| 主权项 |
1.一种融合拼接光纤之电极,其包含:导电心蕊;放电端部;绝缘体,其围绕着导电心蕊,其中放电端部操作温度大于拼接处理过程中释出挥发物之沉积温度。2.一种融合拼接光纤之电极,其包含:绝缘体;导电心蕊放置于绝缘体内侧以及具有放电端部,其中放电端部操作温度大于拼接处理过程中释出挥发物之沉积温度;底座,其构造成提供电源功率至导电心蕊。3.依据申请专利范围第2项之电极,其中导电心蕊由碳,铱,铂,铂-铑合金,铑以及钨选取出材料所构成。4.依据申请专利范围第2项之电极,其中绝缘体由矾土,碳化矽以及锆石选取出材料所构成。5.依据申请专利范围第2项之电极,其中绝缘体由铸造,挤制,火焰沉积以及射出铸造选取出之处理过程制造出。6.依据申请专利范围第2项之电极,其中导电心蕊尺寸将使得导电心蕊放电端部操作温度高于拼接处理过程中产生挥发物之沉积温度以及低于电极材料之氧化温度。7.依据申请专利范围第6项之电极,其中导电心蕊直径为0.008英寸至0.040英寸。8.依据申请专利范围第2项之电极,其中选择放电端部形状以产生等离子场,其将使光纤之拼接变为容易。9.依据申请专利范围第8项之电极,其中放电端部为平坦表面。10.依据申请专利范围第8项之电极,其中放电端部形状为圆锥形。11.依据申请专利范围第8项之电极,其中放电端部形状为半球形。12.依据申请专利范围第2项之电极,其中放电端部延伸通过绝缘体端部。13.依据申请专利范围第2项之电极,其中放电端部满溢于绝缘体端部。14.依据申请专利范围第2项之电极,其中放电端部凹下于绝缘体内。15.一种融合拼接光纤之电极,其包含:导电心蕊,其具有:放电端部;绝缘体,其围绕着导电心蕊,其中绝缘体藉由火焰喷出沉积于导电心蕊上以及放电端部操作温度大于拼接处理过程中释出挥发物之沉积温度。16.依据申请专利范围第15项之电极,其中放电端部更进一步包含圆锥形端部。17.依据申请专利范围第16项之电极,其中圆锥形端部基座直径在0.008英寸至0.040英寸。图式简单说明:第一图(图1)为本发明电极之断面图。第二图(图2)为本发明另外一个电极实施例之断面图。第三图(图3)为本发明另外一个电极实施例之断面图。 |
