| 主权项 |
1.一种以电浆处理改善氧化层电性的方法,应用于以III-V族系列材料为基础的半导体元件、积体电路及光电元件等制作上,该方法系包括下列步骤:(a)提供一以III-V族系列材料为基础之晶片;(b)利用液相化学辅助氧化方法于该晶片上成长一氧化层;(c)将该氧化层置于一电浆系统中;以及(d)调整该电浆系统之参数以电浆处理该氧化层,俾改善该氧化层之电性。2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该步骤(a)所提供之该III-V族系列材料系选自以IIIA族金属如铝、镓、铟等和VA族金属如砷之化合物或多元素化合物。3.如申请专利范围第2项所述之方法,其中该III-V族系列材料以砷化镓为佳。4.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该步骤(b)中之该氧化法所使用之化学溶液为由液相化学辅助硝酸溶液与氨水所配制成之一薄膜成长溶液。5.如申请专利范围第4项所述之方法,其中该薄膜成长溶液系以10%之稀释硝酸溶液与10%之稀释氨水溶液混合为最佳。6.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该步骤(c)中之该电浆系统可为一反应离子蚀刻机与一溅镀机等能产生电浆之设备。7.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该步骤(c)中之该电浆系统之反应气体可为氮气、氢气等能移去该氧化物键结之气体或其混合之气体。8.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该步骤(d)中该电浆系统之参数为系统真空度、电浆产生之气压、气体流率、无线电波波频功率或电压等。9.一种以电浆处理改善氧化层电性的方法,应用于以III-V族系列材料为基材的半导体元件、积体电路及光电元件等制作上,该方法系利用液相化学辅助氧化方法成长该氧化层于该基材之一特定区域上,再藉由电浆处理该氧化层以减少该氧化层中之一氧化物,俾以改善该氧化层之电性。10.如申请专利范围第9项所述之方法,其中该III-V族系列材料系选自以IIIA族金属如铝、镓、铟等和VA族金属如砷之化合物或多元素化合物。11.如申请专利范围第9项所述之方法,其中该III-V族系列材料以砷化镓为佳。12.如申请专利范围第9项所述之方法,其中该氧化法所使用之化学溶液为由液相化学辅助硝酸溶液与氨水所配制成之一薄膜成长溶液。13.如申请专利范围第12项所述之方法,其中该薄膜成长溶液系以10%之稀释硝酸溶液与10%之稀释氨水溶液混合为最佳。14.如申请专利范围第9项所述之方法,其中该电浆系统可为一反应离子蚀刻机与一溅镀机等能产生电浆之设备。15.如申请专利范围第9项所述之方法,其中该电浆系统之反应气体可为氮气、氢气等能移去该氧化物键结之气体或其混合之气体。16.如申请专利范围第9项所述之方法,其中该电浆系统之参数为系统真空度、电浆产生之气压、气体流率、无线电波波频功率或电压等。图式简单说明:第一图:其系为金属-绝缘层-半导体(MIS)二极体结构之漏电流密度与电压的关系图,其氧化层厚度为800埃。第二图:其系为金属-绝缘层-半导体(MIS)二极体结构之漏电流密度与电压的关系图,其氧化层厚度为500埃。第三图(a):其系为经SIMS分析砷化镓氧化层内之As含量的结果。第三图(b):为第三图(a)的局部放大图。第四图:为经X光-发射光谱(XPS)分析砷化镓氧化层表面砷之键结的结果。 |
