发明名称 软性电路基板之制造方法及其成品
摘要 本发明是在提供一种软性电路基板及其制造方法,该软性电路基板是包含有一高分子薄膜层,及依序接合在该高分子薄膜层之一侧面的铬或钼附着层、镍铬合金附着层与一铜附着层。而该软性电路基板之制造方法包含以下步骤:(A)在一高分子薄膜层的一侧表面溅镀一层铬附着层。(B)在该铬附着层之远离该高分子薄膜层的一侧表面溅镀一层镍铬合金附着层。及(C)在该镍铬合金附着层之远离该铬附着层的一侧表面溅镀一层铜附着层。
申请公布号 TW519860 申请公布日期 2003.02.01
申请号 TW090117468 申请日期 2001.07.17
申请人 律胜科技股份有限公司 发明人 黄堂杰;庄朝钦
分类号 H05K3/46 主分类号 H05K3/46
代理机构 代理人 恽轶群 台北市松山区南京东路三段二四八号七楼;陈文郎 台北市松山区南京东路三段二四八号七楼
主权项 1.一种软性电路基板,包含:一高分子薄膜层;一铬附着层,接合在该高分子薄膜层的一侧表面上;一镍铬合金附着层,接合在该铬附着层之远离该高分子薄膜层的一侧表面;及一铜附着层,接合在该镍铬合金附着层之远离该铬附着层的一侧表面。2.依据申请专利范围第1项所述之软性电路基板,更包含有一接合在该镍铬合金附着层与该铜附着层间之镍附着层。3.依据申请专利范围第2项所述之软性电路基板,更包含有一接合在该镍附着层与该铜附着层间之金附着层。4.依据申请专利范围第1项所述之软性电路基板,更包含有一接合在该镍铬合金附着层与该铜附着层间之金附着层。5.依据申请专利范围第1.2.3或4项所述之软性电路基板,其中,该高分子薄膜层可选自聚醯亚胺及聚酯之一所制成的薄膜。6.依据申请专利范围第1.2.3或4项所述之软性电路基板,更包含有一接合在该铜附着层之远离该高分子薄膜层之一侧表面的铜箔层。7.一种软性电路基板,包含:一高分子薄膜层;一钼附着层,接合在该高分子薄膜层的一侧表面上;一镍铬合金附着层,接合在该钼附着层之远离该高分子薄膜层的一侧表面;及一铜附着层,接合在该镍铬合金附着层之远离该钼附着层的一侧表面。8.依据申请专利范围第7项所述之软性电路基板,更包含有一接合在该镍铬合金附着层与该铜附着层间之镍附着层。9.依据申请专利范围第8项所述之软性电路基板,更包含有一接合在该镍附着层与该铜附着层间之金附着层。10.依据申请专利范围第7项所述之软性电路基板,更包含有一接合在该镍铬合金附着层与该铜附着层间之金附着层。11.依据申请专利范围第7.8.9或10项所述之软性电路基板,其中,该高分子薄膜层可选自聚醯亚胺及聚酯之一所制成的薄膜。12.依据申请专利范围第7.8.9或10项所述之软性电路基板,更包含有一接合在该铜附着层之远离该高分子薄膜层之一侧表面的铜箔层。13.一种软性电路基板之制造方法,包含:(A)在一高分子薄膜层的一侧表面溅镀一层铬附着层;(B)在该铬附着层之远离该高分子薄膜层的一侧表面溅镀一层镍铬合金附着层;及(C)在该镍铬合金附着层之远离该铬附着层的一侧表面溅镀一层铜附着层。14.依据申请专利范围第13项所述软性电路基板之制造方法,更包含有一介于该步骤B与该步骤C间之步骤B1,该步骤B1为:在该镍铬合金附着层与铜附着层间溅镀有一层镍附着层。15.依据申请专利范围第14项所述软性电路基板之制造方法,更包含有一介于该步骤B1与该步骤C间之步骤B2,该步骤B2为:在该镍附着层与铜附着层间溅镀有一层金附着层。16.依据申请专利范围第13项所述软性电路基板之制造方法,更包含有一介于该步骤B与该步骤C间之步骤B3,该步骤B3为:在该镍铬合金附着层与铜附着层间溅镀有一层金附着层。17.依据申请专利范围第13.14.15或16项所述软性电路基板之制造方法,更包含有一接续于该步骤C后之步骤D,该步骤D为:在该铜附着层之远离该高分子薄膜层之一侧表面,电镀一层铜箔层。18.一种软性电路基板之制造方法,包含:(A)在一高分子薄膜层的一侧表面溅镀一层钼附着层;(B)在该钼附着层之远离该高分子薄膜层的一侧表面溅镀一层镍铬合金附着层;及(C)在该镍铬合金附着层之远离该钼附着层的一侧表面溅镀一层铜附着层。19.依据申请专利范围第18项所述软性电路基板之制造方法,更包含有一介于该步骤B与该步骤C间之步骤B1,该步骤B1为:在该镍铬合金附着层与铜附着层间溅镀有一层镍附着层。20.依据申请专利范围第19项所述软性电路基板之制造方法,更包含有一介于该步骤B1与该步骤C间之步骤B2,该步骤B2为:在该镍附着层与铜附着层间溅镀有一层金附着层。21.依据申请专利范围第18项所述软性电路基板之制造方法,更包含有一介于该步骤B与该步骤C间之步骤B3,该步骤B3为:在该镍铬合金附着层与铜附着层间溅镀有一层金附着层。22.依据申请专利范围第18.19.20或21项所述软性电路基板之制造方法,更包含有一接续于该步骤C后之步骤D,该步骤D为:在该铜附着层之远离该高分子薄膜层之一侧表面,电镀一层铜箔层。图式简单说明:第一图是一种习知软性电路基板的剖面视图;第二图是本发明软性电路基板之一第一较佳实施例的剖面视图;第三图是该第一较佳实施例之一制造流程图。第四图是本发明软性电路基板之一第三较佳实施例的剖面视图;第五图是该第三较佳实施例之一制造流程图;第六图是本发明软性电路基板之一第四较佳实施例的剖面视图;及第七图是该第四较佳实施例之一制造流程图。
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