互补式金氧半图像感测器的结构及其制造方法

摘要

一种互补式金氧半图像感测器的制造方法，此方法是在基底中形成隔离层，以将基底区隔为二极管感测区以及晶体管元件区。接着，在晶体管元件区形成栅极结构之后，再在栅极结构两侧的晶体管元件区中形成源/漏极区，且同时在光二极管感测区中形成掺杂区。然后，在光二极管感测区上形成自对准绝缘层，再在基底上形成保护层。而后，依序在保护层上形成介电层、金属导线，再在介电层以及金属导线上形成保护层，其中介电层以及金属导线的层数视制作工艺决定，并且在每一介电层之间都形成保护层。

主权项

1.一种互补式金氧半图像感测器的结构，该感测器至少包括：一基底；一光二极管感测区，设置于该基底中；一晶体管元件区，设置于该基底中，且该光二极管感测区与该晶体管元件区以一隔离层区隔；一晶体管，设置在该晶体管元件区上，该晶体管包括一栅氧化层、一栅极导体层、一间隙壁与一源/漏极区；一自对准绝缘层，设置在该光二极管感测区上；一第一保护层，设置在该基底上，且至少覆盖该自对准绝缘层；多个介电层，其中每一该各介电层距离该第一保护层不同高度设置于该第一保护层上；以及多个第二保护层，其中每一该第二保护层设置于每一相邻的该介电层之间。