| 主权项 |
1.一种制造一电极基板之方法,电极基板具有一由有机绝缘材料制成之有机绝缘区及一由无机绝线材料制成于同一侧上之无机绝缘区,其包含以下步骤:实施有机绝缘区之一电浆处理;制成一第一透明导电层以接触于有机绝缘区,及制成一第二透明导电层以接触于无机绝缘区;及在同一步骤中蚀刻第一透明导电层及第二透明导电层。2.如申请专利范围第1项之制造一电极基板之方法,其中实施电浆处理之步骤包括在相同于有机绝缘区电浆处理之步骤中实施无机绝缘区电浆处理之步骤。3.如申请专利范围第1项之制造一电极基板之方法,其中电浆处理系选自以氧电浆处理、氩电浆处理及CF4电装处理组成之族群中。4.如申请专利范围第1项之制造一电极基板之方法,其中电浆处理包括实施一氧电浆处理之步骤,及在实施氧电浆处理步骤后实施一氩电浆处理之步骤。5.如申请专利范围第1项之制造一电极基板之方法,其中电浆处理包括实施一氧电浆处理之步骤,及在实施氧电浆处理步骤后实施一CF4电浆处理之步骤。6.如申请专利范围第1项之制造一电极基板之方法,其中电浆处理使有机绝缘层之一表面糙度之均方根値在1.0毫微米以下。7.如申请专利范围第1项之制造一电极基板之方法,进一步包含在电浆处理步骤后热处理第一透明导电层及第二透明导电层之步骤。8.如申请专利范围第7项之制造一电极基板之方法,其中热处理系在150℃以上且220℃以下之温度实施。9.一种制造一电极基板之方法,电极基板具有一由有机绝缘材料制成之有机绝缘区及一由无机绝缘材料制成于同一侧上之无机绝缘区,其包含以下步骤:制成一第一透明导电层以接触于有机绝缘区,及制成一第二透明导电层以接触于无机绝缘区,使第一透明导电层具有20毫微米以上且50毫微米以下之晶粒尺寸;及在同一步骤中蚀刻第一透明导电层及第二透明导电层。10.如申请专利范围第9项之制造一电极基板之方法,其中第一透明导电层具有20毫微米以上且40毫微米以下之晶粒尺寸。11.如申请专利范围第9项之制造一电极基板之方法,进一步包含在制成第一透明导电层前实施有机绝缘区之一电浆处理之步骤。12.一种制造一电极基板之方法,电极基板具有一由有机绝缘材料制成之有机绝缘区及一由无机绝缘材料制成于同一侧上之无机绝缘区,其包含以下步骤:制成一第一透明导电层以接触于有机绝缘区,及制成一第二透明导电层以接触于无机绝缘区;热处理第一透明导电层及第二透明导电层;及在同一步骤中蚀刻第一透明导电层及第二透明导电层。13.如申请专利范围第12项之制造一电极基板之方法,其中热处理系在150℃以上且220℃以下之温度实施,且其保持一特定之时间周期。14.如申请专利范围第13项之制造一电极基板之方法,其中热处理系在200℃以上且220℃以下之温度实施,且其保持一特定之时间周期。15.一种电极基板,包含:一有机绝缘区,系由一有机绝缘材料制成,且具有一1.0毫微米以下之表面糙度之均方根値;一无机绝缘区,系由一无机绝缘材料制成,且提供于一与有机绝缘区相同之侧边上;及一第一透明导电层,系接触于有机绝缘区,及一第二透明导电层,系接触于无机绝缘区。16.如申请专利范围第15项之电极基板,其中有机绝缘区之表面糙度之均方根値系在0.28毫微米以上且1.0毫微米以下。17.如申请专利范围第15项之电极基板,其中第一透明导电层具有20毫微米以上且50毫微米以下之晶粒尺寸。18.如申请专利范围第17项之电极基板,其中第一透明导电层具有20毫微米以上且40毫微米以下之晶粒尺寸。19.一种显示装置,包括如申请专利范围第15项之电极基板。20.一种电极基板,包含:一有机绝缘区,系由一有机绝缘材料制成;一无机绝缘区,系由一无机绝缘材料制成,且提供于一与有机绝缘区相同之侧边上;及一第一透明导电层,系接触于有机绝缘区,及一第二透明导电层,系接触于无机绝缘区,其中第一透明导电层具有一晶粒尺寸,其系设定使第一透明导电层及第二透明导电层具有一大致相等之变移率。21.如申请专利范围第20项之电极基板,其中第一透明导电层具有20毫微米以上且50毫微米以下之晶粒尺寸。22.如申请专利范围第21项之电极基板,其中第一透明导电层具有20毫微米以上且40毫微米以下之晶粒尺寸。23.一种显示装置,包括如申请专利范围第20项之电极基板。图式简单说明:图1系一等体积简示图,说明一液晶显示装置之基本结构;图2系图1所示液晶显示装置之一电极基板平面图;图3系图2之放大图;图4系沿图3之A-A'线所取之截面图;图5揭示一层之设计尺寸及一层之最终生成尺寸之差异;图6揭示一习知制造一电极基板之方法;图7系一图表,说明一有机绝缘层上之透明导电层及一无机绝缘层上之透明导电层之湿性蚀刻时间与蚀刻变移间之关系;图8系一图表,说明一有机绝缘层上之透明导电层之电浆处理时间与蚀刻变移间之关系;图9系一图表,说明一有机绝缘层之表面糙度与有机绝缘层上之透明导电层之蚀刻变移间之关系;图10揭示本发明一透明导电层之电浆处理与制造方法;图11揭示本发明制造电极基板之一像素电极与一透明电极之方法;图12系一图表,说明CF4电浆处理时间与由一有机绝缘层上之透明导电层及一无机绝缘层上之透明导电层制成之电极之接触电阻间之关系;图13系一图表,说明透明导电层之退火温度与片状电阻间之关系;图14系一图表,说明当有机绝缘层上之透明导电层之晶粒尺寸大约40毫微米时,一有机绝缘层上之透明导电层及一无机绝缘层上之透明导电层之湿性蚀刻时间与蚀刻变移间之关系;图15系一图表,说明当有机绝缘层上之透明导电层之晶粒尺寸大约100毫微米时,一有机绝缘层上之透明导电层及一无机绝缘层上之透明导电层之湿性蚀刻时间与蚀刻变移间之关系;图16系一图表,说明一有机绝缘层上之透明导电层之晶粒尺寸与蚀刻变移间之关系;图17系一图表,说明一有机绝缘层上之透明导电层及一无机绝缘层上之透明导电层之湿性蚀刻时间与蚀刻变移间之关系;图18揭示本发明实施例之一制造电极基板之方法;及图19揭示本发明另一实施例之一电极基板。 |
