可降低高低差及制程应力之半导体圆弧构造

摘要

本创作系有关一种可降低高低差及制程应力之半导体圆弧构造，其主要系于一半导体基板上形成有复数个圆弧形状截面之元件；并有一介电层薄膜覆盖于该半导体基板及该圆弧元件的表面上。由于本创作系使用圆弧形状截面之元件，以致不具有用尖角形状截面的元件所造成其上薄膜应力太高，而产生孔洞(Voids)、裂痕(Cracks)，以及因高低差(Step height)太大所造成后续制程视窗太小的问题，因此本创作不仅可确保元件的稳定性，且可有效提高后续制程的容忍度。

主权项

1.一种可降低高低差及制程应力之半导体圆弧构造,包括:一半导体基板;复数个圆弧形截面之元件,其系位于该半导体基板之表面;以及一介电层,覆盖于该圆弧形截面之元件与该半导体基板之裸露表面上。2.如申请专利范围第1项所述之半导体圆弧构造,其中该元件系为闸极者。3.如申请专利范围第2项所述之半导体圆弧构造,其中该闸极系由一隧穿氧化层、一悬浮闸极、一绝缘介电层及一控制闸极所构成者。4.如申请专利范围第3项所述之半导体圆弧构造,其中该悬浮闸极系由多晶矽材质所构成者。5.如申请专利范围第1项所述之半导体圆弧构造,其中该元件系为BD氧化层。6.如申请专利范围第1项所述之半导体圆弧构造,其中该介电层之材质系选自氧化矽、四氯乙基矽、硼磷矽玻璃及磷矽玻璃其中之一。7.一种可降低高低差及制程应力之半导体圆弧构造,包括:一半导体基板,其上已完成有基础元件;复数圆弧形截面之金属连线,位于该半导体基板上;以及一介电层,覆盖于该金属连线与该半导体基板之裸露表面上。8.如申请专利范围第7项所述之半导体圆弧构造,其中该金属连线系由铝金属、铝铜合金、铝矽铜合金及铜金属其中之一所构成者。9.如申请专利范围第7项所述之半导体圆弧构造,其中该介电层之材质系选自氧化矽、四氯乙基矽、硼磷矽玻璃及磷矽玻璃其中之一。10.如申请专利范围第7项所述之半导体圆弧构造,其中该介电层系一低介电常数之介电层。图式简单说明:第一图为习知半导体记忆体之构造示意图。第二图为第一图形成有孔洞的构造示意图。第三图为本创作较佳实施例之构造示意图。第四图为形成一光阻层于第三图实施例表面之示意图。第五图为本创作之另一较佳实施例之构造示意图。