| 主权项 |
1.一种场发射显示面板,其至少包含:一第一电绝缘板;复数个发射器堆叠,形成于上述第一电绝缘板上,每一个上述发射器堆叠会平行放置于上述第一绝缘板的一横向方向,且至少包含一层拥有一第一宽度的一第一电传导材料与一层拥有一第二宽度在顶部的奈米管发射器,上述第二宽度会较小于上述第一宽度的3/4;一第二电绝缘板,放置在上述第一电绝缘板上面且间隔隔开于上述第一电绝缘板,上述第二绝缘板拥有一内部表面面对上述第一电绝缘板;一第二电传导材料层,在上述第二电绝缘板的上述内部表面上;复数条多样性的萤光粉条,涂布在上述第二电传导材料层上,在来自上述复数个发射器堆叠发射电子群活化下,各自发射一红、绿或蓝光;以及复数个侧面面板,接合上述第一与第二电绝缘板的周围在一起,以在其内部形成一真空压紧的内腔。2.如申请专利范围第1项所述之场发射显示面板,其中上述奈米管发射器层的上述第二宽度系介于上述第一电传导材料层的上述第一宽度大约1/4与3/4之间。3.如申请专利范围第1项所述之场发射显示面板,其中上述第二电绝缘板更包含一黑色阵列层介于上述复数条多样性的萤光粉条彼此之间。4.如申请专利范围第1项所述之场发射显示面板,其中上述第一与第二电绝缘板系由一种实质上透明的陶瓷材料形成。5.如申请专利范围第1项所述之场发射显示面板,其申上述第一电传导材料层是上述场发射显示面板的阴极。6.如申请专利范围第1项所述之场发射显示面板,其中上述第一电传导材料层为一银胶。7.如申请专利范围第1项所述之场发射显示面板,其中上述第二电传导材料层是上述场发射显示面板的一第一阳极。8.如申请专利范围第1项所述之场发射显示面板,其中上述第二电传导材料层系由氧化铟锡所形成。9.如申请专利范围第1项所述之场发射显示面板,其中上述奈米管发射器层系以复数个奈米尺寸空心管子与一黏合剂材料的混合物形成。10.如申请专利范围第1项所述之场发射显示面板,其中上述奈米管发射器层系以复数个奈米尺寸的碳、钻石或类钻石碳的空心管子与一黏合剂材料的混合物形成。11.如申请专利范围第1项所述之场发射显示面板,其中每一个上述多样性萤光粉涂条各自发射一种红、绿或蓝光,不同于藉由来自上述复数个发射器堆叠的电子活化其紧连相邻的萤光条时所发射的光。12.如申请专利范围第1项所述之场发射显示面板,更包含上述第一电传导材料的一第二电传导材料层形成于复数个绝缘材料层的顶部,以作为第一闸极的功能。13.一种制作一场发射显示面板的方法,其至少包含下列步骤:提供一第一电绝缘板;藉由一厚膜印刷方法形成复数个发射器堆叠在上述第一电绝缘板上,平行于上述第一电绝缘板的一横向方向,每一个上述发射器堆叠至少包含拥有一第一宽度的一第一电传导材料层,以及拥有一第二宽度在顶部的一奈米管发射器层,上述第二宽度会小于3/4上述第一宽度;提供一第二电绝缘板;当上述第一与第二电绝缘板被组合在一起时,形成一第二电传导材料层在上述第二电绝缘板的一内部表面,面对上述第一电绝缘板;形成一多样性萤光粉涂条在上述第二电传导材料层,当被电子群活化时,以发射一红、绿或蓝光;藉由复数个侧面板接合上述第一与第二电绝缘板在一起且在内部形成一真空压紧的内腔。14.如申请专利范围第13项所述之制作一场发射显示面板的方法,其中上述第二宽度系介于大约1/4到大约3/4上述第一宽度之间。15.如申请专利范围第13项所述之制作一场发射显示面板的方法,进一步包含印刷上述第一电传导材料层在一银胶上的步骤。16.如申请专利范围第13项所述之制作一场发射显示面板的方法,进一步包含藉由一黏合剂与该群包含碳纤维、钻石纤维与类钻石碳纤维的复数个奈米尺寸空心纤维的混和物,印刷上述奈米发射器层的步骤。17.如申请专利范围第13项所述之制作一场发射显示面板的方法,进一步包含连接一负电荷到上述第一电传导材料层下方于上述复数个发射器堆叠,以及一正电荷到上述第二电传导材料层的步骤。18.如申请专利范围第13项所述之制作一场发射显示面板的方法,进一步包含涂布一黑色阵列层在上述第二电绝缘板上介于上述多样性萤光粉涂条彼此之间的步骤。19.如申请专利范围第13项所述之制作一场发射显示面板的方法,其中上述复数个多样性萤光粉涂条系藉由一厚膜印刷技术所形成。20.如申请专利范围第13项所述之制作一场发射显示面板的方法,进一步包含沈积一上述第一电传导材料于上述复数个绝缘材料层的顶部的步骤,以作为一第一闸极的功能。图式简单说明:第1A图是一应用微尖端发射电子的传统场发射显示幕装置放大剖面视图。第1B图是第1A图中的传统场发射显示幕装置,进一步包括形成封闭处理室的一阳极以及侧壁面板的放大剖面视图。第1C图是第1B图中传统的场效装置,其部分放大的剖面视图,说明单一微尖端的架构。第2A图是一有一奈米碳管层沈积在一传导层上的传统二极FED装置的放大剖面视图。第2B图是第2A图中的传统二极架构,其奈米管层经导入一固化制程后的放大剖面视图。第3A图是带有一层奈米碳管层在一层传导层上的传统三极架构FED装置放大剖面视图。第3B图是第3A图中传统三极架构装置,其奈米管发射器层经一固化制程之后的放大剖面视图。第4A图是本发明一种其奈米管层宽度已经减少的二极架构FED装置放大剖面视图。第4B图是第4A图中本发明二极架构FED装置,其奈米尺寸管层经导入固化制程后的放大剖面视图。第5A图是本发明一带有已经减少宽度的奈米管发射器层沈积在一传导层上的三极架构FED装置放大剖面视图。第5B图是第5A图中本发明三极架构FED装置,其奈米管发射器层经导入一固化制程后的放大剖面视图。 |
