记忆卡、逻辑位址分派方法及资料写入方法

摘要

本发明有关于记忆卡之写入之高速化技术，特别是适用于快闪记忆体(不挥发性记忆器)之逻辑位址之分派上有效的技术。使块与分组相一致，以资有效率的实施块单位之消去。在于快闪记忆体之物理位址乃以块(8段)单位地从0h址号依序被划分。逻辑位址之资料领域之开始系4Dh址号，而靠近它之块之前头位址之50h址号将逻辑位址之4Dh址号做为资料领域地依序予以分派，剩下之逻辑位址3D7Dh址号～3D7Fh址号即回至物理位址之前头，分派于物理位址之0h址号～2h址号，于是可以令块与从主系统所输出之分组(4kByte或2kByte)相一致，以只块单位地可以令快闪记忆体之资料予以消去，所以大幅度的可以减少写入资料时之消去次数也。

主权项

1.一种记忆卡,具备有,收容有偏置値之偏置收容部,用于运算上述偏置收容部之偏置値及被输入之逻辑位址之偏置运算部,藉由上述偏置运算部之运算而使逻辑位址予以偏置,而分派于不挥发性记忆器上所具备之物理位址,必资使块单位与分组单位相一致为特征者。2.如申请专利范围第1项所述记忆卡,其中上述偏置收容部系具备于上述不挥发性记忆卡之某一领域者。3.如申请专利范围第2项所述之记忆卡,其中,上述偏置値乃收容于上述不挥发性记忆卡上之使用者所不可能存取之领域者。4.一种逻辑位址之分派方法,以某一各段的凑集该具备于不挥发性记忆器之物理位址以资形成段块,而将各个段块之中,在于任意之段块之前头之物理位址分派于开始资料领域之开头之逻辑位址地,将于物理位址之开头附上所定偏置之位址,分派于逻辑位址之开头,并将逻辑位址之资料领域一直分派至物理位址之第1之部分之最后之段为止为其特征者。5.一种逻辑位址之分派方法,具有构成不挥发记忆体之物理位址的第1之部分,和有连续于第1之部分之物理位址的第2之部分,以某一各段的凑集该具备于不挥发性记忆器之物理位址以资形成段块,而将各个段块之中,在于任意之段块之前头之物理位址分派于开始资料领域之前头之逻缉位址地,将于物理位址之开头附上所定偏置之位址,分派于逻辑位址之开头,而当逻辑位址之资料领域之分派到物理位址之第1之部分之最后之段之后,将剩余之资料领域自物理位址之最初开始予以分派为其特征者。6.一种逻辑位址之分派方法,具有构成不挥发记忆体之物理位址的第1之部分,和有连续于第1之部分之物理位址的第2之部分,主要乃关于二个不挥发性记忆器之逻辑位址之分派方法中,乃以某一各段的凑集该具备于该二个不挥发性记忆器之各个物理位址,形成段块,而将上述二个不挥发性记忆器中之一方之不挥发性记忆器之任意之段块之前头之物理位址分派于开始资料领域之前头之逻辑位址地,于该一方之不挥发性记忆体之物理位址之最初,将附上所定之偏置之位址分派于逻辑位址之开头之后,将剩下之逻辑位址交互的分派于上述二个不挥发性记忆器之各段块,而当逻辑位址之资料领域之分派到上述二个不挥发性记忆器之物理位址之第1之部分之最后之段时,即将剩下之资料领域,从上述一方之不挥发性记忆器之物理位址之最初开始予以分派为其特征者。7.一种逻辑位址之分派方法,具有构成不挥发记忆体之物理位址的第1之部分,和有连续于第1之部分之物理位址的第2之部分,主要系于2N个之不挥发性记忆器之逻辑位址之分派方法中,乃以某一各段的凑集该具备于上述2N个之不挥发性记忆器之各个物理位址而形成段块,而令上述2N个之不挥发性记忆器中之某一不挥发性记忆器之任意之段块之前头之物理位址分派于开始资料领域之前头之逻辑位址地,于前述1个之不挥发记忆体之物理位址之最初,将附上所定之偏置之位址分派于逻辑位址之开头,将剩下之逻辑位址依序分派于上述2N个之不挥发性记忆器之各段块,而逻辑位址之资料领域分派到在于上述2N个之不挥发性记忆器之物理位址之最后之段之后,将剩下之资料领域,从上述之某一不挥发性记忆器之物理位址之最初地予以分派,为其特征者。8.如申请专利范围第5项或6或7项所述之逻辑位址之分派方法,其中该被分派逻辑位址之上述段块之物理位址乃最靠近于开始资料领域之前头之逻辑位址之位址者。9.一种记忆卡之资料写入方法,主要乃关于具备有一个不挥发性记忆器之记忆卡之资料写入方法中,将从主系统所转送而来之写入资料,暂时的收容于上述记忆卡,读取上述不挥发性记忆器之一块份之管理资料,而实施该块之消去,而将暂时的收容于上述记忆卡之写入资料一面收容于上述不挥发性记忆卡之被消去块份之段中,一面在于上述记忆卡中暂时的收容从上述主系统所接着转送而来之下序之写入资料为其特征者。10.一种记忆卡之资料写入方法,主要乃关于具备有2N个之不挥发性记忆器之记忆卡之资料写入方法中,前述不挥发性记忆体系具有构成物理位址之第1之部分,和有连续于第1之部分之物理位址之第2之部分,于物理位址之开头,将附有所定之偏置之位址派于逻辑位址之开头,具有:读取第1序的被写入资料之不挥发性记忆卡所具备之段块之管理资料而将该段块予以块消去之第1过程,及一面将暂时的收容于上述记忆卡之写入资料收容于上述不挥发性记忆器,一面读取第2序的被写入资料之不挥发性记忆器之任意段之管理资料,而将下一序之写入资料暂时的收容于上述记忆卡之第2过程,及当完成第2次序的写入资料之不挥发性记忆器之段块之所有之管理资料之读取之后,一面实施该段块之消去,一面将暂时的收容于上述记忆卡之残留写入资料,持续进行对于上述第1序号之不挥发性记忆器之段之收容,而读取该第2序的被写入资料之不挥发性记忆器之任意段之管理资料之第3过程,而一直到第2N序号之被写入资料之不挥发性记忆器为止地反复的实施上述第2,第3过程之处理,为其特征者。11.如申请专利范围第1项或2或3项所述之记忆卡,其中具有:结合于接口电路,结合于上述接口电路之微电脑,及结合于上述接口电路及上述微电脑之上述不挥发性记忆器者。图式简单说明:第1图系依本发明之实施形态1之记忆卡之方块图。第2图系设于本发明之实施形态1之记忆卡之快闪记忆体之电路方块图。第3图系使用于本发明之实施形态1之记忆卡之逻辑位址与固定于快闪记忆卡之物理位址之资料构成之说明图。第4图系依本发明之实施形态1之快闪记忆体之被分派逻辑位址之资料构成之说明图。第5图系本发明人所检讨之被分派逻辑位址之快闪记忆体之资料构成之说明图。第6图系依本发明之实施形态1之在于记忆卡之写入资料之流程图。第7图系依本发明之实施形态2之记忆卡之方块图。第8图系依本发明之实施形态2之快闪记忆体之被分派逻辑位址之资料构成之说明图。第9图系依本发明之实施形态2之被分派于物理位址之逻辑位址之说明图。第10图系依本发明之实施形态2之记忆卡之写入资料之流程图。第11图系设于本发明之实施形态1之快闪记忆体之记忆体组电晶体之断面图。