发明名称 |
NANO-SILICON MATERIAL METHOD FOR PRODUCING SAME AND NEGATIVE ELECTRODE OF SECONDARY BATTERY |
摘要 |
산소 (O) 와 염소 (Cl) 의 함유량이 저감된 나노 실리콘 재료를 제공한다. 불소 (F) 와 나노 사이즈의 실리콘 결정자를 함유한다. 불소 (F) 가 존재하고 있기 때문에 산소 (O) 및 염소 (Cl) 가 존재하는 층의 생성이 억제되고, 리튬 이온의 이동 속도의 저하가 억제된다. 또 불소 (F) 가 존재하고 있는만큼, 산소 (O) 및 염소 (Cl) 의 농도가 저감되어, 리튬 이온과의 반응이 억제된다. |
申请公布号 |
KR20160145661(A) |
申请公布日期 |
2016.12.20 |
申请号 |
KR20167031288 |
申请日期 |
2015.05.26 |
申请人 |
가부시키가이샤 도요다 지도숏키 |
发明人 |
곤도 다케시;스기야마 유스케;고다 노부히로;모리 다카시;오시마 히로키;나카니시 마사타카 |
分类号 |
C01B33/10;H01M4/134;H01M4/38 |
主分类号 |
C01B33/10 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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