| 主权项 |
1.一种藉由雷射光束(14,15)之装置之重复写入记录之光资讯媒体,该媒体包括具有在其侧边配置之基板(1):-第一记录堆叠(8),其具有相位改变型记录层(10),夹在两介电层(9,11)之间,-第二记录堆叠(2),其具有相位改变型记录层(5),夹在两介电层(4,6)之间,-透明间隔物层(7),其介入在第一(8)和第二(2)记录堆叠之间,其具有比雷射光束(14,15)之焦距之深度远大之厚度,以及-金属镜层(3),其接近于第二记录堆叠(2)且离透明间隔物层(7)遥远之第二记录堆叠(2)之侧边,其特征为:-第一记录堆叠(8),其包括由从以基本上增长控制之晶化之型式和以基本上成核控制之晶化之型式选择之型式之相位改变型记录层(10),以及-第二记录堆叠(2),其包括型式不同于为第一记录堆叠(8)选择之型式之相位改变型记录层(5)。2.如申请专利范围第1项之光资讯媒体,其特征为:该第一记录堆叠(8),其包括从由包括Q、铟、锑和碲之化合物之基本上增长控制之晶化之型式和包括锗、锑和碲之化合物之基本上成核控制之晶化之型式所选择出之型式之相位改变型记录层(10),其中Q从银和锗之群组选出。3.如申请专利范围第2项之光资讯媒体,其特征为:Q、铟、锑和碲之化合物之原子合成由公式QaInbSbcTed所定义,其中0<a≦15,0<b≦6,55≦c≦80,16≦d≦35,a+b+c+d=100。4.如申请专利范围第2项之光资讯媒体,其特征为:锗、锑和碲之化合物之原子合成由在三元合成图锗-锑-碲中之区域所定义,该四角形形状之区域具有顶点:Sb3Te7,Ge2Te3,Ge3Te2,和SbTe。5.如申请专利范围第4项之光资讯媒体,其特征为:锗、锑和碲之化合物之原子合成由公式Ge50xSb40-40xTe60-10x,且0.166≦x≦0.444所定义。6.如申请专利范围第1,2,3,4或5项之光资讯媒体,其特征为:该第一记录堆叠(8)之相位改变型记录层(10)具有在5和15奈米之间之厚度且该第二记录堆叠(2)之相位改变型记录层(5)具有在10和35奈米之间之厚度。7.如申请专利范围第1项之光资讯媒体,其特征为:该透明间隔物层(7)具有至少10微米之厚度。图式简单说明:图1显示根据本发明之光资讯媒体之概要剖面图。 |
