| 主权项 |
1.一种具射频功率控制系统之电浆反应器中降低电子温度的方法,该方法至少包含增加反应器内电浆和该控制系统之间的不稳定性,直到该电子温度降低到所需的程度为止。2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中上述增加不稳定性的步骤至少包含了增加该反应器之反应室压力。3.如申请专利范围第1项所述之方法,其中上述增加不稳定性的步骤至少包含了由不同的源头导入电子到该电浆中。4.如申请专利范围第3项所述之方法,其中上述导入电子的步骤至少包含了导入电子束到该反应器中。5.如申请专利范围第1项所述之方法,其中上述增加不稳定性的步骤至少包含改变该控制系统之一参数。6.如申请专利范围第5项所述之方法,其中上述之控制系统至少包含一阻抗匹配网路和一阻抗匹配控制器,且其中上述改变参数之步骤包含:于该阻抗匹配网路中修改一反应性元件之电抗。7.如申请专利范围第5项所述之方法,其中上述改变参数之步骤包含改变该反应器之射频电浆源功率之射频频率。8.如申请专利范围第5项所述之方法,其中上述之控制系统至少包含一阻抗匹配网路和一阻抗匹配控制器,且其中上述改变参数之步骤包含:修改该阻抗匹配控制器之Q値。9.一种具射频功率控制系统之电浆反应器中控制电子温度的方法,该方法至少包含:提供影响该反应器中电浆不稳定性之参数値和电子温度之间的相对关系;选定所需的电子温度;由该相对关系决定该参数相当于该所需电子温度之数値;改变该参数之数値到该相当之数値。10.如申请专利范围第9项所述之方法,其中上述改变该参数之该数値的步骤增加了该反应器之电浆和该控制系统之间的不稳定性,直到该电子温度降低到该所需之电子温度为止。11.如申请专利范围第10项所述之方法,其中上述之参数为反应室压力且上述增加不稳定性之步骤包含了增加该反应器之反应室压力。12.如申请专利范围第10项所述之方法,其中上述之参数为从源头流入该反应室之电子流且上述增加不稳定性之步骤包含了增加该电子流。13.如申请专利范围第12项所述之方法,其中上述之电子流包含将电子束导入该反应器中。14.如申请专利范围第10项所述之方法,其中上述之参数影响电浆不稳定性包含了该控制系统之参数且上述增加不稳定性之步骤包含该控制系统之该参数。15.如申请专利范围第14项所述之方法,其中上述之控制系统包含一阻抗匹配网路和一阻抗匹配控制器,且其中上述改变参数之步骤至少包含:于该阻抗匹配网路中修改反应性元件之电抗。16.如申请专利范围第14项所述之方法,其中上述改变该控制系统之参数的步骤包含改变该反应器之射频电浆源功率之射频频率。17.如申请专利范围第14项所述之方法,其中上述之控制系统包含一阻抗匹配网路和一阻抗匹配控制器,且其中上述改变该控制系统之参数的步骤至少包含:修改该阻抗匹配控制器的Q値。18.如申请专利范围第9项所述之方法,其中上述之参数影响电浆不稳定性至少包含下述其中之一:反应室压力,电子束流入该反应室中,阻抗匹配反应性元件値,阻抗匹配控制系统Q,射频电浆源功率频率。19.如申请专利范围第14项所述之方法,其中上述之控制系统包含一阻抗匹配网路和一阻抗匹配控制器,且其中改变该控制系统之参数的步骤至少包含:修改该阻抗匹配控制器之自然频率。20.如申请专利范围第19项所述之方法,其中上述修改该阻抗匹配控制器之自然频率至少包含:计算电浆之不稳定性波频率;设定该阻抗匹配控制器之自然频率为几乎等于该计算之不稳定性波频率。图式简单说明:第1图为本发明实施例中电浆反应器的概要图示。第2图为阴电电浆之反应室压力对电子温度和电浆变动振幅之作用图示。第3图为电子束电流对电子温度和电浆变动振幅之作用图示。第4图为第1图之系统的阻抗匹配网路的阻抗匹配空间示意图。第5图为对电子温度和电浆变动振幅改变阻抗匹配系统之参数的作用图示。第6图为例举本发明所使用之方法区块图,包括产生和利用有关电子温度和选定之系统控制参数的查询表。第7图所例举的为应用第6图之方法所产生的查询表。第8图所例举的为控制阻抗匹配系统之频率以得到所需之电浆变动的方法。 |
