| 主权项 |
1.一种形成主光罩之方法,包括:提供具有石英层、衰减相移层、及金属层的主光罩毛坏;用抗蚀剂覆盖主光罩毛坏;将抗蚀剂画图样成为多阶层;及根据多阶层抗蚀剂图样蚀刻主光罩毛坏。2.如申请专利范围第1项之方法,其中抗蚀剂被以预定量相移以形成相移多阶层主光罩。3.如申请专利范围第2项之方法,其中相移量是90度的倍数。4.如申请专利范围第1项之方法,其中衰减相移层被提供的厚度是曝光光线波长的函数,且其以预定相移量移动曝光光线之相位。5.如申请专利范围第1项之方法,尚包括依照需要将抗蚀剂重画图样成为额外的多阶层并根据重画图样之多阶层蚀刻主光罩毛坏以形成多阶层主光罩。6.如申请专利范围第5项之方法,其中抗蚀剂被以预定量相移以形成相移多阶层主光罩。7.如申请专利范围第6项之方法,其中相移量是90度的倍数。8.如申请专利范围第6项之方法,其中相移是李文森(Levenson)型相移。9.如申请专利范围第5项之方法,其中衰减相移层被提供的厚度是曝光光线波长的函数,且其以预定相移量移动曝光光线之相位。10.如申请专利范围第9项之方法,其中光线在一个方向上被相移180度而在一垂直方向上被相移90度的奇数倍数。11.一种形成主光罩的方法,包括:提供具有石英层、衰减相移层、及金属层的主光罩毛坏;以抗蚀剂覆盖主光罩毛坏;将抗蚀剂画图样成为多阶层;根据多阶层抗蚀剂图样蚀刻主光罩毛坏;及根据需要将抗蚀剂重画图样成为额外的多阶层并根据重画图样的多阶层抗蚀剂蚀刻主光罩,包括以预定量相移图样以形成相移多阶层主光罩,其中衰减相移层被提供的厚度是曝光光线波长的函数,且其以预定相移量移动曝光光线之相位。12.如申请专利范围第11项之方法,其中相移量是90度的倍数。13.如申请专利范围第11项之方法,其中相移是李文森(Levenson)型相移。14.如申请专利范围第11项之方法,其中光线在一个方向上被相移180度而在一垂直方向上被相移90度的奇数倍数。图式简单说明:图1-6是以前技术形成积体电路中间阶层介电质的序列步骤之部分横截面图。图7-13是利用双阶层光阻剂使用多阶层主光罩形成积体电路中间阶层介电质的序列步骤之部分横截面图。图14-23是利用双阶层光阻剂使用相移多阶层主光罩形成积体电路中间阶层介电质的序列步骤之部分横截面图。图24a是显示具有180度相移之交错线和管道之结构布局的部分顶视图。图24b是显示具有180度相移之交错线和管道之另一种结构布局的部分顶视图。图25显示光源波长与衰减相移(APS)层厚度之间的关系。图26显示相移光线的相对强度。图27显示各种结构轮廓。 |
