| 主权项 |
1.一种辐射源,包括一阳极及阴极,且阳极及阴极之构造及配置可在其间产生气体或蒸气放电并形成工作气体或蒸气之电浆,以便产生电磁辐射,其中该阴极包括一具有一洞口之中空凹孔,该洞口具有一环状构造,其环绕着该辐射源中心轴线以利放电。2.根据申请专利范围第1项之辐射源,其中该凹孔具有环绕着辐射源中心轴线之环状构造。3.根据申请专利范围第1或2项之辐射源,其中一启动气体供应至该凹孔。4.根据申请专利范围第3项之辐射源,其中该启动气体包括至少一气体系选自氦(He),氖(Ne),氩(Ar)及氢气(H2)所组成之群组。5.根据申请专利范围第1或2项之辐射源,其中该工作气体或蒸气供应至阳极及阴极之间环绕该中心轴线之区域中。6.根据申请专利范围第5项之辐射源,其中该工作气体或蒸气沿着该中心轴线供应。7.根据申请专利范围第1或2项之辐射源,其中该工作气体或蒸气包括氙。8.根据申请专利范围第1项之辐射源,其中该工作气体或蒸气包括至少一气体系选自锂蒸气及锡蒸气所组成之群组。9.根据申请专利范围第8项之辐射源,其中该辐射源包括一拖架,一加热器及一构造,拖架固定着包括至少为锂及/或锡之材料,加热器对拖架加热以产生该材料之蒸气,构造将该蒸气导引至阳极及阴极之间的空间中。10.根据申请专利范围第8项之辐射源,其中该辐射源包括一拖架,一加热器及一构造,拖架固定着包括至少为锂及/或锡之材料,加热器对拖架加热使该材料成为液体,构造利用毛细作用将该液体导引至阳极及阴极之间的空间中。11.根据申请专利范围第8.9或10项之辐射源,其中一电气绝缘器位于该阳极及阴极之间,该蒸气供应至阳极及阴极之间一路径处,该电气绝缘器之构造及配置界定一空间,其配合蒸气沿着该路径凝结。12.根据申请专利范围第1或2项之辐射源,其中一启动电极插置于该凹孔中。13.根据申请专利范围第12项之辐射源,其中该辐射源包括一电路,其可施加一电位脉冲至该启动电极。14.根据申请专利范围第13项之辐射源,其中该电路之变压器具有主要及辅助线圈,主要线圈连接至该电位脉冲源,辅助线圈连接至该阴极及启动电极。15.根据申请专利范围第1或2项之辐射源,其中该辐射源用以产生极限紫外线辐射之投影光束,其波长在5至20nm范围内,特别是9至16nm。16.一种微影投影装置,包括:一辐射系统,其提供一辐射投影光束;一支撑构造,其支撑着打样机构,打样机构根据所需之图样对投影光束打样;一基板台,其固定一基板;与一投影系统,其将打样后光束投影至基板之目标部位,其中该辐射系统包括一根据申请专利范围第1至15项任一项之辐射源。17.根据申请专利范围第16项之装置,其中该支撑构造包括一光罩台以固定一光罩。18.一种半导体装置制造方法,其中藉由引导电磁辐射而提供辐射之一打样投影光束,该电磁辐射系由位于一阳极及一阴极之间一空间之气体或蒸气放电之后工作气体或蒸气之电浆所产生,阴极包括具有一洞口之一中空凹孔,该洞口实质上为一环状构造,用以朝向打样装置进行放电,俾在其剖面中产生具有一图样之一投影光束,且该打样后之投影光束投影至至少部分设于一基板上辐射感应材料层之一目标部分上。图式简单说明:图1显示微影投影装置包括一根据本发明之辐射源;图2a至2e显示根据本发明第一具体实施例之辐射源以及启动放电,产生电浆及电浆压缩之各种阶段;图3显示根据本发明第二具体实施例之辐射源;图4显示根据本发明第三具体实施例之辐射源;图5显示一电路图,其对电容器充电并提供一启动脉冲至根据本发明第四具体实施例辐射源之启动电极;图6显示根据本发明另一具体实施例之辐射源;与图7详示图6辐射源一部份之另一具体实施例。 |
