| 主权项 |
1.一种形成一延伸金属闸极之方法,系包括有:a.提供一半导体结构,系具有一个闸极结构于其上,该闸极结构侧壁;该闸极结构包括有一闸极介电层于该半导体结构上、一闸极矽化层于该闸极介电层上、一掺杂氧化矽层于该闸极矽化层上、及一可丢弃闸极层于该掺杂氧化矽层上;该闸极具有间隙壁于该闸极结构的侧壁上;b.形成一介电间隙壁于该闸极结构的侧壁上;c.形成一介电渗填层于该半导体结构及该闸极结构上,且平坦化该渗填层,而停止于该可丢弃闸极层上;d.形成一第一氮化矽层覆盖于该可丢弃闸极层上;e.形成一介电层覆盖于该第一氮化矽层上;f.形成一第二氮化矽层覆盖于该介电层上;g.图案化该介电层,以形成一沟槽覆盖于该闸极结构上;该沟槽具有一个宽度大于该闸极结构的宽度;h.移除在该沟槽底部的该第一氮化矽层;藉以暴露出该可丢弃闸极层;i.移除该可丢弃闸极层,且移除该掺杂氧化矽层;藉以暴露出该闸极矽化层;j.形成一阻障层覆盖于该闸极矽化层;及k.形成一金属闸极层于该阻障层上且于该沟槽中;藉以该金属闸极层具有一个宽度大于该闸极结构的宽度。2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该闸极介电层系包括有具有介电常数大于3的任何材料。3.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该闸极矽化层系包括有多晶的矽(多晶矽)。4.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该闸极矽化层系包括有非晶矽。5.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该渗填层系包括有无掺杂氧化矽。6.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该掺杂氧化矽层系包括有磷矽玻璃(PSG)。7.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该介电层系包括有硼磷矽玻璃(BPSG)。8.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该介电层系包括有氧化矽。9.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该可丢弃闸极层包括有氮化矽。10.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该可丢弃闸极层包括有多晶的矽(多晶矽)。11.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该掺杂氧化矽层系使用无水HF蒸气蚀刻而被移除。12.如申请专利范围第11项所述之方法,其中该无水HF蒸气蚀刻具有一个选择性掺杂氧化矽比无掺杂氧化矽大于50:1。13.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该可丢弃闸极层包括有多晶矽,且该可丢弃闸极层系使用一电浆辅助蚀刻而被移除,该电浆辅助蚀刻具有一个选择性多晶矽比无掺杂氧化矽至少为2:1.及多晶矽比氮化矽至少为2:1。14.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该可丢弃闸极层包括有氮化矽,且移除该第一氮化矽层。15.如申请专利范围第1项所述之方法,尚随后形成一金属闸极层,系包括步骤:l.使用一化学机械研磨制程而平坦化该金属闸极层及该阻障层,停止于该第二氮化矽层上;m.形成一第二介电层覆盖于该金属闸极层,该阻障层及该第二氮化矽层上;及n.图案化该第二介电层,以形成该闸极结构的接触窗开口,且图案化该第二介电层、该第二氮化矽层、该第一介电层、及该渗填层,以形成源极及汲极接触窗开口。16.如申请专利范围第15项所述之方法,其中该第二介电层包括有无掺杂氧化矽。17.如申请专利范围第15项所述之方法,其中该第二介电层包括有有掺杂氧化矽。18.一种形成一延伸金属闸极及一自行对准接触窗之方法,系包括有:a.提供一半导体结构;该半导体结构系具有一个闸极介电层于其上;该闸极介电层包括有一闸极矽化层于其上;该闸极矽化层系具有一掺杂氧化矽层于其上;该掺杂氧化矽层系具有一可丢弃闸极层于其上;b.图案化该可丢弃闸极层、该掺杂氧化矽层、该闸极矽化属及该闸极介电层以形成浅沟槽隔离(STI)的沟槽;c.藉由沈积及平坦化一介电层而形成浅沟槽隔离(STI)结构;d.图案化该可丢弃闸极层、该掺杂氧化矽层、该闸极矽化层及该闸极介电层,以形成具有侧壁的闸极结构;e.形成介电间隙壁于该闸极结构的侧壁上;f.形成一渗填层覆盖于该半导体结构及该闸极结构上,且平坦化该渗填层,停止于该可丢弃闸极层上;g.形成一氮化矽层于该可丢弃闸极层及该渗填层上;h.形成一介电层覆盖于该氮化矽层上;i.图案化该介电层,以形成一沟槽覆盖于该闸极结构上;该沟槽具有一个宽度大于该闸极结构宽度的宽度;j.移除在该沟槽底部的该氮化矽层;k.移除该可丢弃闸极层;藉以暴露出该掺杂氧化矽层;l.使用一选择性的蚀刻到无该掺杂氧化矽层以移除该掺杂氧化矽层;m.形成一阻障层覆盖于该闸极多晶矽层上;及n.形成一金属闸极层于该阻障层上。19.如申请专利范围第18项所述之方法,其中该闸极介电层系包括有具有介电常数大于3的任何材料。20.如申请专利范围第18项所述之方法,其中该闸极矽化层系包括有多晶的矽(多晶矽)。21.如申请专利范围第18项所述之方法,其中该闸极矽化层系包括有非晶矽。22.如申请专利范围第18项所述之方法,其中该掺杂氧化矽层系包括有磷矽玻璃(PSG)。23.如申请专利范围第18项所述之方法,其中该掺杂氧化矽层系包括有硼磷矽玻璃(BPSG)。24.如申请专利范围第18项所述之方法,其中该可丢弃闸极层系包括有氮化矽。25.如申请专利范围第18项所述之方法,其中该渗填层系包括有无掺杂氧化矽。26.如申请专利范围第18项所述之方法,其中该介电层系包括有无掺杂氧化矽。27.如申请专利范围第18项所述之方法,其中该掺杂氧化矽层系使用无水HF蒸气蚀刻而被移除。28.如申请专利范围第27项所述之方法,其中该无水HF蒸气蚀刻具有一个选择性掺杂氧化矽比无掺杂氧化矽大于50:1。29.如申请专利范围第10项所述之方法,其中该氮化矽及该可丢弃闸极层系使用HBR/CL2/O2.或CH3F2/O2.或CH3F/O2而被蚀刻,其具有一氮化矽比掺杂氧化矽在10:1到30:1之间的选择性蚀刻,且具有一氮化矽比无掺杂氧化矽在10:1到30:1之间的选择性蚀刻。30.如申请专利范围第6项所述之方法,尚包括有随后形成一金属闸极层,其步骤包括有:o.使用一化学机械研磨制程而平坦化该金属闸极层及该阻障层,停止于该介电层上;p.形成一第二介电层覆盖于该金属闸极层及该第一介电层上;及q.图案化该第二介电层,以形成该闸极结构的接触窗开口,且图案化该第二介电层、该介电层、该第一氮化矽层、及该渗填层,以形成自行对准源极及汲极接触窗开口。31.如申请专利范围第29项所述之方法,其中该第二介电层系包括有无掺杂氧化矽。32.如申请专利范围第29项所述之方法,其中该第二介电层系包括有掺杂氧化矽。图式简单说明:第1图到第6B图说明本发明第一个较佳实施例之连续剖面图,说明一种形成一自行对准延伸金属闸极之制程。第7A图到第11A图系说明本发明第二个较佳实施例之连续俯面图,说明一种形成一自行对准延伸金属闸极之制程。第7B图到第11B图、及第12图到第16图系说明本发明第二个较佳实施例之连续剖面图,其中第7B图系为如第7A图中轴线7B-7B'之剖面图,第8B图系为如第8A图中轴线8B-8B'之剖面图,第9B图系为如第9A图中轴线9B-9B'之剖面图,第10B图系为如第10A图中轴线10B-10B'之剖面图,第11B图到第12图到第16图系为如第11A图中轴线11B-11B'之剖面图。 |
