| 主权项 |
1.一种在湿式机台防止金属污染的传输检测装置,用于将复数个半导体晶圆由位于湿式机台之外的第一位置,检测该复数个半导体晶圆表面皆没有金属微粒时,才将该复数个半导体晶圆搬运到位于该湿式机台之内的第二位置上,该湿式机台内包含有微粒侦测装置(particle counter),用以侦测微粒数量,该在湿式机台防止金属污染的传输检测装置至少包含:复数个承载片,系用于承载该复数个半导体晶圆由该第一位置转移到该第二位置;复数个取样装置,系用于对应地对该复数个半导体晶圆分别地取得复数个该微粒特性値,该复数个取样装置系分别耦合于其所分别对应的该复数个承载片上;复数个耦合装置,系用于将该复数个取样装置分别耦合到该微粒侦测装置的分析装置上,并将该复数个该微粒特性値传输到该分析装置中,以在该分析装置上分别显示该复数个半导体晶圆关于该微粒之数値;以及旋转支持座,系用于耦合到该复数个承载片,并在该复数个半导体晶圆关于该微粒之数値皆不大于该分析装置中的一预设値时,才将该复数个承载片由该第一位置转移到该第二位置。2.如申请专利范围第1项之传输检测装置,其中上述之湿式机台内,所有制程皆不牵涉到金属处理制程。3.如申请专利范围第1项之传输检测装置,其中上述之复数个承载片系为垂直方向地排列,并且该复数个取样装置系分别位于该复数个承载片之下方,且该复数个承载片中位于最下方者,其下表面并没有任何取样装置。4.如申请专利范围第1项之传输检测装置,其中上述之复数个取样装置对该复数个半导体晶圆取得关于该微粒特性値时,系取该复数个半导体晶圆之光学特性为之。5.如申请专利范围第1项之传输检测装置,其中上述之耦合装置系为下列其中之一:电缆线以及无线电波传送/接收器。6.如申请专利范围第1项传输检测装置,其中上述之复数个半导体晶圆经过该复数个取样装置取样所得的値关于该微粒之数値皆不大于该分析装置中的一预设値时,表示该复数个晶圆皆未经过金属制程处理。7.如申请专利范围第1项传输检测装置,其中上述之旋转支持座在该复数个半导体晶圆关于该微粒之数値有任何一个大于该分析装置中的该预设値时,会将该复数个承载片停留在该第一位置上。8.如申请专利范围第7项传输检测装置,其中上述之复数个半导体晶圆关于该微粒之数値有任何一个大于该分析装置中的该预设値时,该分析装置会发出警示讯号,该警示讯号为下列其中之一:声音讯号、光学讯号以及其结合。9.一种传输检测装置,系用于将复数个半导体晶圆由位于半导体制程机台之外的第一位置,搬运到位于该半导体制程机台之内的第二位置上,该半导体制程机台内包含有微粒侦测装置(particle counter),用以侦测微粒数量,该传输检测装置至少包含:复数个承载片,系用于承载该复数个半导体晶圆由该第一位置转移到该第二位置;复数个取样装置,系用于对应地对该复数个半导体晶圆分别地取得复数个该微粒特性値,该复数个取样装置系分别耦合于其所分别对应的该复数个承载片上;复数个耦合装置,系用于将该复数个取样装置分别耦合到该微粒侦测装置的分析装置上,并将该复数个该微粒特性値传输到该分析装置中,以在该分析装置上分别显示该复数个半导体晶圆关于该微粒之数値;以及旋转支持座,系用于耦合到该复数个承载片,并在该复数个半导体晶圆关于该微粒之数値皆不大于该分析装置中的一预设値时,才将该复数个承载片由该第一位置转移到该第二位置。10.如申请专利范围第9项之传输检测装置,其中上述之半导体制程机台内,所有制程皆不牵涉到金属处理制程。11.如申请专利范围第9项之传输检测装置,其中上述之复数个承载片系为铅直方向地排列,并且该复数个取样装置系分别位于该复数个承载片之下方,且该复数个承载片中位于最下方者,其下表面并没有任何取样装置。12.如申请专利范围第9项之传输检测装置,其中上述之复数个取样装置对该复数个半导体晶圆取得关于该微粒特性値时,系取该复数个半导体晶圆之光学特性为之。13.如申请专利范围第9项之传输检测装置,其中上述之耦合装置系为下列其中之一:电缆线以及无线电波传送/接收器。14.如申请专利范围第9项传输检测装置,其中上述之复数个半导体晶圆经过该复数个取样装置取样所得的値关于该微粒之数値皆不大于该分析装置中的一预设値时,表示该复数个晶圆皆未经过金属制程处理。15.如申请专利范围第9项传输检测装置,其中上述之旋转支持座在该复数个半导体晶圆关于该微粒之数値有任何一个大于该分析装置中的该预设値时,会将该复数个承载片停留在该第一位置上。16.如申请专利范围第15项传输检测装置,其中上述之复数个半导体晶圆关于该微粒之数値有任何一个大于该分析装置中的该预设値时,该分析装置会发出警示讯号,该警示讯号为下列其中之一:声音讯号、光学讯号以及其结合。17.一种在湿式机台防止金属污染的方法,用于将复数个半导体晶圆由位于湿式机台之外的第一位置,检测该复数个半导体晶圆表面皆没有金属微粒时,才将该复数个半导体晶圆搬运到位于该湿式机台之内的第二位置上,该湿式机台防止金属污染的方法至少包含下列步骤:提供复数个取样装置,以分别地对放置于复数个承载片上的该复数个半导体晶圆取得对应的复数个该微粒特性値;提供复数个耦合装置,以将该复数个取样装置分别耦合到该湿式机台中的微粒侦测装置(particlecounter)之分析装置上,并将该复数个该微粒特性値传输到该分析装置中;以及提供旋转支持座,其耦合到该复数个承载片,并在该复数个半导体晶圆关于该微粒之数値皆不大于该分析装置中的一预设値时,才将该复数个承载片由该第一位置转移到该第二位置。18.如申请专利范围第17项之方法,其中上述之复数个取样装置系分别耦合于其所分别对应的该复数个承载片上。19.如申请专利范围第17项之方法,其中上述之湿式机台内,所有制程皆不牵涉到金属处理制程。20.如申请专利范围第17项之方法,其中上述之复数个承载片系为垂直方向地排列,并且该复数个取样装置系分别位于该复数个承载片之下方,且该复数个承载片中位于最下方者,其下表面并没有任何取样装置。21.如申请专利范围第17项之方法,其中上述之复数个取样装置对该复数个半导体晶圆取得关于该微粒特性値时,系取该复数个半导体晶圆之光学特性为之。22.如申请专利范围第17项之方法,其中上述之耦合装置系为下列其中之一:电缆线以及无线电波传送/收器。23.如申请专利范围第17项之方法,其中上述之复数个半导体晶圆经过该复数个取样装置取样所得的値关于该微粒之数値皆不大于该分析装置中的一预设値时,表示该复数个晶圆皆未经过金属制程处理。24.如申请专利范围第17项之方法,其中上述之旋转支持座在该复数个半导体晶圆关于该微粒之数値有任何一个大于该分析装置中的该预设値时,会将该复数个承载片停留在该第一位置上。25.如申请专利范围第23项之方法,其中上述之复数个半导体晶圆关于该微粒之数値有任何一个大于该分析装置中的该预设値时,该分析装置会发出警示讯号,该警示讯号为下列其中之一:声音讯号、光学讯号以及其结合。图式简单说明:第一图为传统的晶圆传输装置运用于前段制程的湿式机台中的酸槽之结构图;第二图是为了防止湿式机台遭受金属微粒污染,而依据本发明的一较佳实施例中的晶圆传输装置之结构示意图;第三图是为了防止湿式机台遭受金属微粒污染,而依据本发明的一较佳实施例提出的晶圆传输装置应用于前段制程之湿式机台中,其整体之结构示意图;第四图显示的是依据本发明的一较佳实施例之晶圆传输装置应用于前段制程之湿式机台中,其启动后第一个动作之示意图;以及第五图显示的是依据本发明的一较佳实施例之晶圆传输装置应用于前段制程之湿式机台中,其自动检测并检测无误后动作之示意图。 |
