| 发明名称 |
Electron beam projection mask |
| 摘要 |
The batch projection regions 13 and 14 of the electron beam projection mask are arranged so that pattern density may be equalized on the whole wafer surface.
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| 申请公布号 |
US2002098423(A1) |
申请公布日期 |
2002.07.25 |
| 申请号 |
US20020055689 |
申请日期 |
2002.01.23 |
| 申请人 |
NEC CORPORATION |
发明人 |
KOBA FUMIHIRO |
| 分类号 |
G03F1/14;G03F1/16;G03F1/20;H01L21/027;(IPC1-7):G03F9/00;G03C5/00 |
主分类号 |
G03F1/14 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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