| 主权项 |
1.一种用于单一晶圆蚀刻工具之温度控制装置,其具有阴极电极及卡盘装置以固持晶圆,该卡盘装置系配置在阴极电极上,其中该卡盘装置系在既定温度支撑晶圆,其改善之处包括:含有多数热电元件之热电层,该热电层系配置在阴极电极及卡盘装置之间,该热电层含有多数之封环,该每个封环连接该多数热电元件之数个,其中每个该封环系对应该晶圆之特定区域而设置;及耦合至每个该封环以提供控制电压至表示既定温度之每个该封环;其中,与该晶圆之每个该特定区域有关连之温度系受该封环之一所控制。2.如申请专利范围第1项之温度控制装置,其含有配置在该热电层及该阴极电极间之绝缘层。3.如申请专利范围第1项之温度控制装置,其中该卡盘装置含有静电卡盘。4.如申请专利范围第1项之温度控制装置,其中该卡盘装置含有机械卡盘。5.如申请专利范围第1项之温度控制装置,其中该卡盘装置含有真空卡盘。6.如申请专利范围第1项之温度控制装置,其中该温度侦测装置系配置在该封环之该多数热电元件之该连接个数之至少一个上。7.如申请专利范围第6项之温度控制装置,其中该温度侦测装置系热偶。8.如申请专利范围第6项之温度控制装置,其中该温度侦测装置系电阻温度侦测器。9.如申请专利范围第6项之温度控制装置,其中该温度侦测装置系热变阻器。10.如申请专利范围第1项之温度控制装置,其中至少有一电源接至低通频滤波器。11.如申请专利范围第1项之温度控制装置,其中该热电层含有多数之帕尔帖元件。12.如申请专利范围第1项之温度控制装置,其中提供控制电压至每个该封环之该装置含有多数之电源。13.如申请专利范围第1项之温度控制装置,其中热电层含有中心区域封环及外部区域封环,该中心区域封环控制与该晶圆之中心区域有关连之温度,而该外部区域封环控制与该晶圆之外部区域有关连之温度。14.如申请专利范围第1项之温度控制装置,其中与该晶圆之至少该特定区域之一有关连之该温度系被对应之一该封环所增加。15.如申请专利范围第1项之温度控制装置,其中与该晶圆之至少该特定区域之一有关连之该温度系被对应之一该封环所减少。16.如申请专利范围第1项之温度控制装置,其中与该晶圆之每个该特定区域有关连之温度能从该多数热电元件之至少之一而决定。17.一种用于单一晶圆蚀刻工具之温度控制装置,其具有阴极电极,绝缘层,及卡盘装置,该绝缘层设在阴极电极上而该卡盘装置则设在绝缘层上,其中卡盘装置支撑具有中心区域及外部区域之晶圆,其改善之处包括:配置在绝缘层及卡盘装置间之帕尔帖元件层,该帕尔帖元件层具有两封环,其中中心区域之封环连接对应该晶圆之该中心区域之多数帕尔帖元件,而外部区域之封环连接对应该晶圆之该外部区域之多数帕尔帖元件;及耦合至该两封环之各个封环俾提供控制电压至指示既定温度之每个封环的装置;其中该中心区域之封环控制与该晶圆之该中心区域有关连之温度,而该外部区域之封环则控制与该晶圆之该外部区域有关连之温度。18.如申请专利范围第17项之温度控制装置,其中与该晶圆之该中心区域有关连之该温度及与该晶圆之该外部区域有关连之该温度能从该多数热电元件之至少之一而决定。19.如申请专利范围第17项之温度控制装置,其中该帕尔帖元件层含有数个帕尔帖元件,对应该晶圆之该中心区域之该多数帕尔帖元件至少为前述帕尔帖元件之数目之25%。20.一种用于单一晶圆蚀刻工具之温度控制装置,其包括:室及温度控制支撑,该温度控制支撑设在该室内且具有阴极电极,绝缘层,及卡盘装置,其中,该绝缘层系配置在该阴极电极上,而该卡盘装置系配置在该绝缘层上;形成在该阴极电极内之通孔,该通孔形成为封环冷却线之一部份,该封环冷却线含有泵及贮存器,其中冷却剂系被抽送通过该封环冷却线俾冷却该温度控制支撑;该卡盘装置支撑具有中心区域及外部区域之晶圆,该中心区域及外部区域各具有特定温度;形成在该卡盘装置与该晶圆间之多数间隙,其中于该多数间隙提供有既定量之氦,配置在绝缘层及卡盘装置间之帕尔帖元件层,该帕尔帖元件层含有连接帕尔帖元件之两封环,其中中心区域之封环系接至对应该晶圆之该中心区域之多数帕尔帖元件,而外部区域之封环系接至对应该晶圆之该外部区域之多数帕尔帖元件;耦合至该两封环之每个封环之装置以提供控制电压至表示既定温度之该每个封环;其中该中心区域之封环控制该晶圆之该中心区域之该温度,而该外部区域之封环控制该晶圆之该外部区域之该温度。图式简单说明:第1图系本发明之实例之前视示意图。第2图系第1图所示之热电元件层之透视平面示意图。第3图系示出与电源连接之帕尔帖元件之示意图。第4图系示出每个与对应之电源连接之帕尔帖元件之示意图。 |
