发明名称 非破坏性X光机台校验程序
摘要 一种非破坏性X光机台校验程序,该程序包含下列步骤:选择一标准块,该标准块相对于机台之一X光管具有一预定规格;将该标准块置于机台之一载台之一预定位置上;将机台之X光管相对于该载台调整至一预定高度;该X光管照射该载台上之标准块取得影像;及再将该影像输出至其他连接设备上进行比对。
申请公布号 TW519713 申请公布日期 2003.02.01
申请号 TW090133524 申请日期 2001.12.31
申请人 南茂科技股份有限公司 发明人 吴培荣;张茵茵
分类号 H01L21/66 主分类号 H01L21/66
代理机构 代理人 陈启舜 高雄市苓雅区中正一路二八四号十二楼
主权项 1.一种非破坏性X光机台校验程序,该校验程序包含下列步骤:选择一标准块,该标准块相对于机台之一X光管具有一预定规格;将该标准块置于机台之一载台之一预定位置上;将机台之X光管相对于该载台调整至一预定高度;及该X光管照射该载台上之标准块取得影像。2.依申请专利范围第1项之非破坏性X光机台校验程序,其中再将该影像输出至其他连接设备上进行比对。3.依申请专利范围第1项之非破坏性X光机台校验程序,其中该预定位置较佳选择设置为预定点、预定区等。4.依申请专利范围第1项之非破坏性X光机台校验程序,其中该标准块之长度及宽度相对于机台之X光管具有一预定规格。5.依申请专利范围第1项之非破坏性X光机台校验程序,其中该预定高度系该X光管位于该载台之预定位置区平面之相对垂直距离。6.依申请专利范围第1项之非破坏性X光机台校验程序,其中该标准块之长度及宽度之量测値与实际长度及宽度比率値进行比对。7.依申请专利范围第1项之非破坏性X光机台校验程序,其中该影像输出至一运算器以便进行量测値与实际値自动比对。图式简单说明:第1图:检验半导体元件的金线偏移量之示意图。第2图:X光机台之X光管及载台之示意图。第3图:本发明非破坏性X光机台校验程序之标准块较佳实施例规格之示意图。
地址 新竹科学工业园区新竹县研发一路一号