区段(5a,5b)所构成;平面边界区段(6),其相位是在相怜之平面区段(5a,5b)之相位之间,其特征为:-此相位遮罩具有至少二个不透明之区段(2,3),-第二不透明之区段(3)滙入第一不透明区段(2)之纵向侧,-第一不透明之区段(2)在滙入口之二侧划分成二个不透明之部份区段(2a,2b),-在部份区段(2a,2b)之二侧以及第二不透明区段(3)之二侧分别在其整个长度中配置二个透明之平面区段(5a,5b),-这些透明之平面区段(5a,5b)具有已偏移180之相位,-最大是25,-透明之平面区段(5a,5b)藉由至少一个透明之平面边界区段(6)而相隔开。2.如申请专利范围第1项之交替式相位遮罩,其中不透明之区段(2,3)共同形成T形之结构。3.如申请专利范围第2项之交替式相位遮罩,其中T形结构之大小G是G=0.3/NA,是曝光时所使用之光束之波长,NA是曝光时所用之成像系统之孔径之大小。4.如申请专利范围第3项之交替式相位遮罩,其中不透明之区段(2,3)之形式是一种纵向延伸之矩形。5.如申请专利范围第4项之交替式相位遮罩,其中第一不透明区段(2)在面向第二不透明区段(3)之滙入口之此侧上具有一种经由滙入口之长度而延伸之凹处(8)。6.如申请专利范围第5项之交替式相位遮罩,其中第一和第二不透明区段是以铬条(2,3)构成。7.如申请专利范围第1至6项中任一项之交替式相位遮罩,其中=0。8.如申请专利范围第1至6项中任一项之交替式相位遮罩,其中此平面边界区段(6)以垂直于相邻之平面区段(5a,5b)之边界面之方式而划分成相位不同之部份区段(2a,2b)。9.如申请专利范围第1至6项中任一项之交替式相位遮罩,其中此平面边界区段(6)具有均匀之相位。10.如申请专利范围第1至6项中任一项之交替式相位遮罩,其中透明之平面区段(5a,5b)具有矩形之横切面。11.如申请专利范围第10项之交替式相位遮罩,其中该透明之平面区段(5a,5b)之长度和宽度分别等于相之区段或部份区段(2a,2b)之长度。12.如申请专利范围第11项之交替式相位遮罩,其中透明之平面区段(5a,5b)具有0或180之相位。13.如申请专利范围第12项之交替式相位遮罩,其中此平面边界区段(6)具有90之相位。14.如申请专利范围第11项之交替式相位遮罩,其中此透明之平面区段(5a,5b)具有90或270之相位。15.如申请专利范围第14项之交替式相位遮罩,其中此平面边界区段(6)具有0之相位。16.如申请专利范围第1至6项中任一项之交替式相位遮罩,其中此平面边界区段(6)之形式是一种纵向延伸之矩形。17.如申请专利范围第16项之交替式相位遮罩,其中此平面边界区段(6)之宽度须依据第二不透明之区段(3)之宽度来调整。18.如申请专利范围第16项之交替式相位遮罩,其中此平面边界区段(6)之长度须依据相邻之透明之平面区段(5a,5b)之长度来调整。图式简单说明:第1图 本发明之相位遮罩之第一实施例之一部份。第2图 光阻层上以第1图之相位遮罩所获得之曝光结构。第3图 本发明之相位遮罩之第二实施例之一部份。第4图 光阻层上以第3图之相位遮罩所获得之曝光结构。 |
