| 主权项 |
1.一种无突起物形成(extrusion-free)之湿式清洗方法,用于一蚀刻后(post-etch)之铜-双镶嵌结构的清洗,该方法包含有下列步骤:提供一半导体晶片,其包含有一矽基底以及一蚀刻后双镶嵌结构,该蚀刻后双镶嵌结构包含有一接触窗(via)构造以及一沟渠(trench)构造形成于该接触窗构造之上,其中该接触窗构造暴露出一部份面积之第一层铜金属导线,且该第一层铜金属导线与一形成于该矽基底之N掺杂区域电连接;利用一稀释过氧化氢溶液清洗该半导体晶片,以轻微氧化该暴露出来之该第一层铜金属表面;利用一铜氧化物清洗溶剂洗去形成于该第一层铜金属导线表面上之铜氧化物,其中该铜氧化物清洗溶剂包含有HF、NH4F或NH2OH;以及提供一突起物抑制手段,以抑制发生在该第一层铜金属导线表面上之铜还原反应。2.如申请专利范围第1项之方法,其中该第一层铜金属导线与该矽基底之一N+掺杂区域电连接,而在铜氧化物清洗溶剂中具有类似阴极之作用。3.如申请专利范围第1项之方法,其中抑制发生在该第一层铜金属导线表面上之铜还原反应的方法系在以该稀释过氧化氢溶液清洗该半导体晶片的过程中,利用惰性气体吹除该半导体晶片表面,以降低该稀释过氧化氢溶液之氧化力。4.如申请专利范围第1项之方法,其中抑制发生在该第一层铜金属导线表面上之铜还原反应的方法系利用一铜腐蚀抑制剂添加于该稀释过氧化氢溶液中。5.如申请专利范围第4项之方法,其中该铜腐蚀抑制剂包含有benzotriazole (BTA)。6.如申请专利范围第1项之方法,其中抑制发生在该第一层铜金属导线表面上之铜还原反应的方法系降低稀释过氧化氢溶液之过氧化氢浓度至100:1 (v/v)以下。7.如申请专利范围第1项之方法,其中抑制发生在该第一层铜金属导线表面上之铜还原反应的方法系降低稀释过氧化氢溶液之温度至低于15℃。8.如申请专利范围第1项之方法,其中抑制发生在该第一层铜金属导线表面上之铜还原反应的方法系提高该铜氧化物清洗溶剂之pH値至7以上。9.一种用于铜制程之湿式清洗方法,包含有:一氧化步骤;一铜氧化物蚀刻步骤,利用一铜氧化物清洗溶液将该氧化步骤中产生之铜氧化物洗去;以及至少一突起物抑制手段,以抑制发生在一第一层铜金属导线表面上之铜还原反应。10.如申请专利范围第9项之方法,其中该氧化步骤系用来轻微氧化该第一层铜金属导线表面,且该氧化步骤包含有一稀释过氧化氢溶液的使用。11.如申请专利范围第9项之方法,其中该铜氧化物清洗溶液包含有HF、NH4F、NH2OH或稀释的HF/HCl。12.如申请专利范围第1项之方法,其中该铜氧化物系为CuOx或Cu(OH)2。13.如申请专利范围第10项之方法,其中该第一层铜金属导线系电连接一矽基底中的N+掺杂区域。14.如申请专利范围第9项之方法,其中抑制发生在该第一层铜金属导线表面上之铜还原反应的方法系在该氧化步骤中,利用惰性气体吹除,以降低该稀释过氧化氢溶液之氧化力。15.如申请专利范围第9项之方法,其中抑制发生在该第一层铜金属导线表面上之铜还原反应的方法系利用一铜腐蚀抑制剂添加于该稀释过氧化氢溶液中。16.如申请专利范围第15项之方法,其中该铜腐蚀抑制剂包含有benzotriazole (BTA)。17.如申请专利范围第9项之方法,其中抑制发生在该第一层铜金属导线表面上之铜还原反应的方法系降低稀释过氧化氢溶液之过氧化氢浓度至100:1 (v/v)以下。18.如申请专利范围第9项之方法,其中抑制发生在该第一层铜金属导线表面上之铜还原反应的方法系降低稀释过氧化氢溶液之温度至低于15℃。19.如申请专利范围第9项之方法,其中抑制发生在该第一层铜金属导线表面上之铜还原反应的方法系提高该铜氧化物清洗溶剂之pH値至7以上。图式简单说明:图一为剖面示意图显示一经过习知方法清洗之双镶嵌结构。图二为剖面示意图显示一用来评估本发明方法之双镶嵌结构。图三为流程示意图显示本发明方法之突起物抑制手段。 |
