发明名称 电压峰値检知器
摘要 本发明提出一种电压峰值检知器,其主要由一差动放大器、一电流镜和一电容器所组成。该差动放大器之两输入端系分别接受输入电压信号及检知器之输出电压回授信号,并提供适当之充电电流给电流镜,以便取得输入电压波形之峰值作为输出电压信号。其中,该差动放大器系做为比较器使用,而该电流镜系做为充电器使用。本发明所提出之电压峰值检知器,不但电路架构新颖、简单,并且可以精确地检知输入电压波形之峰值。
申请公布号 TW517161 申请公布日期 2003.01.11
申请号 TW090119722 申请日期 2001.08.08
申请人 修平技术学院 发明人 萧明椿;林育正;魏沧亮;林春凯
分类号 G01R19/04 主分类号 G01R19/04
代理机构 代理人
主权项 1.一种电压峰値检知器,用以检测输入电压信号之峰値,其包括:一输入端,用以提供一输入电压信号;一输出端,用以输出该输入电压信号之峰値电压;一电源供应电压,用以提供电压峰値检知器所需之电源电压和参考接地;一差动放大器,用以接受输入电压信号及输出端之输出电压回授信号,并提供充电电流信号给电流镜;一电流镜,用以根据该差动放大器所提供之充电电流信号,而提供一充电电流给电容器;以及一电容器,该电容器之一端连接至参考接地,而另一端连接至电流镜,以接受该电流镜所供应之充电电流。2.如申请专利范围第1项所述之电压峰値检知器,其更包括:一开关,该开关系与该电容器并联连接,用以提供一放电路径,以便将电容器上所储存之电荷放电,俾利于下次输入电压信号之峰値检测。3.如申请专利范围第2项所述之电压峰値检知器,其中该开关系由一金氧半电晶体所组成。4.如申请专利范围第1项所述之电压峰値检知器,其中该差动放大器包括:一第一PMOS电晶体MP1,其源极连接至电源电压,闸极与第二PMOS电晶体MP2之闸极相连接,而汲极则与该电流镜以及第一NMOS电晶体MN1之汲极相连接;一第二PMOS电晶体MP2,其源极连接至电源电压,闸极与汲极连接在一起,并连接至第一PMOS电晶体MP1之闸极,且汲极亦与第二NMOS电晶体MN2之汲极连接;一第一NMOS电晶体MN1,其源极与第二NMOS电晶体MN2之源极以及第三NMOS电晶体MN3之汲极相连接,闸极用以接受输入电压信号,而汲极则与该电流镜以及第一PMOS电晶体MP1之汲极相连接;一第二NMOS电晶体MN2,其源极与第一NMOS电晶体MN1之源极以及第三NMOS电晶体MN3之汲极相连接,闸极用以接受输出端之输出电压回授信号,而汲极则与该第二PMOS电晶体MP2之汲极相连接;一第三NMOS电晶体MN3,其源极连接至参考接地,闸极连接至电源电压,而汲极则与第一以及第二NMOS电晶体MN1和MN2之源极相连接。5.如申请专利范围第1项所述之电压峰値检知器,其中该电流镜包括:一第三PMOS电晶体MP3,其源极连接至电源电压,闸极与汲极连接在一起,并连接至该差动放大器之输出;一第四PMOS电晶体MP4,其源极连接至电源电压,闸极与第三PMOS电晶体MP3之闸极连接,而汲极则与该电容器以及第二NMOS电晶体MN2之闸极相连接。图式简单说明:第一图系显示第一先前技艺中电压峰値检知器之电路图;第二图系显示第一图电压峰値检知器之输入电压信号及输出电压信号之暂态分析时序图;第三图系显示第二先前技艺中电压峰値检知器之电路图;第四图系显示第三图电压峰値检知器之输入电压信号及输出电压信号之暂态分析时序图;第五图系显示本发明较佳实施例之电压峰値检知器之电路图;第六图系显示本发明电压峰値检知器之输入电压信号及输出电压信号之暂态分析时序图。
地址 台中县大里市工业路十一号