| 主权项 |
1.一种半导体晶片,其包括一半导体基底;一修正接触扩散和一非修正接触扩散于该基底上;以及一光晕扩散相邻该修正接触扩散,和无光晕扩散相邻该非修正接触扩散。2.如申请专利范围第1项之半导体晶片,其中该修正接触是一FET的一源极/汲极扩散。3.如申请专利范围第1项之半导体晶片,其中该非修正接触是一FET的主体接触、一侧面二极体的一欧姆接触、一电阻器的一接烛、或是一电容的一接触。4.如申请专利范围第1项之半导体晶片,其中该晶片进一步包括一闸极导体,其中该修正接触是以该闸极导体定义的。5.如申请专利范围第1项之半导体晶片,其中该晶片进一步包括一闸极导体,其中该非修正接触是以该闸极导体定义的。6.如申请专利范围第1项之半导体晶片,其中该晶片进一步包括一闸极导体,其中该修正接触和该非修正接触两者都是以该闸极导体定义的。7.如申请专利范围第6项之半导体晶片,其中该修正接触是一FET的一源极/汲极扩散,而且其中该非修正接触是该FET的一主体接触。8.如申请专利范围第7项之半导体晶片,其中该FET包括一闸极导体,其中该源极/汲极扩散和该主体接触都是以该闸极导体定义的。9.如申请专利范围第8项之半导体晶片,其中该FET进一步包括一背部绝缘体,而且在该背部绝缘体上有一半导体的薄层。10.如申请专利范围第6项之半导体晶片,其中该修正接触是一侧面二极体的一扩散,而且其中该非修正接触是一欧姆接触至该二极体。11.如申请专利范围第1项之半导体晶片,其中该晶片进一步包括一FET,该FET包含一源极/汲极扩散和一侧面二极体,该侧面二极体包含一修正接触扩散和一非修正接触扩散,其中该修正接触是该FET的源极/汲极扩散,以及该非修正接触是该侧面二极体的非修正接触扩散,还有该处无光晕扩散相邻于该侧面二极体的修正接触扩散。12.如申请专利范围第1项之半导体晶片,其中该晶片进一步包括一第一闸极导体和一第二闸极导体,其中该修正接触是以该第一闸极导体定义的,以及该非修正接触是以该第二闸极导体定义的。13.如申请专利范围第12项之半导体晶片,进一步包括一FET,以及一侧面二极体、一电阻、和一电容其中之一个,其中该修正接触是该FET的一源极/汲极扩散,且其中该非修正接触是一欧姆接触至该侧面二极体、电阻或电容。14.如申请专利范围第13项之半导体晶片,其中该侧面二极体是为ESD保护、过度射出/射出不足保护、或是超过电压箝位。15.如申请专利范围第13项之半导体晶片,其中该侧面二极体进一步包括一修正接触扩散,其中无光晕是相邻于该修正接触扩散。16.如申请专利范围第1项之半导体晶片,进一步包括一第二非修正接触,其中无光晕扩散是相邻于该非修正接触其中之一。17.如申请专利范围第1项之半导体晶片,其中该晶片包括绝缘物上矽。18.如申请专利范围第1项之半导体晶片,其中一延伸扩散是相邻于该源极汲极扩散,且其中无延伸扩散是相邻于非修正接触。19.一种制造一半导体晶片方法,包含以下步骤:a)提供一半导体基底;b)形成一修正扩散接触于该基底上;c)形成一非修正扩散接触于该基底上;以及d)形成一光晕扩散相邻于该修正扩散接触,并且形成无光晕扩散相邻于该非修正扩散接触。20.如申请专利范围第19项之方法,其中在该形成步骤(b)中,该修正扩散是一FET的一源极/汲极扩散,其中在该形成步骤(c)中,该非修正接触是该FET的一主体接触。21.如申请专利范围第19项之方法,其中该非修正扩散接触是一侧面二极体的一电极。22.如申请专利范围第21项之方法,其中该侧面二极体的为ESD保护,过度射出/射出不足保护、或超过电压箝位。23.如申请专利范围第21项之方法,其中在该形成步骤(b)中,该修正扩散是一FET的一源极/汲极扩散,或是该侧面二极体的一第二电极。24.如申请专利范围第19项之方法,其中在该形成步骤(b)中,该修正扩散是一FET的一源极/汲极扩散,其中该形成步骤(c)包括形成一装置,其具有一对该非修正扩散接触,且其中该形成步骤(d)包括形成无光晕扩散相邻于该两个非修正接触其中之一。25.如申请专利范围第24项之方法,其中该装置包括一电阻或一电容。26.如申请专利范围第19项之方法,其中在该形成步骤(a)中,该基底包含绝缘物上矽(SOI)。27.如申请专利范围第19项之方法,进一步包括形成一延伸扩散相邻于该修正接触扩散,以及形成无延伸扩散相邻于该非修正接触扩散。28.如申请专利范围第19项之方法,其中该形成步骤(d)包括提供一第一遮光罩,该第一遮光罩包含一非修正扩散接触的一位置,其中该第一遮光罩在该位置上方有一阻隔区域。29.如申请专利范围第28项之方法,其中该非修正扩散接触是以至少一个其他遮光罩上的数据来定义,而且其中该数据产生该第一遮光罩上的阻隔区域。30.如申请专利范围第29项之方法,其中该第一遮光罩上的阻隔区域是以逻辑组合复数个遮光罩的形状,并且调整其结果以避免出现次微影的图形之数据所产生的。图式简单说明:图1a是本发明之一FET的俯视图,其中该FET有源极/汲极扩散和一主体接触相邻于一闸极,而且该源极/汲极扩散具有光晕植入,但该主体接触则没有光晕植入;图1b为相似于图1a中FET的一FET之俯视图,但具有一T形闸;图1c为图1a的装置沿着直线1c-1c'之一部份特性截面图;图2a为本发明的一侧面二极体之一俯视图,其中该二极体具有一修正扩散和一非修正扩散相邻于闸导体,而且该修正扩散有一光晕植入,但该非修正扩散并没有光晕扩散;图2b是图2a的装置之一纵向截面图;图2c为本发明中一侧面二极体之俯视图,其中该二极体包括一修正扩散和一非修正扩散相邻于闸导体,而且该修正扩散和该非修正扩散都没有一光晕植入;图3a为比较顺向偏压二极体具有光晕和没有光晕植入相邻该非修正扩散的I-V特性之图形;图3b为电阻v.闸至源极电压之图形,显示具有一光晕植入相邻于该非修正主体接触扩散之SOI FETS电阻的不规则变化;图4a为本发明之一装置的一纵向截面图,其中该装置具有两个无光晕植入相邻于闸导体之非修正接合面,而且该装置的功能为一电阻或一电容;以及图4b为一先前技艺装置之纵向截面图,该装置具有两个光晕植入之非修正接合面,而且该装置的功能为一电阻或一电容。 |
