发明名称 NANO-SILICON MATERIAL METHOD FOR PRODUCING SAME AND NEGATIVE ELECTRODE OF SECONDARY BATTERY
摘要 산소 (O) 와 염소 (Cl) 의 함유량이 저감된 나노 실리콘 재료를 제공한다. 불소 (F) 와 나노 사이즈의 실리콘 결정자를 함유한다. 불소 (F) 가 존재하고 있기 때문에 산소 (O) 및 염소 (Cl) 가 존재하는 층의 생성이 억제되고, 리튬 이온의 이동 속도의 저하가 억제된다. 또 불소 (F) 가 존재하고 있는만큼, 산소 (O) 및 염소 (Cl) 의 농도가 저감되어, 리튬 이온과의 반응이 억제된다.
申请公布号 KR20160145661(A) 申请公布日期 2016.12.20
申请号 KR20167031288 申请日期 2015.05.26
申请人 가부시키가이샤 도요다 지도숏키 发明人 곤도 다케시;스기야마 유스케;고다 노부히로;모리 다카시;오시마 히로키;나카니시 마사타카
分类号 C01B33/10;H01M4/134;H01M4/38 主分类号 C01B33/10
代理机构 代理人
主权项
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