| 主权项 |
1.一种光取光补耦合结构,包含有:一基板;一第一波导设于该基板之上,包含有一输入端用来输入一主光束与一输出端用来输出该主光束;一第二波导设于该基板之上,包含有复数个光栅以一预定周期之方式排列设置于该第二波导之上;以及一第三波导设于该基板之上,包含有一输入端用来输入该主光束与一输出端用来输出该主光束;其中该第二波导系位于该第一波导与该第三波导之间,且该第一波导之一平均折射率与该第三波导之一平均折射率之差距系于正负50%以内。2.如申请专利范围第1项之光取光补耦合结构,其中该第一波导、该第二波导与该第三波导均为一反脊状结构。3.如申请专利范围第1项之光取光补耦合结构,其中该主光束包含有至少一次光束。4.如申请专利范围第3项之光取光补耦合结构,其中当该次光束之一波长与该第二波导之一布拉格波长之差距介于正负50%以内时,该次光束会于该第一波导之输出端输出或于该第三波导之输出端输出。5.如申请专利范围第4项之光取光补耦合结构,其中当该次光束之波长与该布拉格波长之差距系于正负50%以内时,该主光束之其他次光束会穿透该第二波导,并于该第一波导之输出端或是该第三波导之输出端输出。6.如申请专利范围第4项之光取光补耦合结构,其中于该第一波导之输入端,输入包含有该波长与该布拉格波长差距于正负50%以内之次光束的主光束,且于该第三波导之输入端,输入该波长与该布拉格波长差距于正负50%以内之次光束时,该波长与该布拉格波长差距于正负50%以内之次光束,可于该第一波导之输出端输出,包含有该波长与该布拉格波长差距于正负50%以内之次光束的主光束,可于该第三波导之输出端输出。7.如申请专利范围第4项之光取光补耦合结构,其中于该第三波导之输入端,输入包含有该波长与该布拉格波长差距于正负50%以内之次光束的主光束,且于该第一波导之输入端,输入该波长与该布拉格波长差距于正负50%以内之次光束时,该波长与该布拉格波长差距于正负50%以内时之次光束,可于该第三波导之输出端输出,包含有该波长与该布拉格波长差距于正负50%以内之次光束的主光束,可于该第一波导之输出端输出。8.如申请专利范围第1项之光取光补耦合结构,其中该第一波导、该第二波导与该第三波导均为一对紫外光敏感之高分子波导。9.如申请专利范围第1项之光取光补耦合结构,其中该基板为一石英材料构成。图式简单说明:第一图为习知技术之光取光补耦合结构的示意图。第二图为习知技术之另一光取光补耦合结构的示意图。第三图为本发明之光取光补耦合结构之示意图。第四图A至第四图G为制造本发明光取光补耦合结构之流程示意图。 |
