| 主权项 |
1.一种电浆处理装置,其具备于内部配置有载置被处理体之载置台之处理容器、与前述载置台相对而配置并供给前述处理容器电磁场之缝隙天线、及与该缝隙天线之放射面相对而配置之第1电介质元件,其特征为:前述缝隙天线具备构成前述放射面之第1导电板,及由该第1导电板所见时系与前述载置台反方向相对而配置之第2导电板,前述第1及第2导电板之至少一方,相对的倾斜于前述第1电介质元件。2.根据申请专利范围第1项之电浆处理装置,其中前述缝隙天线系径向天线。3.根据申请专利范围第1项之电浆处理装置,其中前述缝隙天线系空腔天线。4.根据申请专利范围第1项之电浆处理装置,其中前述缝隙天线之第1及第2导电板,及前述第1电介质元件之形状,系对称于共同之中心轴。5.根据申请专利范围第2项之电浆处理装置,其中前述缝隙天线之第1及第2导电板,及前述第1电介质元件之形状,系对称于共同之中心轴。6.根据申请专利范围第1至5项中任一项之电浆处理装置,其中前述缝隙天线之第1及第2导电板,及前述第1电介质元件之至少一个,于上方成凸出形状。7.根据申请专利范围第1至5项中任一项之电浆处理装置,其中前述缝隙天线之第1及第2导电板,及前述第1电介质元件之至少一个,于下方成凸出形状。8.根据申请专利范围第1至5项中任一项之电浆处理装置,其中若设前述第1导电板及第2导电板间之电磁场波长为g(g>10mm),则前述第1导电板及第2导电板之间隔为5mm以上,g/2以下。9.根据申请专利范围第6项之电浆处理装置,其中若设前述第1导电板及第2导电板间之电磁场波长为g(g>10mm),则前述第1导电板及第2导电板之间隔为5mm以上,g/2以下。10.根据申请专利范围第7项之电浆处理装置,其中若设前述第1导电板及第2导电板间之电磁场波长为g(g>10mm),则前述第1导电板及第2导电板之间隔为5mm以上,g/2以下。11.根据申请专利范围第1至5项中任一项之电浆处理装置,其中前述第1电介质元件系平板状。12.根据申请专利范围第1至5项中任一项之电浆处理装置,其中前述第1电介质元件系圆顶状。13.根据申请专利范围第1至5项中任一项之电浆处理装置,其中前述第1电介质元件,系将前述处理容器内面之至少一部份由前述载置台隔离之钟罩。14.根据申请专利范围第13项之电浆处理装置,其中更具备:相对前述第1电介质元件配置于与前述载置台不同方向,且与前述第1电介质元件共同形成密闭空间之第2电介质元件;及于前述密闭空间令液体流通,以调整前述第1电介质元件温度之流通手段。图式简单说明:图1,系本发明第1实施型态之蚀刻装置之构成图。图2,系构成径向天线下面之第1导电板之构成图。图3,系径向天线之扩大剖面图。图4,系使用于电浆照片摄影之装置之说明图。图5,系对电浆照相时所得之像之模式图。图6,系显示具有垂直于Z轴之电浆面之电浆密度变化,及入射于该电浆之微波之电场强度变化之概念图。图7,系显示微波吸收系数之角度依存性之图。图8,系模式显示径向天线之第1变形例之剖面形状。图9,系模式显示径向天线之第2变形例之剖面形状。图10,系模式显示径向天线之第3变形例之剖面形状。图11,系本发明第2实施型态之蚀刻装置之构成图。图12,系本发明第3实施型态之蚀刻装置之构成图。图13,系构成空腔天线下面之第1导电板主平面图。图14,系模式显示空腔天线之变形例之剖面形状。图15,系本发明第4实施型态之蚀刻装置之构成图。图16,系图15之蚀刻装置之变形例之构成图。图17,系本发明第5实施型态之蚀刻装置之构成图。图18,系图17之蚀刻装置之变形例之构成图。图19,系本发明第6实施型态之CVD装置之构成图。图20,系使用先前技艺之微波电浆处理装置之蚀刻装置之构成图。 |
