发明名称 光学式资料储存晶圆及其制造方法
摘要 本发明是有关于一种光学式资料储存晶圆,在其中,从晶圆的表面向晶圆厚度范围的方向中发展,其至少设有两个界面,其每一个对应于所储存的资讯而独特,并且其中此设置于内部深处之一个反射层的独特界面,此反射层至少具有一个部份反射层/部份透射层的另一个独特界面,每一个界面对于光所产生的波长,并且在不同的<90°的入射角以下,其中此外介于表面与反射层之间的其余晶圆材料,将所提及的光在基本上透射。并且此外,此反射属是由一第一种金属合金所构成,此部份反射层是由一第二种金属合金所构成。其特征为:-此至少两层的合金包括一或多个相同的金属,其中此一或多个金属共同构成各个合金之超过50at%的成份,-如果此等合金包含金,此金只及于各个合金最高50at%的成份。
申请公布号 TW504689 申请公布日期 2002.10.01
申请号 TW088116720 申请日期 1999.09.29
申请人 恩艾克斯巴尔斯股份有限公司 发明人 海富瑞德温什罗;马丁道伯斯
分类号 G11B7/24 主分类号 G11B7/24
代理机构 代理人 何金涂 台北巿大安区敦化南路二段七十七号八楼;李明宜 台北巿大安区敦化南路二段七十七号八楼
主权项 1.一种光学式资料储存晶圆,在其中,从晶圆的表面向晶圆厚度范围的方向中发展,其至少设有两个界面,其每一个对应于所储存的资讯而为独特,并且其中此设置于内部深处之一个反射层的独特界面,此反射层至少具有一个部份反射/部份透射层的另一个独特界面,每一个界面对于光所产生的波长并且在相同的<90的入射角以下,其中此外介于表面与反射层之间的其余的晶圆材料,将所提及的光在基本上透射,并且此外,此反射层是由一第一种金属合金所构成,此部份反射层是由一第二种金属合金所构成,其特征为:-此至少两层的合金包括一或多个相同的金属,其中此一或多个金属共同构成各个合金之超过50at%的成份,-如果此等合金包含金,此金只及于各个合金的最高50at%的成份。2.如申请专利范围第1项之资料储存晶圆,其中此等合金具有相同成份之所提及之一种同样的金属或是所提及之多种同样的金属。3.如申请专利范围第1或2项之资料储存晶圆,其中此等合金是藉由相同的金属,较佳是以相同的成份而构成。4.如申请专利范围第1或2项之资料储存晶圆,其中此等相同的金属,较佳此合金是由AgxMayMbz所构成,或是由CuxMayMbz所构成,而x>50at%,其中Ma:代表第二种金属Mb:代表第三种金属。5.如申请专利范围第4项之资料储存晶圆,其中较佳是此等相同的金属或者此合金是由AgxMayMbz所构成,其中此第二种金属Ma是钯,并且适用y>z。6.如申请专利范围第5项之资料储存晶圆,其中适用:0<y≦10较佳是1≦y<10以及0<z≦10较佳是1≦z<10。7.如申请专利范围第5项之资料储存晶圆,其中对于AgxPdy合金层特别较佳适用:1<y≦15,较佳1≦y<15,以及z=0,较佳适用:5≦y≦10,较佳5<y<10z=0,特别较佳适用:y=8,z=0。8.如申请专利范围第5项之资料储存晶圆,其中其适用:Ma=Au,而y>z。9.如申请专利范围第1或2项之资料储存晶圆,其中此两层的合金相同,并且此用于在作为散装合金之折射率对吸收系数之比例n/k在650奈米(nm)的光线中适用:0<n/k≦0.28,较佳是0<n/k≦0.20。10.如申请专利范围第1或2项之资料储存晶圆,其中其光学特性的稳定性是优于2%,较佳是优于1%,此为当其在空气中暴露24小时所测得,其中较佳此合金不包含金。11.一种制造如申请专利范围第1至10项中任一项之光学式资料储存晶圆之方法,其特征为,经由DC-溅镀而设置至少两层相同的金属合金。12.如申请专利范围第11项之方法,其中此等层是藉由DC-溅镀相同的靶而设置。13.如申请专利范围第1项之资料储存晶圆,其中此部份反射层的金属合金是由:AgxMayMz所构成,或是由CuxMayMz所构成,而x>50%,其中Ma:代表除了金以外的第二种金属,Mb:代表较佳是除了金以外的第三种金属。14.如申请专利范围第13项之资料储存晶圆,其中此部份反射层是由AgxMayMz所构成,并且此第二种金属是钯(Pd),而y>z。15.如申请专利范围第13或14项之资料储存晶圆,其中适用:0<y≦10较佳是1≦y<10,0<z≦10较佳是1≦z<10。16.如申请专利范围第13或14项之资料储存晶圆,其中适用:1<y≦15,较佳1≦y<15,及z=0,较佳是5≦y≦10,特别是5<y<10,z=0,因此尤其较佳是y=8,z=0,尤其是用于AgPd合金层。17.一种靶,是由一种合金AgxMayMbz所构成,或是由CuxMayMbz所构成,而x>50at%,其特征为:Ma:代表第一种金属,Mb:代表第二种金属。18.如申请专利范围第17项之靶,其中此靶是由AgxMayMbz所构成,并且Ma是钯,而y>z。19.如申请专利范围第17或18项之靶,其中其适用0<y≦10因此较佳是1≦y<10,并且0<z≦10较佳是1≦z<10。20.如申请专利范围第17或18项之靶,尤其较佳是由AgxPdy所构成,其中其适用:0<y≦15,较佳是1≦y<15,并且z=0,因此较佳适用:5≦y≦10,较佳是5<y<10,并且z=0,y=8,z=0。21.如申请专利范围第17或18项之靶,其中其适用:Ma=Au,而y>z。22.如申请专利范围第17或18项之靶,其中此用于在作为散装合金之折射率对吸收系数之比例n/k在650奈米(nm)的光线中适用:0<n/k≦0.28,较佳是0<n/k≦0.20。23.一种制造资料储存晶圆之方法,其特征为包括以下步骤:-提供一基板,-提供一间隔(spacer)层,其所用之材料使得在该基板的表面可以透过(tranasmit)经选择波长之光,-在该基板与间隔层之间涂布由第一金属合金所构成之第一层,-在该间隔层上提供由第二金属合金所构成之第二层,-须各别沈积该第一层与第二层之该第一金属合金或该第二金属合金,使得其中之一对于该光线为半透明,-在该第一与第二金属合金中至少提供一相同的金属,其在各该合金中的比例是大于50at%。24.如申请专利范围第23项之方法,其中将该被选择的波长选择为小于650奈米(nm)。25.如申请专利范围第23项之方法,其中更选择该波长为500奈米(nm)≦≦8580奈米(nm)。26.如申请专利范围第23项之方法,其中更包括步骤以选择该第一与第二金属合金至少一种,其主要是由AgxMayMbz或CuxMayMbz所构成,其中X>50at%,Ag或Cu是各该金属,Ma是第二种金属,并且Mb是第三种金属。27.如申请专利范围第23项之方法,其中更选择该第一与第二金属合金之至少一种,其主要是由AgxMayMbz构成,并且该第二金属是钯(Pd),以及Y>Z。28.如申请专利范围第26或27项之方法,其中更选择0<Y<10以及0<2<10。29.如申请专利范围第23项之方法,其中更选择该第一与第二金属合金之至少一种,其主要是由AgxMayMbz构成,并选择第二种金属Ma为钯,而且更选择0<Y<15以及Z大约等于0。30.如申请专利范围第23项之方法,其中更包括步骤以选择该第一与第二金属合金之至少一种,其主要是由AgxMayMbz构成,并且选择该第二种金属Ma为金,以及Y>Z。31.如申请专利范围第23项之方法,其中选择该第一与第二金属合金为具有相同的金属。32.如申请专利范围第23项之方法,其中更包括步骤以选择该第一与第二金属合金之至少一种,其对于散装(in bulk)的金属合金与650奈米(nm)的光线,具有在反射率n与吸收系数k之间的比例n/k为:0≦n/k≦0.28。33.如申请专利范围第32项之方法,其中更选择0≦n/k≦0.2。34.如申请专利范围第23项之方法,其中须选择该第一与第二金属合金之至少一种,使得该第一与第二层之至少一层各别具有至多2%之光学特性之稳定性,此为将该各别的层曝露于空气至少24小时后所测得。35.如申请专利范围第34项之方法,其中该第一与第二金属合金之至少一种是不包含金。36.如申请专利范围第23项之方法,其中选择该第一与第二金属合金之至少一种或者不包含金,并且该等层之至少一层主要是由AgxMayMbz或CuxMayMbz构成,而X>50at%。37.如申请专利范围第23项之方法,其中更选择该第一与第二金属合金之至少一种,其主要由AgxMayMbz构成,并且因此选择钯(Pd)作为第二种金属Ma,并且Y>Z。38.如申请专利范围第36项之方法,其中选择0<Y<10以及0<Z<10。39.如申请专利范围第36项之方法,其中选择0<Y<15以及Z大约等于0。40.如申请专利范围第36项之方法,其中选择5<Y<10以及Z大约等于0。41.如申请专利范围第36项之方法,其中选择Y=8以及Z大约等于0。42.如申请专利范围第23项之方法,其中更选择出现于该第一与第二金属合金中该相同金属均具有相同比例之数量。43.如申请专利范围第23项之方法,其中更选择该第一与第二金属合金作为相同之合金。44.如申请专利范围第23项之方法,其中更包括步骤其藉由溅镀(sputtering)而沈积该第一与第二层之至少一层。45.如申请专利范围第23项之方法,其中更包括步骤,其藉由DC溅镀而沈积该第一与第二层之至少一层。46.如申请专利范围第23项之方法,其中更包括步骤,其由相同之金属源将该第一与第二金属层均沈积相同的金属。47.如申请专利范围第46项之方法,其中选择该金属源作为溅镀源。48.如申请专利范围第47项之方法,其中选择该溅镀源作为DC溅镀源。49.如申请专利范围第23项之方法,其中更包含步骤,其沈积该第二层作为对于该光线之半透明层。50.如申请专利范围第23项之方法,其中更包括步骤,其沈积该第一层作为对于该光线之反射层。51.一种制造资料储存晶圆所用之方法,其特征为包括以下步骤:-提供一基板,-提供一间隔(spacer)层,其所用之材料使得在该基板的表面可以透过经选择波长的光,-在该基板与间隔层之间涂布由第一金属合金所构成之第一层,-在该层仍然自由的表面上涂布由第二金属合金所构成之第二层,-选择该第一与第二金属合金之至少一种其具有至多50at%的金,并且因此该至少一种散装(in bulk)约合金对于650奈米(nm)的光之反射率与吸收系数之间的比例n/k为:0≦n/k≦0.28。52.如申请专利范围第51项之方法,其中选择0≦n/k≦0.2。53.如申请专利范围第51项之方法,其中该第一与第二金属合金之至少一种之主要部份是银。54.如申请专利范围第51项之方法,其中该第一与第二层中至少一层之主要部份是铜。55.如申请专利范围第51项之方法,其中该第一与第二合金之至少一种包括金。图式简单说明:第1图是以概要图示显示一经由光学式资料储存晶圆之横截面,此晶圆具有双资讯载体界面,第2图图示一吸收系数曲线,其为层材料之n/k比例之函数,第3a图图示根据本发明之光学式资料储存晶圆之一个较佳实施形式中,直接在其制造之后,在其部份反射层上所测得之吸收-,透射-,与反射比例。第3b图是类似于第3a图之说明,是其在空气中存放13小时之后所测得的比例。第3c图是类似于第3a图与第3b图之比例,是其在空气中存放37.5小时之后所测得之比例。
地址 列支敦斯登大公国