光阻之烘烤方法

摘要

一种光阻之烘烤(Bake)方法，系利用反转晶圆，使晶圆背面朝上，并利用热源对晶圆背面进行加热的烘烤方法。其中，由于加热温度超过光阻之玻璃转移温度(Glass Transition Temperature)，因此利用此方法，可制造具有垂直剖面(Vertical Profile)特性与负向剖面(NegativeProfile)特性的光阻开口。更由于热量传递方向与重力方向(Gravity)相同，而具有较佳的光阻熔融控制程度，因此可制造烘烤过后，仍具有较佳解析度的光阻开口图案。

主权项

1.一种光阻之烘烤方法,至少包括:提供一基底,其中该基底具有一正面与一背面,且该基底之该正面具有一光阻,并以该背面朝上;以及利用一热源由该基底之上方,对该基底之该背面进行一加热步骤,其中该热源可使该光阻达到一玻璃转移温度。2.如申请专利范围第1项所述之光阻之烘烤方法,其中上述之光阻系具有至少一开口,其中该至少一开口在进行该加热步骤之前,该至少一开口之表面具有一第一宽度,该至少一开口与该基底接触之部分具有一第二宽度,而在进行该加热步骤之后,该至少一开口之表面具有一第三宽度,该至少一开口与该基底接触之部分具有一第四宽度。3.如申请专利范围第2项所述之光阻之烘烤方法,其中该至少一开口之该第一宽度系等于该第二宽度。4.如申请专利范围第3项所述之光阻之烘烤方法,其中该至少一开口之该第三宽度系小于该第四宽度。5.如申请专利范围第2项所述之光阻之烘烤方法,其中该至少一开口之该第一宽度系大于该第二宽度。6.如申请专利范围第5项所述之光阻之烘烤方法,其中该至少一开口之该第三宽度系等于该第四宽度。7.如申请专利范围第1项所述之光阻之烘烤方法,其中上述之热源系一热垫板。8.一种光阻之烘烤方法,至少包括:提供一基底,其中该基底具有一正面与一背面;形成具有至少一开口之一光阻于该基底之该正面;反转该基底,使该基底以该背面朝上;以及利用一热源由该基底之上方对该基底之该背面进行一加热步骤,其中该热源可使该光阻达到一玻璃转移温度。9.如申请专利范围第8项所述之光阻之烘烤方法,其中上述之至少一开口在进行该加热步骤之前,该至少一开口之表面具有一第一宽度,该至少一开口与该基底接触之部分具有一第二宽度,而在进行该加热步骤之后,该至少一开口之表面具有一第三宽度,该至少一开口与该基底接触之部分具有一第四宽度。10.如申请专利范围第9项所述之光阻之烘烤方法,其中该至少一开口之该第一宽度系等于该第二宽度。11.如申请专利范围第10项所述之光阻之烘烤方法,其中该至少一开口之该第三宽度系小于该第四宽度。12.如申请专利范围第9项所述之光阻之烘烤方法,其中该至少一开口之该第一宽度系大于该第二宽度。13.如申请专利范围第12项所述之光阻之烘烤方法,其中该至少一开口之该第三宽度系等于该第四宽度。14.如申请专利范围第8项所述之光阻之烘烤方法,其中上述之热源系一热垫板。15.一种光阻之烘烤方法,至少包括:提供一基底,其中该基底具有一正面与一背面;形成一光阻于该基底之该正面,定义该光阻之一开口,其中该开口系具有一第一宽度与一第二宽度,且该第一宽度系指该开口之表面开口宽度,而该第二宽度系指该光阻与该基底接触部分之开口宽度;反转该基底,使该基底以该背面朝上;以及利用一热源由该基底之上方对该基底之该背面进行一加热步骤,藉以使得该开口形成一第三宽度与一第四宽度,且该第三宽度系指该开口之表面开口宽度,而该第四宽度系指该光阻与该基底接触部分之开口宽度,其中该第三宽度系小于该第一宽度,而该第四宽度系大于该第二宽度。16.如申请专利范围第15项所述之光阻之烘烤方法,其中该开口之该第一宽度系等于该第二宽度。17.如申请专利范围第16项所述之光阻之烘烤方法,其中该开口之该第三宽度系小于该第四宽度。18.如申请专利范围第15项所述之光阻之烘烤方法,其中该开口之该第一宽度系大于该第二宽度。19.如申请专利范围第18项所述之光阻之烘烤方法,其中该开口之该第三宽度系等于该第四宽度。20.如申请专利范围第15项所述之光阻之烘烤方法,其中上述之热源系一热垫板。21.如申请专利范围第15项所述之光阻之烘烤方法,其中该热源提供之温度可使该光阻达到玻璃转移温度。图式简单说明:第1图所绘示为习知光阻之烘烤方法示意图;第2a图与第2b图所绘示为经过习知光阻之烘烤方法前后的剖面示意图;第3a图与第3b图所绘示为经过本发明光阻之烘烤方法前后的剖面示意图;第4图所绘示为利用本发明光阻之烘烤方法,其中光阻位置与温度曲线图;以及第5a图与第5b图所绘示为经过本发明光阻之烘烤方法前后的剖面示意图。